半导体晶片清洁系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100495652C

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200580049424.6

    申请日:2005-04-11

    Inventor: 尹镇老 金振泰

    Abstract: 本发明涉及一种半导体晶片清洁系统,包括:预清洁站,通过预先在晶片上喷射去离子水而去除晶片上的颗粒;第一清洁站,通过摩擦旋转与晶片前后表面接触的一对刷子并通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射在晶片上,用于第一次清洁残余的颗粒;第一冲洗站,通过在向第一清洁站第一次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;第二清洁站,利用与第一清洁站相同的结构和方式,通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射到在第一冲洗站第一次冲洗清洁的晶片上,第二次清洁晶片前后表面残余的颗粒;第二冲洗站,通过向在第二清洁站第二次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;以及干燥站,利用通过高速旋转第二冲洗站冲洗的晶片所产生的离心力干燥残余的清洁液体。根据本发明,通过在分别且独立地设置的清洁站和冲洗站中进行表面抛光晶片的清洁操作和冲洗操作,使晶片进入每个清洁站的等待时间最短,从而通过解决整个晶片制造工艺中的延迟现象而显著地提高晶片生产率。

    化学机械晶圆抛光设备的清洁刷升降装置

    公开(公告)号:CN101380723A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200710147699.4

    申请日:2007-09-07

    Inventor: 徐昌源 尹晶焕

    Abstract: 公开了一种化学机械晶圆抛光设备的清洁刷升降装置,所述清洁刷升降装置使用于清洁晶圆上的杂质的清洁刷上下升降,并且所述清洁刷升降装置包括:机架;基准刷,所述基准刷由所述机架可旋转地支撑;升降块,所述升降块安装在所述机架上,以使所述升降块能够上下升降;升降刷,所述升降刷可旋转地安装在所述升降块上,所述升降刷与所述升降块一起升降,同时靠近或远离所述基准刷;以及线性电机,所述线性电机用于升降所述升降块。所述装置可以降低产品的单位成本、生产成本,缩短生产时间。此外,还具有尺寸小、重量轻,并且能够精确地控制升降驱动的优点。

    用于半导体晶圆的化学机械抛光机的装载装置

    公开(公告)号:CN100447958C

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200580010926.8

    申请日:2005-04-08

    Inventor: 李正勋

    CPC classification number: B24B37/345

    Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶圆的化学机械抛光机的装载装置,其包括:装载杯,其中在装载杯上,杯板安装在杯形盆缸中,用以容纳晶圆的装载板位于杯板上,多个垂直阻尼装置置于杯板与装载板之间,以使装载板在垂直方向被减振;驱动轴,用于使装载杯在化学机械抛光机的平台与心轴之间向右及向左绕轴转动并进行上升及下降运动;以及,将装载杯连接至驱动轴的臂;其中,多个水平阻尼装置沿装载板的底部表面从装载板的中心沿径向以固定角度定位;且其中每个水平阻尼装置的两端分别固定于杯板及装载板。通过装载装置的结构,本发明实现了装载装置可主动调节装载及卸载晶圆期间产生的装载装置的装载杯与抛光托架头之间的位置偏差的优点。

    用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备

    公开(公告)号:CN101208780A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200580050264.7

    申请日:2005-06-28

    Inventor: 徐盛范

    CPC classification number: B24B37/04 B24B57/02

    Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备,该设备包括位于驱动端的旋转管套节和位于从动端的旋转管套节。所述驱动端的旋转管套节包括:中心旋转轴;流体供应管体,所述流体供应管体以与中心旋转轴同轴的方式设置,被固定地支撑,并且在其内部形成有多个流体通道;密封罩套,所述密封罩套以同轴的方式设置在所述流体供应管体的外圆周上,以被可旋转地支撑;和密封单元,所述密封单元用于保持所述流体供应管体和所述密封罩套之间的气密性。所述从动端的旋转管套节包括:中心旋转轴;密封罩套,所述密封罩套沿着所述中心旋转轴的圆周同轴地设置,其一末端固定于所述心轴的内部,从而支撑所述中心旋转轴,使所述中心旋转轴稳定旋转;和密封单元,所述密封单元用于保持所述中心旋转轴和所述密封罩套之间的气密性。根据本发明:1)防止了当中心旋转轴旋转时,所述中心旋转轴两末端之间的滚动现象所造成的密封性能的下降;2)操作流体可平稳地供应至每一载具;以及3)旋转体和非旋转体之间的接触部分简化成单层密封结构,同时保持着高密封性能。

    半导体晶片清洁系统
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101180711A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200580049424.6

    申请日:2005-04-11

    Inventor: 尹镇老 金振泰

    Abstract: 本发明涉及一种半导体晶片清洁系统,包括:预清洁站,通过预先在晶片上喷射去离子水而去除晶片上的颗粒;第一清洁站,通过摩擦旋转与晶片前后表面接触的一对刷子并通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射在晶片上,用于第一次清洁残余的颗粒;第一冲洗站,通过在向第一清洁站第一次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;第二清洁站,利用与第一清洁站相同的结构和方式,通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射到在第一冲洗站第一次冲洗清洁的晶片上,第二次清洁晶片前后表面残余的颗粒;第二冲洗站,通过向在第二清洁站第二次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗;以及干燥站,利用通过高速旋转第二冲洗站冲洗的晶片所产生的离心力干燥残余的清洁液体。根据本发明,通过在分别且独立地设置的清洁站和冲洗站中进行表面抛光晶片的清洁操作和冲洗操作,使晶片进入每个清洁站的等待时间最短,从而通过解决整个晶片制造工艺中的延迟现象而显著地提高晶片生产率。

    用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备

    公开(公告)号:CN100524638C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200580050264.7

    申请日:2005-06-28

    Inventor: 徐盛范

    CPC classification number: B24B37/04 B24B57/02

    Abstract: 本发明涉及一种用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备,该设备包括位于驱动端的旋转管套节和位于从动端的旋转管套节。所述驱动端的旋转管套节包括:中心旋转轴;流体供应管体,所述流体供应管体以与中心旋转轴同轴的方式设置,被固定地支撑,并且在其内部形成有多个流体通道;密封罩套,所述密封罩套以同轴的方式设置在所述流体供应管体的外圆周上,以被可旋转地支撑;和密封单元,所述密封单元用于保持所述流体供应管体和所述密封罩套之间的气密性。所述从动端的旋转管套节包括:中心旋转轴;密封罩套,所述密封罩套沿着所述中心旋转轴的圆周同轴地设置,其一末端固定于所述心轴的内部,从而支撑所述中心旋转轴,使所述中心旋转轴稳定旋转;和密封单元,所述密封单元用于保持所述中心旋转轴和所述密封罩套之间的气密性。根据本发明:1)防止了当中心旋转轴旋转时,所述中心旋转轴两末端之间的滚动现象所造成的密封性能的下降;2)操作流体可平稳地供应至每一载具;以及3)旋转体和非旋转体之间的接触部分简化成单层密封结构,同时保持着高密封性能。

    衬底对准装置以及使用该装置对准衬底的方法

    公开(公告)号:CN101461284A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200680054966.7

    申请日:2006-11-06

    CPC classification number: C23C14/042

    Abstract: 本说明书公开了一种用于对准衬底的装置和方法。该装置包括:基准板,其具有形成于下表面的边缘的台阶;夹具,其能够贯穿基准板的该边缘升高和降低并具有弯曲的下端,以允许将衬底装载在其上;用于支持框架的掩模框架支持器,该框架具有连接到其上的金属掩模;对准板,其连接到掩模框架支持器并且能够升高和降低;以及精密对准机构,其用于精密地将衬底和金属掩模相互对准。可以将衬底的下垂量减少到常规装置的下垂量的1/5或更少的水平。该装置进一步包括穿过基准板的磁体,从而允许衬底和金属掩模相互形成紧密接触。

    用于封装有机发光二极管的方法和装置

    公开(公告)号:CN101352100A

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200680050145.6

    申请日:2006-12-27

    CPC classification number: H01L51/524 H01L51/56

    Abstract: 本发明涉及用于封装有机发光二极管的方法和装置。根据本发明的用于利用盖封装玻璃基片的封装方法包括步骤:(a)运送在其上形成有有机发光层的玻璃基片以及具有施加到其上的由紫外线固化树脂制成的粘合剂的盖,并且分别将玻璃基片和盖固定到上和下载物台;(b)通过上和下载物台之间的相对运动,使玻璃基片和盖紧密接触,并且初次朝向彼此压靠;以及(c)通过在玻璃基片和盖彼此紧密接触的状态下由于室中的压力增加产生的压力差,再次朝向彼此压靠玻璃基片和盖。具体地,当处理室处于真空状态时执行所述步骤(b),以及将处理室从真空状态变成大气压或正压状态来执行所述步骤(c)。

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