公开(公告)号：JP4557434B2

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：JP2000612035

申请日：2000-04-13

Applicant: シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッドCbl Technologies,Inc. ,  パナソニック株式会社

Inventor： エス． ソロモン、グレン ,  ジェイ． ミラー、デイビッド ,  哲三 上田

IPC: B01D53/58 ,  G01N31/22 ,  B01D53/14 ,  B01D53/18 ,  B01D53/34 ,  B01D53/68 ,  B01D53/77 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: B01D53/18 ,  B01D53/14 ,  B01D53/1493 ,  B01D2251/70 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30

公开(公告)号：JP4818515B2

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：JP2000612540

申请日：2000-04-13

Applicant: シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッドCbl Technologies,Inc. ,  パナソニック株式会社

Inventor： エス． ソロモン、グレン ,  ジェイ． ミラー、デイビッド ,  哲三 上田

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45576 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

公开(公告)号：JP2004524690A

公开(公告)日：2004-08-12

申请号：JP2002568404

申请日：2001-02-27

Applicant: シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッドCbl Technologies,Inc.

Inventor： エス． ソロモン、グレン ,  ジェイ． ミラー、デイビッド

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: A hybrid deposition system (30) includes a reactor chamber (32), at least one heating unit (40, 42, 44), a first reagent gas source (46), a metallo-organic source (52), a second reagent gas source (48), and a valve unit (54b) for stopping gas flow from the metallo-organic source (52). The hybrid system (30) incorporates features of both metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and hydride vapor-phase epitaxy (HVPE). The hybrid system (30) may operate in MOCVD mode, HVPE mode, or both modes simultaneously. The hybrid system (30) may switch between deposition modes without interrupting deposition, or removing the sample from the reactor chamber (32). The heating unit (40, 42, 44) may move relative to the reactor chamber (32), or vice versa, to adjust the temperature of the reactor chamber (32). A hybrid deposition method uses two different depositiontechniques in the same reactor chamber (32) to form an epitaxial layer of a III-V compound on a non-native substrate. The two different deposition techniques, e.g., MOCVD and HVPE, may be performed in the same reactor chamber, consecutively and concurrently.

公开(公告)号：TW589394B

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：TW090105328

申请日：2001-03-07

Applicant: CBL技術股份有限公司 CBL TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 格林 所羅門 SOLOMON, GLENN S. ,  大衛 米勒 MILLER, DAVID J.

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一種混合型沉積系統(30)包括反應器(32)、至少一個加熱單元(40、42、44)、第一個物劑氣體來源(46)、有機金屬物來源(52)、第二種物劑氣體來源(48)和用以中止來自有機金屬物來源(52)氣流的閥單元(54b)。此混合型系統(30)兼具有機金屬化學蒸鍍法(MOCVD)和氫化物蒸汽相磊晶法(HVPE)的特徵。此混合型系統(30)可以MOCVD模式、HVPE模式或這兩種模式同時操作。此混合型系統(30)可切換於沉積模式之間且不會中斷沉積，也不須自反應器移出樣品。加熱單元(40、42、44)可以相對於反應器(32)地移動，反之亦然，以簡便和迅速地調整反應器(32)溫度。混合型沉積法在相同反應器(32)使用兩種不同的沉積技巧，在非原生底質上形成至少一個Ⅲ-Ⅴ氮化物的磊晶層。可於相同反應器中連續或同時實施兩種不同的沉積技巧(如：MOCVD和HVPE)。

Abstract in simplified Chinese: 一种混合型沉积系统(30)包括反应器(32)、至少一个加热单元(40、42、44)、第一个物剂气体来源(46)、有机金属物来源(52)、第二种物剂气体来源(48)和用以中止来自有机金属物来源(52)气流的阀单元(54b)。此混合型系统(30)兼具有机金属化学蒸镀法(MOCVD)和氢化物蒸汽相磊晶法(HVPE)的特征。此混合型系统(30)可以MOCVD模式、HVPE模式或这两种模式同时操作。此混合型系统(30)可切换于沉积模式之间且不会中断沉积，也不须自反应器移出样品。加热单元(40、42、44)可以相对于反应器(32)地移动，反之亦然，以简便和迅速地调整反应器(32)温度。混合型沉积法在相同反应器(32)使用两种不同的沉积技巧，在非原生底质上形成至少一个Ⅲ-Ⅴ氮化物的磊晶层。可于相同反应器中连续或同时实施两种不同的沉积技巧(如：MOCVD和HVPE)。

公开(公告)号：WO2011119195A2

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/US2010/062610

申请日：2010-12-30

Applicant: CBL TECHNOLOGIES, INC. ,  SOLOMON, Glenn S. ,  MILLER, David J.

Inventor： SOLOMON, Glenn S. ,  MILLER, David J.

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10

Abstract: Hydride vapor-phase deposition (HVPE) systems are disclosed. An HVPE hydride vapor-phase deposition system may include a reactant source chamber and a growth chamber containing a susceptor coupled to the reactant source chamber. The reactant source chamber may be configured to create a reactant gas through a chemical reaction between a solid or liquid precursor and a different precursor gas. The reactant source chamber can be configured to operate at a temperature T(M) significantly above room temperature. The reactant gas can be chemically unstable at or near room temperature. The susceptor is configured to receive a substrate and maintain the substrate at a substrate temperature T(S). The growth chamber includes walls can be configured to operate at a temperature T(C) such that T(M), T(S) are greater than T(C).

Abstract translation: 公开了氢化物气相沉积（HVPE）系统。 HVPE氢化物气相沉积系统可以包括反应物源室和包含耦合到反应物源室的基座的生长室。 反应物源室可经配置以通过固体或液体前体与不同前体气体之间的化学反应产生反应气体。 反应物源室可以被配置为在明显高于室温的温度T（M）下操作。 反应物气体在室温或室温下可能化学不稳定。 基座构造成接收基板并将基板保持在基板温度T（S）。 生长室包括壁可被配置成在温度T（℃）下操作使得T（M），T（S）大于T（℃）。

公开(公告)号：WO0063961B1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：PCT/US0009999

申请日：2000-04-13

Applicant: CBL TECHNOLOGIES INC ,  MATSUSHITA ELECTRONICS CORP

Inventor： SOLOMON GLENN S ,  MILLER DAVID J ,  UEDA TETSUZO

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/0254 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12576

Abstract: A method for forming an epitaxial layer (4) involves depositing a buffer layer (2) on a substrate (1) by a first deposition process, followed by deposition of an epitaxial layer (4) by a second deposition process. By using such a dual process, the first and second deposition processes can be optimized, with respect to performance, growth rate, and cost, for different materials of each layer. A semiconductor heterostructure prepared by a dual deposition process includes a buffer layer (2) formed on a substrate by MOCVD, and an epitaxial layer (4) formed on the buffer layer (2), the eptitaxial layer deposited by hydride vapor-phase deposition.

Abstract translation: 一种用于形成外延层（4）的方法包括通过第一沉积工艺在衬底（1）上沉积缓冲层（2），随后通过第二沉积工艺沉积外延层（4）。 通过使用这种双重过程，可以针对每层不同材料的性能，成长速率和成本优化第一和第二沉积工艺。 通过双沉积工艺制备的半导体异质结构包括通过MOCVD形成在衬底上的缓冲层（2）和形成在缓冲层（2）上的外延层（4），通过氢化物气相沉积沉积的顶点层。

公开(公告)号：TW200410322A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW091135385

申请日：2002-12-05

Applicant: CBL技術股份有限公司 CBL TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 格林‧所羅門 ,  大衛‧米勒

IPC: H01L

Abstract: 在此揭露一種製造無裂痕週期表第III族氮化物層體之方法。該方法藉由在一初始基底上成長一無裂痕之週期表第III族氮化物之第一層體來進行。接著，使第一層體之晶格與初始基底之晶格之間部分地至完全地喪失結合性。然後成長一第二層體，以構成一複合層體，而不使第一層體與初始基底分離，其中該複合層體包括第一層體及第二層體，且該第一層體係介於第二層體與初始基底之間。接著，初始基底可以與複合層體完全分離，以製造出獨立無裂痕之週期表第III族氮化物層體。

Abstract in simplified Chinese: 在此揭露一种制造无裂痕周期表第III族氮化物层体之方法。该方法借由在一初始基底上成长一无裂痕之周期表第III族氮化物之第一层体来进行。接着，使第一层体之晶格与初始基底之晶格之间部分地至完全地丧失结合性。然后成长一第二层体，以构成一复合层体，而不使第一层体与初始基底分离，其中该复合层体包括第一层体及第二层体，且该第一层体系介于第二层体与初始基底之间。接着，初始基底可以与复合层体完全分离，以制造出独立无裂痕之周期表第III族氮化物层体。

公开(公告)号：WO2004053965A1

公开(公告)日：2004-06-24

申请号：PCT/US2002/039135

申请日：2002-12-04

Applicant: CBL TECHNOLOGIES, INC

Inventor： SOLOMON, Glenn ,  MILLER, David

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B29/64 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/268

Abstract: A method for the production of crack-free Group III-Nitride layers is disclosed. The method proceeds by growing a crack-free first layer (502) of Group III-Nitride on a starting substrate (501). A partial to complete loss of coherency (504) is then achieved between a lattice of the first layer and a lattice of the starting substrate. A second layer (506) is grown to form a composite layer (507) that includes the first layer (502) and the second layer (506) such that the first layer is between the second layer (506) and the substrate (501). The starting substrate (501) may then be completely separated from the composite layer to produce the freestanding crack-free Group III-Nitride layer.

Abstract translation: 公开了生产无裂纹III-III族氮化物层的方法。 该方法通过在起始衬底（501）上生长III-氮化物的无裂纹第一层（502）而进行。 然后在第一层的晶格和起始衬底的晶格之间实现部分完全失去一致性（504）。 生长第二层（506）以形成包括第一层（502）和第二层（506）的复合层（507），使得第一层位于第二层（506）和衬底（501）之间， 。 然后可以将起始衬底（501）与复合层完全分离，以产生独立的无裂纹III-III族氮化物层。

公开(公告)号：WO0068472A8

公开(公告)日：2001-04-19

申请号：PCT/US0009998

申请日：2000-04-13

Applicant: CBL TECHNOLOGIES INC ,  MATSUSHITA ELECTRONICS CORP

Inventor： SOLOMON GLENN S ,  MILLER DAVID J ,  UEDA TETSUZO

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16

CPC classification number: C23C16/4582 ,  C23C16/45591 ,  C30B25/12

Abstract: A vapor-phase deposition system includes one or more channel units for promoting the downstream passage of reagent gases. A reactor (21) of a vapor-phase deposition system may include one or more channels (25) to promote passage of reagent gases (5) beneath a susceptor stage (33). A susceptor, for arrangement within a reactor during epitaxial growth on a substrate, may include a truncated side (35). The substrate may be aligned with a lower edge of the truncated side, thereby, avoiding chemical deposition on surfaces upstream of the substrate. One or more channels of the susceptor promote the downstream passage of reagent gases within the reactor. Methods for vapor-phase deposition and for promoting downstream passage of reagent gases within a reactor are also disclosed.

Abstract translation: 气相沉积系统包括用于促进反应气体的下游通过的一个或多个通道单元。 气相沉积系统的反应器（21）可以包括一个或多个通道（25），以促进基座台（33）下面的试剂气体（5）的通过。 用于在衬底外延生长期间在反应器内布置的感受体可以包括截顶侧（35）。 衬底可以与截顶侧的下边缘对准，从而避免在衬底上游的表面上的化学沉积。 基座的一个或多个通道促进反应器内的试剂气体的下游通过。 还公开了用于气相沉积和促进反应器内的试剂气体的下游通过的方法。

公开(公告)号：WO2011119195A3

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/US2010062610

申请日：2010-12-30

Applicant: CBL TECHNOLOGIES INC ,  SOLOMON GLENN S ,  MILLER DAVID J

Inventor： SOLOMON GLENN S ,  MILLER DAVID J

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10

Abstract: Hydride vapor-phase deposition (HVPE) systems are disclosed. An HVPE hydride vapor-phase deposition system may include a reactant source chamber and a growth chamber containing a susceptor coupled to the reactant source chamber. The reactant source chamber may be configured to create a reactant gas through a chemical reaction between a solid or liquid precursor and a different precursor gas. The reactant source chamber can be configured to operate at a temperature T(M) significantly above room temperature. The reactant gas can be chemically unstable at or near room temperature. The susceptor is configured to receive a substrate and maintain the substrate at a substrate temperature T(S). The growth chamber includes walls can be configured to operate at a temperature T(C) such that T(M), T(S) are greater than T(C).

Abstract translation: 公开了氢化物气相沉积（HVPE）系统。 HVPE氢化物气相沉积系统可以包括反应物源室和包含耦合到反应物源室的基座的生长室。 反应物源室可经配置以通过固体或液体前体与不同前体气体之间的化学反应产生反应气体。 反应物源室可以被配置为在明显高于室温的温度T（M）下操作。 反应物气体在室温或室温下可能化学不稳定。 基座构造成接收基板并将基板保持在基板温度T（S）。 生长室包括壁可被配置成在温度T（℃）下操作使得T（M），T（S）大于T（℃）。