公开(公告)号：WO2009156308A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/EP2009/057479

申请日：2009-06-16

Applicant: EPCOS AG ,  FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

Inventor： FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/141 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Auf einem Träger (1) werden übereinander eine Haftschicht (4), ein ASIC-Chip (2) und ein Sensorchip (3) angeordnet. Eine Interchipverbindung (5) ist für einen elektrischen Anschluss der Chips untereinander vorgesehen und ein ASIC-Anschluss (6) für einen elektrischen Anschluss der in dem ASIC-Chip integrierten Schaltung nach außen.

Abstract translation: 粘接层（4），ASIC芯片（2）和一个传感器芯片（3）被布置在支撑一个在另一个之上（1）。 对于彼此的芯片间连接（5）被设置用于（6），用于在集成电路中的ASIC芯片到外部的电连接的芯片的电连接和一个ASIC端口。

公开(公告)号：WO2009092361A3

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/DE2009/000073

申请日：2009-01-21

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

IPC: B81B7/00

Abstract: Es wird ein MEMS-Bauelement angegeben, das ein Substrat (1) aufweist, in dem wenigstens eine Kavität (2) vorhanden ist. Zu einer aktiven Seite des Substrats (1) hin ist die Kavität (2) verschlossen. Eine inaktive Seite ist gegenüber der aktiven Seite des Substrats (1) angeordnet, und das Substrat (1) ist auf der inaktiven Seite mit einer Abdeckfolie (3) bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Bauelements angegeben, das die folgenden Schritte aufweist. Im ersten Schritt werden Kavitäten (2) auf einem Substrat-Wafer (1) hergestellt, wobei die Kavitäten (2) zu einer aktiven Seite hin verschlossen sind und zu einer inaktiven Seite hin eine Öffnung aufweisen. In einem zweiten Schritt wird eine Abdeckfolie (3) auf die inaktive Seite des Substrat-Wafers (1) aufgebracht, wobei die Abdeckfolie (3) wenigstens im Bereich des Substrat-Wafers (1) zwischen den Kavitäten (2) mit dem Substrat-Wafer (1) verklebt ist.

公开(公告)号：WO2007054070A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/DE2006/001945

申请日：2006-11-06

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

IPC: B31B7/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R1/04 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Das erfindungsgemäße MEMS-Package ist auf einem mechanisch stabilen Trägersubstrat (TS) aufgebaut. Auf dessen Oberseite ist ein MEMS-Chip (MC) montiert. Ebenfalls auf oder über der Oberseite des Trägersubstrats ist zumindest ein Chipbauelement (CB) angeordnet. Eine metallische Schirmungsschicht (SL) überdeckt den MEMS-Chip und das Chipbauelement und schließt mit der Oberseite des Trägersubstrats ab.

Abstract translation: 本发明的MEMS封装构造的机械稳定的载体衬底上（TS）。 在其顶部的MEMS芯片安装（MC）。 同样在以上所述载体基片的顶部，芯片部件（CB）至少被设置。 覆盖MEMS芯片和芯片部件和金属屏蔽层（SL）是与所述支撑基板的上表面齐平。

公开(公告)号：WO2004066493A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：PCT/EP2003/014350

申请日：2003-12-16

Applicant: EPCOS AG ,  RUILE, Werner ,  ROESLER, Ulrike ,  WOLFF, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  SCHOLL, Gerd ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich

Inventor： RUILE, Werner ,  ROESLER, Ulrike ,  WOLFF, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  SCHOLL, Gerd ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02929 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/14538

Abstract: Für ein SAW-Bauelement, das auf einem piezoelektrischen Substrat (S) aufgebaut ist, wird zur Reduzierung der Verluste die Massenbelastung durch die Metallisierung (M) soweit erhöht, bis die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle unterhalb der Ausbreitungsgeschwindigkeit der schnellen Scherwelle zu liegen kommt. Um dabei die Erhöhung des Temperaturgangs in Grenzen zu halten, wird eine Metallisierung mit deutlich höherer spezifischer Dichte als Al verwendet. Parallel dazu wird der Temperaturgang des Bauelements durch eine im Wesentlichen ganzflächig aufgebrachte Kompensationsschicht (K) reduziert, die aus einem Material ausgewählt ist, das eine Temperaturabhängigkeit der elastischen Koeffizienten aufweist, die derjenigen der Kombination Substrat-Metallisierung entgegenwirkt.

Abstract translation: 为了使SAW器件，其被构造的压电基板（S）上，用于通过金属化减小质量负载的损失（M）增加，直到表面波的传播的速度到达位于所述快横波的传播速度的下方。 为了保持限度内的温度变化的增加，显著较高比重的金属化比被用于铝。 与此并行地，通过基本上整个表面上的部件的温度系数施加补偿层（K）减小时，其由具有弹性系数的温度依赖性的材料，其抵消该衬底金属化的组合中选择的。

公开(公告)号：WO2010089261A3

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/EP2010051113

申请日：2010-01-29

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL WOLFGANG ,  FEIERTAG GREGOR ,  LEIDL ANTON

Inventor： PAHL WOLFGANG ,  FEIERTAG GREGOR ,  LEIDL ANTON

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: The invention relates to a sensor module comprising a carrier (1), at least one sensor chip (3) and at least one evaluation chip (4) that is electrically coupled to the sensor chip (3). The carrier (1) has a recess (2) wherein the sensor chip (3) is at least partially located. The evaluation chip (4) is arranged on the carrier (1) and covers the recess (2) at least partially.

Abstract translation: 传感器模块，包括一支架（1），至少一个传感器芯片（3）和至少一个评估芯片（4），其被电耦合到传感器芯片（3）。 该载体（1）具有凹部（2），其中，所述传感器芯片（3）至少部分地位于。 评价芯片（4）被布置在所述载体（1）和所述凹部（2）上至少覆盖部分上。

公开(公告)号：WO2010089261A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/EP2010/051113

申请日：2010-01-29

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: Sensormodul, umfassend einen Träger (1), mindestens einen Sensorchip (3) und mindestens einen Auswertechip (4), der elektrisch an den Sensorchip (3) gekoppelt ist. Der Träger (1) weist eine Aussparung (2) auf, in der sich der Sensorchip (3) zumindest teilweise befindet. Der Auswertechip (4) ist auf dem Träger (1) angeordnet und deckt die Aussparung (2) zumindest teilweise ab.

Abstract translation: 传感器模块，包括一支架（1），至少一个传感器芯片（3）和至少一个评估芯片（4），其被电耦合到传感器芯片（3）。 该载体（1）具有凹部（2），其中，所述传感器芯片（3）至少部分地位于。 评价芯片（4）被布置在所述载体（1）和所述凹部（2）上至少覆盖部分上。

公开(公告)号：WO2006032335A8

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：PCT/EP2005008964

申请日：2005-08-18

Applicant: EPCOS AG ,  HAUSER MARKUS ,  KNAUER ULRICH ,  LEIDL ANTON ,  RIHA EVELYN ,  RIHA GERD ,  ROESLER ULRIKE ,  RUILE WERNER ,  RUPPEL CLEMENS ,  SCHOLL GERD ,  WOLFF ULRICH

Inventor： HAUSER MARKUS ,  KNAUER ULRICH ,  LEIDL ANTON ,  RIHA EVELYN ,  RIHA GERD ,  ROESLER ULRIKE ,  RUILE WERNER ,  RUPPEL CLEMENS ,  SCHOLL GERD ,  WOLFF ULRICH

IPC: H03H3/10 ,  H03H9/02 ,  H03H9/08

CPC classification number: H03H9/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/02984

Abstract: The invention relates to a component which functions with the aid of acoustic waves, and which combines various measures in order to lower the temperature path, in particular the resonance frequency. Said component comprises a piezoelectric substrate (PS) having a relatively thin thickness (dp) in the region of 5 50 times the wave length capable of expanding in the material. Electrically conductive component structures (BES) are provided on the top surface and on the lower side, a compensation layer (Ks) is mechanically connected to the substrate such that mechanical deformation occurs, or that a deformation is produced in the event of a change in temperature. A Si0 2 layer having a thickness of 5 20 % of the acoustic waves capable of expanding therein is arranged over the component structures (BES).

Abstract translation: 所以建议利用声波工作，它结合了各种措施，以降低在特定的谐振频率的温度响应。 该装置包括具有从5至50倍，在材料的波长中传播的范围内的相对小的厚度（DP）的压电基片（PS）。 在顶部导电部件结构是设置在底机械牢固地与基板，补偿层（KS）连接，该机械应力被创建，或当温度变化时，一个应力积聚（BES）。 关于组件结构（BES）在其繁殖轴的厚度的声学的5〜20％由SiO _{2 布置层。}

公开(公告)号：WO2006032335A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：PCT/EP2005/008964

申请日：2005-08-18

Applicant: EPCOS AG ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  RIHA, Evelyn ,  RIHA, Gerd ,  RÖSLER, Ulrike ,  RUILE, Werner ,  RUPPEL, Clemens ,  SCHOLL, Gerd ,  WOLFF, Ulrich

Inventor： HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  RIHA, Evelyn ,  RIHA, Gerd ,  RÖSLER, Ulrike ,  RUILE, Werner ,  RUPPEL, Clemens ,  SCHOLL, Gerd ,  WOLFF, Ulrich

IPC: H03H3/10

CPC classification number: H03H9/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/02984

Abstract: Es wird ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement vorgeschlagen, welches verschiedene Maßnahmen zur Absenkung des Temperaturgangs insbesondere der Resonanzfrequenz kombiniert. Das Bauelement weist ein piezoelektrisches Substrat (PS) auf, das eine relativ geringe Dicke (dp) im Bereich vom 5 bis 50-fachen der im Material ausbreitungsfähigen Wellenlänge aufweist. Auf der Oberseite sind elektrisch leitende Bauelementstrukturen (BES) vorgesehen, auf der Unterseite ist eine Kompensationsschicht (Ks) mechanisch fest so mit dem Substrat verbunden, dass eine mechanische Verspannung entsteht, oder dass bei Temperaturänderung sich eine Verspannung aufbaut. Über den Bauelementstrukturen (BES) ist eine SiO 2 -Schicht in einer Dicke von 5 bis 20 % der in ihr ausbreitungsfähigen akustischen Welle angeordnet.

Abstract translation: 所以建议利用声波工作，它结合了各种措施，以降低在特定的谐振频率的温度响应。 该装置包括具有从5至50倍，在材料的波长中传播的范围内的相对小的厚度（DP）的压电基片（PS）。 在顶部导电部件结构是设置在底机械牢固地与基板，补偿层（KS）连接，该机械应力被创建，或当温度变化时，一个应力积聚（BES）。 关于组件结构（BES）是由SiO <子

公开(公告)号：WO2012079988A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/EP2011/071422

申请日：2011-11-30

Applicant: EPCOS AG ,  GABL, Reinhard ,  LEIDL, Anton ,  PAHL, Wolfgang

Inventor： GABL, Reinhard ,  LEIDL, Anton ,  PAHL, Wolfgang

IPC: F02M51/06 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0533 ,  H01L41/0472 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/083 ,  H01L41/23 ,  H01L41/273 ,  Y10T29/42

Abstract: Ein Piezoaktuator mit Schutz vor Einflüssen der Umgebung umfasst einen Schichtstapel (1) aus piezoelektrischen Materialschichten (10) und dazwischen angeordneten Elektrodenschichten (20). Desweiteren umfasst der Piezoaktuator eine erste und zweite Materiallage (31, 32) aus jeweils einem Material, das beim Anlegen einer Spannung an die Elektrodenschichten (20) eine geringere Ausdehnung als die piezoelektrischen Materialschichten (10) aufweist, und eine Deckschicht (50) aus einem Material aus Metall. Der Schichtstapel (1) ist zwischen der ersten und zweiten Materiallage (31, 32) angeordnet. Die Deckschicht (50) umgibt den Schichtstapel (1) und ist auf die erste und zweite Materiallage (31, 32) aufgesputtert.

Abstract translation: 与从保护环境的影响的压电致动器包括由压电材料层（10）的层和电极层（20）之间布置在层堆叠（1）。 此外，所述压电致动器包括具有当电压（20）具有比所述压电材料层（10）的下部膨胀电极层各自的材料的第一和第二材料层（31，32），和覆盖层（50）由一 金属的材料。 层堆叠（1）是在第一和布置在所述第二材料层（31，32）之间。 外层（50）包围所述层堆叠（1），并通过溅射在第一和第二材料层（31，32）。

公开(公告)号：WO2009092361A2

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/DE2009000073

申请日：2009-01-21

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL WOLFGANG ,  FEIERTAG GREGOR ,  LEIDL ANTON

Inventor： PAHL WOLFGANG ,  FEIERTAG GREGOR ,  LEIDL ANTON

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/053 ,  H04R2201/003

Abstract: The invention relates to a MEMS component comprising a substrate (1) in which at least one cavity (2) is present. The cavity (2) is closed toward an active side of the substrate (1). An inactive side is disposed opposite the active side of the substrate (1), and the substrate (1) is covered by a covering film (3) on the inactive side. The invention further relates to a method for producing a MEMS component comprising the following steps. In the first step, cavities (2) are produced on a substrate wafer (1), wherein the cavities (2) are closed toward an active side and comprise an opening toward an inactive side. In a second step, a covering film (3) is applied to the inactive side of the substrate wafer (1), wherein the covering film (3) is glued to the substrate wafer (1) at least in the area of the substrate wafer (1) between the cavities (2).

Abstract translation: 本发明提供一种MEMS器件，包括衬底（1），其中，至少一个空腔（2）的存在。 到衬底（1）朝向所述空腔（2）的有源侧是封闭的。 非活动侧被相对地设置在基板（1）和所述衬底的所述有源侧（1）覆盖在非活动侧与盖（3）。 此外，提供了一种制造MEMS器件，其包括以下步骤的方法。 在第一步骤中空腔的基板晶片（1），其中所述空腔（2）被关闭以有源侧并且具有开口到非活动侧上产生（2）。 在第二个步骤中，覆盖箔（3）在所述衬底晶片（1）的非活动侧被施加，其中，所述覆盖膜（3）至少在腔（2）之间的基底晶片（1）的区域到所述衬底晶片 （1）粘接。