Abstract:
The invention relates to a method for producing a power semiconductor module (1), wherein a contact (40-43) is formed between a contact area (20-23) and a contact element (30-32) in the form of an ultrasound-welded contact, a sonotrode (50) used for the ultrasound welding process is also used for assembling the contact areas (20-23) with contact ends (33, 34) and, thereby for assembling contacts (40, 42) with base areas (F, F1-F3).
Abstract:
Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls (1) , bei welchem ein Kontakt (40 - 43) zwischen einem Kontaktbereich (20 - 23) und einem Kontaktelement (30 - 32) als Ultraschallschweißkontakt ausgebildet wird, indem eine Sonotrode (50), die für den Ultraschallschweißvorgang verwendet wird, auch zum Fügen der Kontaktbereiche (20 - 22) mit den Kontaktenden (33, 34) und mithin zum Fügen der Kontakte (40, 42) und der Fußbereiche (F, Fl - F3) verwendet wird.