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    Semiconductor module
    2.
    发明专利
    Semiconductor module 有权
    半导体模块

    公开(公告)号：JP2007266608A

    公开(公告)日：2007-10-11

    申请号：JP2007084527

    申请日：2007-03-28

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： REINHOLD BAYERER ,  STROTMANN GUIDO ,  DIRK FROEBUS ,  REINHOLD SPANKE

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module that is equipped with a current connection element designed to have a high current-carrying capacity. SOLUTION: A current connection element 100 consists of multiple metal layers 1, 2, and 3 that are laid so as to be in direct contact with each other. The element comprises one or more in-module contacts 101, 102, and 103 for connection to one or more interconnections or circuit carriers 130 and 131 or another chip 132 at an external connection 111 provided on an exterior A of a module and at an interior I of the module. To realize division of mechanical force exerted from outside and as a result of thermal expansion, the current connection element 100 has a deformable extension correction flexure D between the external connection 111 and the in-module contacts 101, 102, and 103. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种配备有设计成具有高载流能力的电流连接元件的半导体模块。 解决方案：电流连接元件100由放置成彼此直接接触的多个金属层1,2和3组成。 该元件包括用于连接到一个或多个互连或电路载体130和131的一个或多个模块内接触件101,102和103，或者在设置在模块的外部A上的外部连接111处的内部的另一个芯片132 我的模块 为了实现从外部施加的机械力的划分，并且由于热膨胀，电流连接元件100在外部连接111和模块内接触件101,102和103之间具有可变形的延伸校正挠曲D. 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

    Lötverfahren
    3.
    发明专利
    Lötverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102012202282A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：DE102012202282

    申请日：2012-02-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STROTMANN GUIDO ,  FROEMELT ACHIM

    IPC: B23K1/002

    Abstract: Es wird ein Lötverfahren bereitgestellt, bei dem eine Lötanlage mit wenigstens einer Heizkammer (211, 212, 213) ausgestattet ist. Die Heizkammer (211, 212, 213) umfasst eine Heizeinheit (250), die so betrieben werden kann, dass sie Energie bereitstellt. Bei dem Verfahren werden wenigstens zwei Sätze (50) von Komponenten (1, 2, 8) gelötet. Während des Lötprozesses werden die individuellen Temperaturen eines jeden der Sätze per Funksender (300) an eine Empfangs- und Steuereinheit (230) übertragen. Die Steuereinheit steuert die Heizeinheit (250) in Abhängigkeit von den übertragenen Temperaturen.

    Halbleitermodul
    4.
    发明专利
    Halbleitermodul 未知

    公开(公告)号：DE102006014582B4

    公开(公告)日：2011-09-15

    申请号：DE102006014582

    申请日：2006-03-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  STROTMANN GUIDO ,  FROEBUS DIRK ,  SPANKE REINHOLD

    IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

    Abstract: Halbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mindestens einem metallischen Stromverbindungselement (100; 100a, 100b), welches für einen Stromanschluss zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls und mit Schaltungsträgern (130, 131) und/oder Leiterbahnen im Inneren des Halbleitermoduls oder zur direkten Verbindung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement eingerichtet und von einem zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls führenden äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu einem oder mehreren modulinternen Kontaktabschnitten (101, 102, 103; 110) geführt ist und das wenigstens einen verformbaren Dehnungsbogen (D) aufweist, um den einen oder die mehreren modulinternen Kontaktabschnitte von auf das Halbleitermodul im Betrieb und/oder bei dessen Montage einwirkenden mechanischen Kräften zu entlasten, dadurch gekennzeichnet, dass – das Stromverbindungselement (100, 100a, 100b) als mehrlagiges Metallband ausgeführt ist, dessen Metalllagen (1, 2, 3, ..., n) wenigstens über einen Teil seiner Länge von dem äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu dem einen oder den mehreren modulinternen Kontaktabschnitt(en) (101, 102, 103; 110) entweder direkt oder...

    Kraftmessung und -regelung bei US-basierenden Prozessen
    6.
    发明专利
    Kraftmessung und -regelung bei US-basierenden Prozessen 未知

    公开(公告)号：DE102015101524A1

    公开(公告)日：2016-08-18

    申请号：DE102015101524

    申请日：2015-02-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STROTMANN GUIDO ,  BLEIKAMP SEBASTIAN ,  NEDDERMANN TILL

    IPC: B23K20/10

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung zur ultraschallbasierten Fertigung beschrieben. Gemäß einem Beispiel der Erfindung weist die Vorrichtung ein Schwingsystem auf mit zumindest einem Schallwandler zur Erzeugung einer Ultraschallschwingung, mit einer Sonotrode, über die im Betrieb die Ultraschallschwingung auf ein Werkstück übertragbar ist, und mit einem Booster, der den Schallwandler mit der Sonotrode mechanisch verbindet. Die Vorrichtung weist des Weiteren einen Rahmen auf, an dem das Schwingsystem derart gelagert ist, dass über den Rahmen eine Prozesskraft in das Schwingsystem eingeleitet werden kann. Zumindest ein Kraftsensor ist derart im Schwingsystem oder zwischen Rahmen und Schwingsystem angeordnet, dass die in das Schwingsystem eingeleitete Prozesskraft auf den Kraftsensor wirkt.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER STOFFSCHLÜSSIGEN VERBINDUNG UND EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS
    7.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER STOFFSCHLÜSSIGEN VERBINDUNG UND EINES LEISTUNGSHALBLEITERMODULS 未知

    公开(公告)号：DE102013215066A1

    公开(公告)日：2015-02-05

    申请号：DE102013215066

    申请日：2013-07-31

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STROTMANN GUIDO ,  NÜBEL THOMAS

    IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10 ,  H01L23/488 ,  H05K3/32

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen einem ersten Fügepartner (1) und einem zweiten Fügepartner (2). Es werden ein erster Fügepartner (1) und ein zweiter Fügepartner (2) bereitgestellt, sowie eine Sonotrode (6). Auf einer Oberfläche (2t) des zweiten Fügepartners (2) wird eine Bondstelle festgelegt. Zwischen dem ersten Fügepartner (1) und dem zweiten Fügepartner (2) wird eine stoffschlüssige Ultraschall-Bondverbindung hergestellt, indem die mit einer Ultraschallfrequenz hin und her schwingende oder hin und her rotierende Sonotrode (6) den ersten Fügepartner (1) an der Bondstelle gegen den zweiten Fügepartner (2) presst, wobei ein Normalenvektor (n), der an der Bondstelle senkrecht zu der Oberfläche (2t) in Richtung der Sonotrode (6) verläuft, von der Richtung der Schwerkraft (g) um einen Winkel (&phgr;) von weniger als 90° abweicht.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102005045100A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：DE102005045100

    申请日：2005-09-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KEMPER ALFRED ,  STROTMANN GUIDO

    IPC: H01L21/607 ,  H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

    Abstract: A method for producing a power semiconductor module including forming a contact between a contact region and a contact element as an ultrasonic welding contact via a sonotrode. The ultrasonic welding operation also being used for joining the contact regions with the contact ends and consequently for joining the contacts and the foot regions.

    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
    9.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102012215055B4

    公开(公告)日：2022-03-24

    申请号：DE102012215055

    申请日：2012-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung, umfassend die Schritte:Bereitstellen eines dielektrischen Isolationsträgers (20), der eine ebene Oberseite (20t) aufweist, sowie eine auf der Oberseite (20t) angeordnete obere Metallisierungsschicht (21);Bereitstellen eines Halbleiterchips (1);Verbinden des Halbleiterchips (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) mittels einer Verbindungsschicht (4), die zwischen dem Halbleiterchip (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) angeordnet wird, wobei die Verbindungsschicht (4) durch Diffusionslöten oder Sintern hergestellt wird;Bereitstellen einer Anzahl von N ≥ 1 elektrisch leitender, gerader Kontaktpins (3), von denen ein jeder ein erstes Ende (31) sowie ein dem ersten Ende entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist;für jeden der Kontaktpins (3): Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der oberen Metallisierungsschicht (21) und dem ersten Ende (31), wobei das Material des Kontaktpins (3) in unmittelbaren physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (21) gebracht und das erste Ende (31) senkrecht zur Oberseite (20t) unmittelbar an die obere Metallisierungsschicht (21) geschweißt wird, wobei das zweite Ende (32) des Kontaktpins (3) aus einem Modulgehäuse (9) herausgeführt wird.

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