PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES

    公开(公告)号:IL201475D0

    公开(公告)日:2010-05-31

    申请号:IL20147509

    申请日:2009-10-12

    Abstract: A hybrid probe design is presented that includes a torsion element and a bending element. These elements allow the probe to store the displacement energy as torsion or as bending. The probe includes a base, a torsion element, a bending element, and a tip. The probe elastically deforms to absorb the displacement energy as the probe tip contacts the DUT contact pad. The bending element absorbs some of the displacement energy through bending. Because the torsion element and the bending element join at an angle, a portion of the displacement energy is transferred to the torsion element causing it to twist (torque). The torsion element can also bend to accommodate the storage of energy through torsion and bending. Adjusting the position of a pivot can alter the probe's energy absorption characteristics. One or more additional angular elements may be added to change the energy absorption characteristics of the probe.

    PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES

    公开(公告)号:IL201475A

    公开(公告)日:2013-03-24

    申请号:IL20147509

    申请日:2009-10-12

    Abstract: A hybrid probe design is presented that includes a torsion element and a bending element. These elements allow the probe to store the displacement energy as torsion or as bending. The probe includes a base, a torsion element, a bending element, and a tip. The probe elastically deforms to absorb the displacement energy as the probe tip contacts the DUT contact pad. The bending element absorbs some of the displacement energy through bending. Because the torsion element and the bending element join at an angle, a portion of the displacement energy is transferred to the torsion element causing it to twist (torque). The torsion element can also bend to accommodate the storage of energy through torsion and bending. Adjusting the position of a pivot can alter the probe's energy absorption characteristics. One or more additional angular elements may be added to change the energy absorption characteristics of the probe.

    PROBE CARD ASSEMBLY
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:SG168518A1

    公开(公告)日:2011-02-28

    申请号:SG2010095412

    申请日:2006-11-30

    Abstract: A probe card assembly (300) has a probe contactor substrate (310) having a plurality of probe contactor tips (395) thereon and a probe card wiring board (330) with an interposer (340) disposed between the two. Support posts (320) contacting the probe contactor substrate are vertically adjustable until secured by a locking mechanism (380) which is coupled to the probe card wiring board. When the posts are secured in a fixed position, the position is one in which the plane of the plurality of probe contactor substrates is substantially parallel to a predetermined reference plane.

    扭力彈簧探針接觸器設計 TORSION SPRING PROBE CONTACTOR DESIGN
    4.
    发明专利
    扭力彈簧探針接觸器設計 TORSION SPRING PROBE CONTACTOR DESIGN 审中-公开
    扭力弹簧探针接触器设计 TORSION SPRING PROBE CONTACTOR DESIGN

    公开(公告)号:TW200707461A

    公开(公告)日:2007-02-16

    申请号:TW094146665

    申请日:2005-12-27

    CPC classification number: G01R1/06727 G01R1/06738 G01R3/00

    Abstract: 本發明係關於一種探針,用以和一微電子裝置上之接觸觸點產生電連接。一足部連接至一基板,該足部具有一長度、一厚度、一寬度、一近端、以及一遠端。該足部的長度大於其寬度。一扭桿,其具有一長度、一寬度、一厚度、一近端、以及一遠端,該扭桿於其近端處連接至該足部的遠端。該扭桿係座落在第一平面中。一分隔體,其具有一長度、一寬度、以及一厚度,其係被連接至該扭桿的遠端。一臂部,其具有一長度、一寬度、一厚度、一近端、以及一遠端,該臂部會於其近端處被連接至該分隔體。該臂部係座落在第二平面中,且該第二平面係位在不同於該第一平面的平面中。一第一支柱,其具有一頂端側與一底部側,其會在靠近該臂部的遠端處連接至該臂部。一尖端,其電連接至該支柱的頂端側。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种探针,用以和一微电子设备上之接触触点产生电连接。一足部连接至一基板,该足部具有一长度、一厚度、一宽度、一近端、以及一远程。该足部的长度大于其宽度。一扭杆,其具有一长度、一宽度、一厚度、一近端、以及一远程,该扭杆于其近端处连接至该足部的远程。该扭杆系座落在第一平面中。一分隔体,其具有一长度、一宽度、以及一厚度,其系被连接至该扭杆的远程。一臂部,其具有一长度、一宽度、一厚度、一近端、以及一远程,该臂部会于其近端处被连接至该分隔体。该臂部系座落在第二平面中,且该第二平面系位在不同于该第一平面的平面中。一第一支柱,其具有一顶端侧与一底部侧,其会在靠近该臂部的远程处连接至该臂部。一尖端,其电连接至该支柱的顶端侧。

    用於測試半導體元件之合成探針 HYBRID PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES
    5.
    发明专利
    用於測試半導體元件之合成探針 HYBRID PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
    用于测试半导体组件之合成探针 HYBRID PROBE FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICES

    公开(公告)号:TW200844451A

    公开(公告)日:2008-11-16

    申请号:TW097111935

    申请日:2008-04-02

    IPC: G01R H01L

    CPC classification number: G01R1/06733 G01R1/06727 G01R3/00

    Abstract: 一種用於測試半導體元件之合成探針,係包含一扭力構件以及一彎曲構件,該等構件允許該探針以扭力式或彎曲式方式儲存該位移能量;該創新合成探針包含一探針基座、一扭力構件、一彎曲構件、以及一探針尖端,當該探針尖端接觸該DUT接觸焊墊時,該探針彈性地形變以吸收該位移能量,該彎曲構件藉由彎曲吸收部分該位移能量;因為該扭力構件以及該彎曲構件以一角度聚合,該位移能量之一部分轉移至該扭力構件造成其扭曲(扭力),該扭力構件亦可彎曲以藉由扭曲以及彎曲儲存能量,而且調整一樞紐之位置可以運用以改變該探針之能量吸收特徵;一或多個附加有角構件亦可增加以改變該探針之能量吸收特徵,而且該扭力及/或彎曲構件之該轉動慣量亦可運用以達成該預設探針特徵。

    Abstract in simplified Chinese: 一种用于测试半导体组件之合成探针,系包含一扭力构件以及一弯曲构件,该等构件允许该探针以扭力式或弯曲式方式存储该位移能量;该创新合成探针包含一探针基座、一扭力构件、一弯曲构件、以及一探针尖端,当该探针尖端接触该DUT接触焊垫时,该探针弹性地形变以吸收该位移能量,该弯曲构件借由弯曲吸收部分该位移能量;因为该扭力构件以及该弯曲构件以一角度聚合,该位移能量之一部分转移至该扭力构件造成其扭曲(扭力),该扭力构件亦可弯曲以借由扭曲以及弯曲存储能量,而且调整一枢纽之位置可以运用以改变该探针之能量吸收特征;一或多个附加有角构件亦可增加以改变该探针之能量吸收特征,而且该扭力及/或弯曲构件之该转动惯量亦可运用以达成该默认探针特征。

    PROBE CARD ASSEMBLY
    6.
    发明申请
    PROBE CARD ASSEMBLY 审中-公开
    探索卡大会

    公开(公告)号:WO2007078493A1

    公开(公告)日:2007-07-12

    申请号:PCT/US2006/045870

    申请日:2006-11-30

    CPC classification number: G01R3/00 G01R1/07378 Y10T29/53243

    Abstract: A probe card assembly (300) has a probe contactor substrate (310) having a plurality of probe contactor tips (395) thereon and a probe card wiring board (330) with an interposer (340) disposed between the two. Support posts (320) contacting the probe contactor substrate are vertically adjustable until secured by a locking mechanism (380) which is coupled to the probe card wiring board. When the posts are secured in a fixed position, the position is one in which the plane of the plurality of probe contactor substrates is substantially parallel to a predetermined reference plane.

    Abstract translation: 探针卡组件(300)具有在其上具有多个探针接触器尖端(395)的探针接触器基板(310)和设置在两者之间的插入件(340)的探针卡布线板(330)。 与探针接触器基板接触的支撑柱(320)可垂直调节,直到通过联接到探针卡布线板的锁定机构(380)固定。 当柱固定在固定位置时,位置是多个探针接触器基板的平面基本上平行于预定参考平面的位置。

    用以修復微機電系統的器件及方法 A DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM
    7.
    发明专利
    用以修復微機電系統的器件及方法 A DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM 审中-公开
    用以修复微机电系统的器件及方法 A DEVICE AND METHOD FOR REPAIRING A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM

    公开(公告)号:TW200918447A

    公开(公告)日:2009-05-01

    申请号:TW097111936

    申请日:2008-04-02

    IPC: B81C H01L

    Abstract: 一種用以修復微機電系統的器件及方法,係揭露一種新穎的用以修復MEMS系統(包括供半導體測試使用的探針卡)的器件及方法;在本發明之一個實施例中,一探針卡伴隨一診斷電腦使用,以測試半導體晶圓,包含:一基板;複數個作業探針,連接於該基板,其中該複數個作業探針經配接而與該診斷電腦做電性連接;及複數個替換探針,連接於該基板,其中該複數個作業探針和該複數個替換探針係以實質上相同的製程所建構。本發明也揭露一種新穎的可修復的探針卡。具體而言,係一探針卡伴隨一診斷電腦使用,以測試半導體晶圓,該探針卡包含:一基板;及複數個作業探針,連接於該基板,其中該複數個作業探針經配接而與該診斷電腦做電性連接,且其中該複數個作業探針包含一藉施電壓致動的犧牲層。本發明也揭露一種用以從一探針卡移除一毀壞的探針的方法。該方法從一探針卡移除一毀壞的探針,而該探針卡係包含複數個連接於一基板的作業探針,且該複數個作業探針包含該毀壞的探針及一藉施電壓致動的犧牲層。該方法包含:驗明毀壞的探針;施加電壓於該毀壞的探針;將該毀壞的探針曝露於一蝕刻溶液;及從該探針卡移除該毀壞的探針。本發明另揭露一種用以從一探針卡修復一毀壞的探針的方法。該方法從一探針卡修復一毀
    壞的探針,而該探針卡包含複數個連接於一基板的作業探針及複數個連接於該基板的替換探針,其中該複數個作業探針和該複數個替換探針係由實質上相同的製程所建構。該方法包含步驟:驗明毀壞的作業探針;從該探針卡移除該毀壞的作業探針;從該基板分離出該複數個替換探針其一;及將從該複數個替換探針分離出的一個探針裝設在該毀壞的作業探針被移除處;本發明揭露若干對此等器件及方法的改良。

    Abstract in simplified Chinese: 一种用以修复微机电系统的器件及方法,系揭露一种新颖的用以修复MEMS系统(包括供半导体测试使用的探针卡)的器件及方法;在本发明之一个实施例中,一探针卡伴随一诊断电脑使用,以测试半导体晶圆,包含:一基板;复数个作业探针,连接于该基板,其中该复数个作业探针经配接而与该诊断电脑做电性连接;及复数个替换探针,连接于该基板,其中该复数个作业探针和该复数个替换探针系以实质上相同的制程所建构。本发明也揭露一种新颖的可修复的探针卡。具体而言,系一探针卡伴随一诊断电脑使用,以测试半导体晶圆,该探针卡包含:一基板;及复数个作业探针,连接于该基板,其中该复数个作业探针经配接而与该诊断电脑做电性连接,且其中该复数个作业探针包含一藉施电压致动的牺牲层。本发明也揭露一种用以从一探针卡移除一毁坏的探针的方法。该方法从一探针卡移除一毁坏的探针,而该探针卡系包含复数个连接于一基板的作业探针,且该复数个作业探针包含该毁坏的探针及一藉施电压致动的牺牲层。该方法包含:验明毁坏的探针;施加电压于该毁坏的探针;将该毁坏的探针曝露于一蚀刻溶液;及从该探针卡移除该毁坏的探针。本发明另揭露一种用以从一探针卡修复一毁坏的探针的方法。该方法从一探针卡修复一毁 坏的探针,而该探针卡包含复数个连接于一基板的作业探针及复数个连接于该基板的替换探针,其中该复数个作业探针和该复数个替换探针系由实质上相同的制程所建构。该方法包含步骤:验明毁坏的作业探针;从该探针卡移除该毁坏的作业探针;从该基板分离出该复数个替换探针其一;及将从该复数个替换探针分离出的一个探针装设在该毁坏的作业探针被移除处;本发明揭露若干对此等器件及方法的改良。

    形成微結構的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES
    8.
    发明专利
    形成微結構的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES 失效
    形成微结构的方法 PROCESS FOR FORMING MICROSTRUCTURES

    公开(公告)号:TWI291452B

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:TW094143810

    申请日:2005-12-12

    IPC: B81C

    Abstract: 本發明與在基板上形成微結構的方法相關。施加一個電鍍表面於基板上。第一光阻層施加在電鍍基材之上。第一光阻層以一個輻射線圖案暴露,以提供在第一圖案內可溶解的第一光阻層。除去可溶解光阻,然後電鍍第一層主要金屬在除去第一光阻層的區域上。然後除去剩餘的光阻部分,並且施加第二光阻層在電鍍基材以及第一層主要金屬上。第二光阻層然後暴露於第二輻射圖案,以使得光阻可溶解並且除去可溶解的光阻。第二圖案是一個圍繞主要結構的區域,但是它不包含整個基板。相反地它是圍繞主要金屬的一個島。然後機械加工次要金屬的暴露表面到主要金屬要求的一個高度。次要金屬然後被蝕刻掉。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明与在基板上形成微结构的方法相关。施加一个电镀表面于基板上。第一光阻层施加在电镀基材之上。第一光阻层以一个辐射线图案暴露,以提供在第一图案内可溶解的第一光阻层。除去可溶解光阻,然后电镀第一层主要金属在除去第一光阻层的区域上。然后除去剩余的光阻部分,并且施加第二光阻层在电镀基材以及第一层主要金属上。第二光阻层然后暴露于第二辐射图案,以使得光阻可溶解并且除去可溶解的光阻。第二图案是一个围绕主要结构的区域,但是它不包含整个基板。相反地它是围绕主要金属的一个岛。然后机械加工次要金属的暴露表面到主要金属要求的一个高度。次要金属然后被蚀刻掉。

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