公开(公告)号：KR1020100089635A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor device is provided to increase the internal quantum efficiency by minimizing overflow of charge. CONSTITUTION: An n-type clad layer(430) is formed on a substrate(410). An active layer(440) is formed on the n-type clad layer. The active layer forms a quantum well structure by alternatively laminating a quantum-well layer(441) and a barrier layer(442). The p-type cladding layer(450) is formed on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体器件以通过最小化电荷的溢出来增加内部量子效率。 构成：在衬底（410）上形成n型覆盖层（430）。 在n型覆盖层上形成有源层（440）。 有源层通过交替层叠量子阱层（441）和阻挡层（442）形成量子阱结构。 p型覆层（450）形成在有源层上。

公开(公告)号：KR101043345B1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 전하의 오버플로우를 최소화하여 내부양자효율을 증가시키고, 동작전압을 낮춰 고휘도 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 활성층은 양자 우물층층과 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루며, 배리어층 중 적어도 하나는 질화물 반도체 초격자(superlattice)로 이루어진다.
MQW, 초격자, LED, 오버플로우, 내부양자효율

公开(公告)号：KR1020100095834A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：KR1020090014841

申请日：2009-02-23

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 신흥수 ,  강필근 ,  송근만 ,  김창주

IPC: H01L33/64

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode is provided to improve the heat discharging efficiency by gap-filling a substrate-hole with a heat discharging layer made of conductive materials. CONSTITUTION: One or more substrate-holes are formed on the rear of a substrate. A heat discharging layer(180) is formed inside the substrate-hole and is made of conductive materials. An n type clad layer is formed on the substrate. An active layer(140) is formed on the n type clad layer. A p type clad layer is formed on the active layer. A buffer layer(120) is formed between the substrate and the n type clad layer. A buffer layer-hole connected to the substrate-hole is formed on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管，以通过用导电材料制成的放热层间隙填充基板孔来提高散热效率。 构成：在衬底的后部形成一个或多个衬底孔。 在基板孔内形成放热层（180），并由导电材料制成。 在基板上形成n型覆盖层。 在n型覆盖层上形成有源层（140）。 在有源层上形成p型覆盖层。 在衬底和n型覆盖层之间形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成与基板孔连接的缓冲层孔。