公开(公告)号：KR1020100089635A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor device is provided to increase the internal quantum efficiency by minimizing overflow of charge. CONSTITUTION: An n-type clad layer(430) is formed on a substrate(410). An active layer(440) is formed on the n-type clad layer. The active layer forms a quantum well structure by alternatively laminating a quantum-well layer(441) and a barrier layer(442). The p-type cladding layer(450) is formed on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体器件以通过最小化电荷的溢出来增加内部量子效率。 构成：在衬底（410）上形成n型覆盖层（430）。 在n型覆盖层上形成有源层（440）。 有源层通过交替层叠量子阱层（441）和阻挡层（442）形成量子阱结构。 p型覆层（450）形成在有源层上。

公开(公告)号：KR101068173B1

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 윈도우층의 산화를 방지하고, 캡층 제조시 윈도우층이 식각되지 않는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 기판 상에 형성되며 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, 광전 변환셀 상에 형성되며 알루미늄을 포함한 화합물 반도체로 이루어진 제1 윈도우층(window layer)과, 제1 윈도우층 상에 형성되며 내산화성을 갖는 물질로 이루어진 제2 윈도우층과, 제2 윈도우층 상에 형성되는 캡층(cap layer)과, 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 캡층 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다. 그리고 제2 윈도우층은 캡층과 서로 다른 식각 선택비(etch selectivity)를 갖는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明涉及防止窗层氧化并且在盖层制造期间不蚀刻窗口层的太阳能电池。 根据本发明的太阳能电池包括：光电转换单元，形成在基板上并将光信号转换为电信号;第一窗口层，形成在光电转换单元上并由含有铝的化合物半导体制成; 第二窗口层，其形成在第一窗口层上并由具有抗氧化性的材料制成;盖层，其形成在第二窗口层上;下部电极，其形成在衬底的下部上; 设置有电极。 并且第二窗口层由与盖层具有不同蚀刻选择性的材料制成。

公开(公告)号：KR1020110081387A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：KR1020100001528

申请日：2010-01-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  박상혁 ,  김창주 ,  박용민 ,  신현범 ,  신흥수 ,  강호관 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/306

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A solar cell having window layer with oxidation resistance is provided to implement a window with desired thickness by allowing a second window and a cap to have different etch selectivity to prevent the second window from being etched. CONSTITUTION: In a solar cell having window layer with oxidation resistance, a photovoltatic conversion cell(720) is formed on a substrate and converts an optical signal into an electrical signal. A first window layer(731) is formed on the photovoltatic conversion cell and is comprised of a compound semiconductor containing aluminum. A second window layer(732) is formed on the first window and is made of a fire resistance material. The cap layer is formed on the second window layer. The top electrode is formed on the bottom electrode and the cap layer. The second window layer has a different etch selectivity from the cap layer.

Abstract translation: 目的：提供具有耐氧化性的窗口层的太阳能电池，以通过允许第二窗口和盖具有不同的蚀刻选择性以防止第二窗口被蚀刻来实现具有期望厚度的窗口。 构成：在具有耐氧化窗口的太阳能电池中，在基板上形成光电转换元件（720），并将光信号转换为电信号。 第一窗口层（731）形成在光电转换单元上，并由包含铝的化合物半导体构成。 在第一窗口上形成第二窗口层（732）并由耐火材料制成。 盖层形成在第二窗口层上。 顶部电极形成在底部电极和盖层上。 第二窗口层具有与盖层不同的蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR101043345B1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 전하의 오버플로우를 최소화하여 내부양자효율을 증가시키고, 동작전압을 낮춰 고휘도 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 활성층은 양자 우물층층과 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루며, 배리어층 중 적어도 하나는 질화물 반도체 초격자(superlattice)로 이루어진다.
MQW, 초격자, LED, 오버플로우, 내부양자효율

公开(公告)号：KR101043343B1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：KR1020080136539

申请日：2008-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  신흥수 ,  장민철

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 본 발명은 네거티브 포토레지스트를 이용하여 에어브릿지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에어브릿지 제조방법은 기판 상에 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에 복수의 하부 전극이 함께 덮이도록 네거티브 포토레지스트로 이루어진 제1감광막을 도포한다. 그리고 적어도 2개의 하부 전극 표면이 노출되도록 제1감광막을 패터닝한 후, 패터닝된 제1감광막의 측벽이 포지티브 슬로프를 갖도록, 제1감광막을 하드 베이킹한다. 그리고 포지티브 슬로프를 갖는 제1감광막 상에 금속 시드층을 형성하고, 금속 시드층 상에 제2감광막을 형성한 후, 제2감광막을 패터닝한다. 그리고 시드 금속층 상에 전도성 물질을 증착하여 에어브릿지를 형성하고, 제1감광막, 제2감광막 및 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거한다.
에어브릿지, 네거티브 포토레지스트, 하드 베이킹, 아세톤, 포지티브 슬로프

公开(公告)号：KR1020100095834A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：KR1020090014841

申请日：2009-02-23

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 신흥수 ,  강필근 ,  송근만 ,  김창주

IPC: H01L33/64

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode is provided to improve the heat discharging efficiency by gap-filling a substrate-hole with a heat discharging layer made of conductive materials. CONSTITUTION: One or more substrate-holes are formed on the rear of a substrate. A heat discharging layer(180) is formed inside the substrate-hole and is made of conductive materials. An n type clad layer is formed on the substrate. An active layer(140) is formed on the n type clad layer. A p type clad layer is formed on the active layer. A buffer layer(120) is formed between the substrate and the n type clad layer. A buffer layer-hole connected to the substrate-hole is formed on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管，以通过用导电材料制成的放热层间隙填充基板孔来提高散热效率。 构成：在衬底的后部形成一个或多个衬底孔。 在基板孔内形成放热层（180），并由导电材料制成。 在基板上形成n型覆盖层。 在n型覆盖层上形成有源层（140）。 在有源层上形成p型覆盖层。 在衬底和n型覆盖层之间形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成与基板孔连接的缓冲层孔。

公开(公告)号：KR1020100078312A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080136539

申请日：2008-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  신흥수 ,  장민철

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28194 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70475 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3205

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an air-bridge using a negative photo-resist is provided to economically manufacture the air-bridge by simply removing a first photo-resist film, a second photo-resist film, and a metal seed layer through one process. CONSTITUTION: A first photo-resist, which is composed of a negative photo-resist, is applied on a substrate. The first photo-resist film is pattered to expose the surface of at least two lower electrodes(321, 325). The first photo-resist film is hard-baked. A metal seed layer(340) is formed on the first photo-resist film including a positive slope. A second photo-resist film is formed on the metal seed layer. The second photo-resist film is patterned. An air-bridge is formed on the metal seed layer by depositing a conductive material. The metal seed layer is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种使用负光致抗蚀剂制造空气桥的方法，通过简单地通过一个方法去除第一光致抗蚀剂膜，第二光致抗蚀剂膜和金属种子层来经济地制造空气桥 。 构成：将由负光致抗蚀剂构成的第一光致抗蚀剂施加在基板上。 第一光致抗蚀剂膜被图案化以暴露至少两个下电极（321,325）的表面。 第一光致抗蚀膜被硬烘烤。 在包括正斜率的第一光致抗蚀剂膜上形成金属种子层（340）。 在金属种子层上形成第二光致抗蚀剂膜。 第二光刻胶膜被图案化。 通过沉积导电材料在金属籽晶层上形成空气桥。 去除金属种子层。