-
公开(公告)号：WO2016085169A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/012205
申请日：2015-11-13
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓盖层，其中通过调节所述四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶面的方式，在所述四氮化物层的顶端形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
-
2.发明授权디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이 有权用于制造小型显示的氮化物系发光二极管阵列的微型显示器和基于氮化物的发光二极管阵列的生产方法，从而
公开(公告)号：KR101721846B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150190001
申请日：2015-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이에관한것으로서, GaN 기판상에유전체마스크층을형성하는제1단계와, 상기유전체마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는패턴홀이구비된나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴의패턴홀에의해일부영역이노출된상기 GaN 기판상에 n-GaN 층을선택적으로성장시킨후, 활성층및 p-GaN 층을순차적으로선택적으로성장시켜, 상기패턴홀당 하나의단위 LED구조체를형성하는제3단계와, 상기 GaN 기판상에 n형전극을형성하고, 상기단위 LED구조체사이에산화물을증착하는제4단계및 상기 p-GaN 층상에 p형전극을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이를기술적요지로한다. 이에의해, 질화물계반도체를기반으로한 선택적성장을통하여단위 LED구조체를기판전면에배열시킨초소형발광다이오드어레이를제조할수 있으며, 기존의탑다운(top-down) 방식이아닌바텀업(bottom-up) 방식으로간단하고쉬운공정으로 LED를제조할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明进行图案化以，在GaN衬底上形成介电掩模层的第一步骤，该介电掩模层涉及所显示的微型氮化物系发展光电二极管阵列的制造方法和由此的氮化物发展光电二极管阵列 形成具有用于在GaN衬底上暴露所述GaN衬底的一部分，并且选择性地生长在n-GaN层的图案孔的纳米图案的第二步骤中，一些区域由纳米图案的图案孔露出 然后选择性地生长有源层和在序列中的p-GaN层，并且形成每个孔的图案的单元的LED的结构，以及形成在GaN衬底上的n型电极的第三步骤，和单元LED结构之间 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述p型GaN层上形成p型电极， 以及用于通过他制造成技术基础的集成开发氮化光电二极管阵列的显示器。 其结果，并可以通过选择性生长产生氮化物的一个是基于半导体单元的LED结构，其中所述阵列基板非常小的发光二极管阵列的前部，一个常规的自顶向下（自上而下）方法自下而上（自下而上，不 ）方法，以简单和容易的工艺制造LED是有利的。
-
公开(公告)号：KR1020160053463A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01S5/509 , H01S5/141 , H01S5/5054
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波长转换装置及其制造方法。 根据本发明的波长转换装置包括：第一型氮化物半导体块，其是包括四种类型的包括Ga和N并且沿第一方向极化的元素的氮化物半导体; 以及第二氮化物半导体块，其是包含与第一氮化物半导体块接触的包括Ga和N的四种元素的氮化物半导体，并且在与第一氮化物半导体块的偏振方向相反的第二方向上极化 。 第二氮化物半导体块与第一氮化物半导体块的侧面接触以形成交叉偏振结构。 从入射到第一氮化物半导体块上的入射光产生二次谐波，以透过第一氮化物半导体块和第二氮化物半导体块。 因此，本发明的波长转换装置可以通过形成极化在与通过InAlGaN系氮化物半导体的光的行进方向正交的方向上交替变化的结构（交叉极化结构）来实现准相位匹配， 可以通过在更宽的波长范围内产生二次谐波来产生UV激光。
-
公开(公告)号：KR1020130070931A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138207
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof form a MgxNy layer on a first p-type 3 group nitride layer, obtaining a nitride semiconductor having a high hole concentration. CONSTITUTION: A first p-type 3 group nitride layer (150) is located on an n-type 3 group nitride layer (130). A MQW (Multiple Quantum Well) (140) comprises an active layer. The active layer is formed between the n-type 3group nitride layer and the first p-type 3 group nitride layer. A MgxNy layer (160) is formed on the upper side of the first p-type 3 group nitride layer. A second p-type 3 group nitride layer (170) is formed on the upper side of the MgxNy layer.
Abstract translation: 目的：一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，其在第一p型3族氮化物层上形成Mg x N y层，得到具有高空穴浓度的氮化物半导体。 构成：第一p型3族氮化物层（150）位于n型3族氮化物层（130）上。 MQW（多量子阱）（140）包括有源层。 有源层形成在n型3组氮化物层和第一p型3族氮化物层之间。 在第一p型3族氮化物层的上侧形成有Mg x N y层（160）。 第二p型3族氮化物层（170）形成在Mg x N y层的上侧。
-
公开(公告)号：KR1020130053121A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: PURPOSE: A method for growing a nitride semiconductor with high quality and a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device using the same are provided to reduce manufacturing costs by manufacturing a vertical LED without a surface texturing process. CONSTITUTION: A dielectric mask layer(20) is formed on a substrate(10) or a thin film. A polymer layer is formed on the dielectric mask layer. A pattern layer made of resins or metal organic precursors is formed on the polymer layer. The polymer layer is etched on the lower side of the pattern layer by a dry etching process. A pattern of the dielectric mask layer is formed to expose a part of the substrate or the thin film. The polymer layer and the pattern layer are removed from the upper side of the pattern of the dielectric mask layer. A nitride semiconductor layer(60) is laterally grown on the upper side of the partially exposed substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生长具有高质量的氮化物半导体的方法和使用其的氮化物半导体发光器件的制造方法，以通过制造没有表面纹理化处理的垂直LED来降低制造成本。 构成：在基板（10）或薄膜上形成介电掩模层（20）。 在介电掩模层上形成聚合物层。 在聚合物层上形成由树脂或金属有机前体制成的图案层。 通过干式蚀刻工艺在聚合物层的下侧蚀刻聚合物层。 形成介电掩模层的图案以暴露基板或薄膜的一部分。 聚合物层和图案层从电介质掩模层的图案的上侧去除。 氮化物半导体层（60）在部分曝光的衬底的上侧横向生长。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101962201B1
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：KR1020170073323
申请日：2017-06-12
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/02
-
公开(公告)号：KR1020170074296A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
Abstract translation: 氮化物半导体发光器件及其制造方法本发明涉 制造氮化物半导体发光根据本发明的发光器件中，形成在所述基板的上表面上的金属层之后，形成具有开口的金属层和上暴露所述金属层的预定区域中的预定图案的掩模层的方法; 在掩模层中的开口中形成多个n型氮化物纳米棒结构; 对所述多个正氮化物纳米棒结构的n型包覆层，以形成层叠的多量子阱结构或者多量子阱盘同轴结构，并包括有源层，进而在p型覆层; 在p型覆层上形成p氮化物至预定高度; 去除掩模层以暴露金属层; 在暴露的金属层的表面和多个纳米棒结构之间的空间中填充和固化绝缘材料; 并且在多个纳米结构结构和绝缘材料的顶表面上形成金属接触层，并在金属接触层上形成电极。 这样，根据本发明，通过在金属层或形成在基板上的金属材料制成的基板上形成氮化物纳米棒结构的发光元件，并且可以容易地形成光的光发射的正电极的发光元件汉王信浓 光提取效率可以通过棒下的金属层或金属衬底的反射来改善。
-
公开(公告)号：KR101309506B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020110138207
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 더 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 질화물계 반도체 발광소자는 베이스 기판, 베이스 기판상에 위치하는 u-질화물층, u-질화물층 상에 위치하는 n형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층 상에 위치하는 제 1 p형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층과 제 1 p형 3족 질화물층 사이에 형성되는 활성층을 포함한 다중양자우물구조(Multiple Quantum Well, MQW), 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 형성되는 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층, Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 형성되는 제 2 p형 3족 질화물층을 포함한다.
나아가, 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법은 베이스 기판 상면에 u-질화물층, n형 3족 질화물층, MQW 및 제 1 p형 3족 질화물층을 형성하는 단계, p형 3족 질화물층 상면에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하는 단계, Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 제 2 P형 3족 질화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
더 나아가, 제 1 P형 3족 질화물층 또는 제 2 p형 3족 질화물층은 금속유기 화학기상증착 장비(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 이용하여 500 내지 1200°온도에서 형성된다.
또한, 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자는 Mg로 도펀트된 제 1 p형 3족 질화물층 상에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하여 상기 제 1 p형 3족 질화물층과 상기 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층이 같은 원료(Mg)를 사용하기 때문에 높은 정공 농도를 보이는 질화물 반도체를 얻을 수 있는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR101875416B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020160184216
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/50 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.
-
公开(公告)号：KR101672396B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层，其中通过调节所述第四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶表面的方式，在所述第四氮化物层的顶端上形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到第四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.022 seconds)
