公开(公告)号：KR1020100044369A

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：KR1020080103477

申请日：2008-10-22

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  강호관 ,  신현범 ,  김창주 ,  전영진

IPC: H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/054

Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to collect the every wavelength of sunlight in order to absorb the sunlight by arranging a photoelectric conversion layer which absorbs a long wavelength and a short wavelength on the front and the rear end of a light collecting unit. CONSTITUTION: A first photoelectric conversion layer(230) absorbs incident sunlight and converts the sunlight to electrical signal. A second photoelectric conversion layer(260) is arranged on the front end of the first photoelectric conversion layer. The second photoelectric conversion layer absorbs the sunlight and converts the sunlight to the electrical signal. A light collection unit(210) is arranged between the first photoelectric conversion layer and the second photoelectric conversion layer.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池，用于通过布置在聚光单元的前端和后端上吸收长波长和短波长的光电转换层来收集每一个波长的阳光以吸收太阳光。 构成：第一光电转换层（230）吸收入射的太阳光并将太阳光转换成电信号。 第二光电转换层（260）布置在第一光电转换层的前端。 第二光电转换层吸收太阳光并将太阳光转换成电信号。 第一光电转换层和第二光电转换层之间布置有光收集单元（210）。

公开(公告)号：KR100991986B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020080103477

申请日：2008-10-22

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  강호관 ,  신현범 ,  김창주 ,  전영진

IPC: H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 태양전지가 개시된다. 제1 광전변환층은 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 제2 광전변환층은 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층의 전단에 배치되며, 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 집광장치는 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 배치되며, 제2 광전변환층을 통과한 태양광이 제1 광전변환층을 향하도록 태양광을 집속한다. 본 발명에 따르면, 태양광의 진행 경로상 집광장치의 전단에 배치된 광전변환층에서는 짧은 파장을 갖는 태양광을 흡수하고, 후단에 배치된 광전변환층에서는 긴 파장을 갖는 태양광을 흡수하므로 발열이 완화된다. 또한, 산란 후 재입사하는 태양광을 흡수할 수 있으므로, 효율 향상을 도모할 수 있게 되고, 각각의 광전변환층에서 특정한 파장 대역만을 흡수하므로 색수차가 덜 발생하게 된다.
태양전지, 턴뎀, 집광장치, 색수차

公开(公告)号：KR101034211B1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：KR1020090033270

申请日：2009-04-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 배성주 ,  최재혁 ,  송근만 ,  전영진

IPC: H01L33/08

Abstract: 본 발명은 형광체를 사용하지 않고 고연색성을 보이는 백색광을 발하는 수직형 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 P 금속층과, P 금속층 상에 형성된 P형 오믹접촉층과, P형 오믹접촉층 상에 형성된 활성층을 구비한다. 그리고 활성층 상에 형성되며, 제1두께를 갖는 제1부와 제1두께보다 두껍거나 동일한 제2두께를 갖는 제2부를 포함하여 이루어진 N형 오믹접촉층과, N형 오믹접촉층의 제1부 상에 형성된 N 금속층과, N형 오믹접촉층의 제2부 상에 N 금속층과 이격되도록 형성되며 입사된 광의 파장을 변환하는 파장변환층을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100089635A

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor device is provided to increase the internal quantum efficiency by minimizing overflow of charge. CONSTITUTION: An n-type clad layer(430) is formed on a substrate(410). An active layer(440) is formed on the n-type clad layer. The active layer forms a quantum well structure by alternatively laminating a quantum-well layer(441) and a barrier layer(442). The p-type cladding layer(450) is formed on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体器件以通过最小化电荷的溢出来增加内部量子效率。 构成：在衬底（410）上形成n型覆盖层（430）。 在n型覆盖层上形成有源层（440）。 有源层通过交替层叠量子阱层（441）和阻挡层（442）形成量子阱结构。 p型覆层（450）形成在有源层上。

公开(公告)号：KR101043345B1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：KR1020090008970

申请日：2009-02-04

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  강필근 ,  신흥수 ,  전영진

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

Abstract: 본 발명은 전하의 오버플로우를 최소화하여 내부양자효율을 증가시키고, 동작전압을 낮춰 고휘도 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 활성층은 양자 우물층층과 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루며, 배리어층 중 적어도 하나는 질화물 반도체 초격자(superlattice)로 이루어진다.
MQW, 초격자, LED, 오버플로우, 내부양자효율

公开(公告)号：KR1020100114740A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033270

申请日：2009-04-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 배성주 ,  최재혁 ,  송근만 ,  전영진

IPC: H01L33/08

Abstract: PURPOSE: A vertical type light emitting device is provided to obtain white light with the superior color-rendering characteristic without fluorescent substances by forming a wavelength conversion layer with digital alloy. CONSTITUTION: A p-type ohmic contact layer(220) is formed on a p-type metal layer(210). An active layer(230) is formed on the p-type ohmic contact layer. An n-type ohmic contact layer(240) is formed on the active layer and includes a first part and a second part. The thickness of the first part is thinner than or equal to that of the second part. An n-type metal layer is formed on the first part of the n-type ohmic contact layer. A wavelength conversion layer(250) is formed on the second part of the n-type ohmic contact layer to be spaced apart from the n-type metal layer.

Abstract translation: 目的：通过用数字合金形成波长转换层，提供了一种垂直型发光器件，以获得具有优异的显色特性的无荧光物质的白光。 构成：在p型金属层（210）上形成p型欧姆接触层（220）。 在p型欧姆接触层上形成有源层（230）。 n型欧姆接触层（240）形成在有源层上，并包括第一部分和第二部分。 第一部分的厚度小于或等于第二部分的厚度。 n型金属层形成在n型欧姆接触层的第一部分上。 在n型欧姆接触层的与n型金属层隔开的第二部分上形成波长转换层（250）。