公开(公告)号：KR101653530B1

公开(公告)日：2016-09-02

申请号：KR1020140193673

申请日：2014-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김도현 ,  조주영 ,  김종민 ,  박형호 ,  최재혁

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.

公开(公告)号：KR101721846B1

公开(公告)日：2017-04-03

申请号：KR1020150190001

申请日：2015-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김도현 ,  김종민 ,  최재혁

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H05B33/14 ,  H05B37/00

Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이에관한것으로서, GaN 기판상에유전체마스크층을형성하는제1단계와, 상기유전체마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는패턴홀이구비된나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴의패턴홀에의해일부영역이노출된상기 GaN 기판상에 n-GaN 층을선택적으로성장시킨후, 활성층및 p-GaN 층을순차적으로선택적으로성장시켜, 상기패턴홀당 하나의단위 LED구조체를형성하는제3단계와, 상기 GaN 기판상에 n형전극을형성하고, 상기단위 LED구조체사이에산화물을증착하는제4단계및 상기 p-GaN 층상에 p형전극을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이를기술적요지로한다. 이에의해, 질화물계반도체를기반으로한 선택적성장을통하여단위 LED구조체를기판전면에배열시킨초소형발광다이오드어레이를제조할수 있으며, 기존의탑다운(top-down) 방식이아닌바텀업(bottom-up) 방식으로간단하고쉬운공정으로 LED를제조할수 있는장점이있다.

Abstract translation: 本发明进行图案化以，在GaN衬底上形成介电掩模层的第一步骤，该介电掩模层涉及所显示的微型氮化物系发展光电二极管阵列的制造方法和由此的氮化物发展光电二极管阵列 形成具有用于在GaN衬底上暴露所述GaN衬底的一部分，并且选择性地生长在n-GaN层的图案孔的纳米图案的第二步骤中，一些区域由纳米图案的图案孔露出 然后选择性地生长有源层和在序列中的p-GaN层，并且形成每个孔的图案的单元的LED的结构，以及形成在GaN衬底上的n型电极的第三步骤，和单元LED结构之间 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述p型GaN层上形成p型电极， 以及用于通过他制造成技术基础的集成开发氮化光电二极管阵列的显示器。 其结果，并可以通过选择性生长产生氮化物的一个是基于半导体单元的LED结构，其中所述阵列基板非常小的发光二极管阵列的前部，一个常规的自顶向下（自上而下）方法自下而上（自下而上，不 ）方法，以简单和容易的工艺制造LED是有利的。

公开(公告)号：KR101962201B1

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：KR1020170073323

申请日：2017-06-12

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김도현 ,  조주영 ,  김종민

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020160083257A

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020140193673

申请日：2014-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 송근만 ,  김도현 ,  조주영 ,  김종민 ,  박형호 ,  최재혁

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.

Abstract translation: 本发明涉及不需要荧光体施加处理的（无磷）白色发光元件。 其制造方法包括：在GaN衬底上的掩模层的第一步骤; 图案化掩模层以形成暴露GaN衬底的一部分的纳米图案的第二步骤; 第三步骤，根据纳米图案在GaN衬底上选择性地生长GaN以生长GaN纳米结构以暴露彼此不同的晶体面; 以及在GaN纳米结构上生长包括有源层的纳米结构层的第四步骤，其中在有源层中，有效组成的含量随GaN纳米结构的晶面而变化。 因此，可以调节发光波长。 因此，调整有源层的暴露的结晶面以控制每个有效成分的含量以调节有源层的发光波长，并且在单个元件的外延生长过程中诱导蓝色和黄色的发光 体现白光发射。