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公开(公告)号：WO2016085169A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/012205
申请日：2015-11-13
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓盖层，其中通过调节所述四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶面的方式，在所述四氮化物层的顶端形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
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2.发明授权디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이의 제조방법 및 그에 의해 제조된 디스플레이용 초소형 질화물계 발광 다이오드 어레이 有权用于制造小型显示的氮化物系发光二极管阵列的微型显示器和基于氮化物的发光二极管阵列的生产方法，从而
公开(公告)号：KR101721846B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020150190001
申请日：2015-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이에관한것으로서, GaN 기판상에유전체마스크층을형성하는제1단계와, 상기유전체마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는패턴홀이구비된나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴의패턴홀에의해일부영역이노출된상기 GaN 기판상에 n-GaN 층을선택적으로성장시킨후, 활성층및 p-GaN 층을순차적으로선택적으로성장시켜, 상기패턴홀당 하나의단위 LED구조체를형성하는제3단계와, 상기 GaN 기판상에 n형전극을형성하고, 상기단위 LED구조체사이에산화물을증착하는제4단계및 상기 p-GaN 층상에 p형전극을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이의제조방법및 그에의해제조된디스플레이용초소형질화물계발광다이오드어레이를기술적요지로한다. 이에의해, 질화물계반도체를기반으로한 선택적성장을통하여단위 LED구조체를기판전면에배열시킨초소형발광다이오드어레이를제조할수 있으며, 기존의탑다운(top-down) 방식이아닌바텀업(bottom-up) 방식으로간단하고쉬운공정으로 LED를제조할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明进行图案化以，在GaN衬底上形成介电掩模层的第一步骤，该介电掩模层涉及所显示的微型氮化物系发展光电二极管阵列的制造方法和由此的氮化物发展光电二极管阵列 形成具有用于在GaN衬底上暴露所述GaN衬底的一部分，并且选择性地生长在n-GaN层的图案孔的纳米图案的第二步骤中，一些区域由纳米图案的图案孔露出 然后选择性地生长有源层和在序列中的p-GaN层，并且形成每个孔的图案的单元的LED的结构，以及形成在GaN衬底上的n型电极的第三步骤，和单元LED结构之间 5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述p型GaN层上形成p型电极， 以及用于通过他制造成技术基础的集成开发氮化光电二极管阵列的显示器。 其结果，并可以通过选择性生长产生氮化物的一个是基于半导体单元的LED结构，其中所述阵列基板非常小的发光二极管阵列的前部，一个常规的自顶向下（自上而下）方法自下而上（自下而上，不 ）方法，以简单和容易的工艺制造LED是有利的。
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公开(公告)号：KR1020160053463A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01S5/509 , H01S5/141 , H01S5/5054
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波长转换装置及其制造方法。 根据本发明的波长转换装置包括：第一型氮化物半导体块，其是包括四种类型的包括Ga和N并且沿第一方向极化的元素的氮化物半导体; 以及第二氮化物半导体块，其是包含与第一氮化物半导体块接触的包括Ga和N的四种元素的氮化物半导体，并且在与第一氮化物半导体块的偏振方向相反的第二方向上极化 。 第二氮化物半导体块与第一氮化物半导体块的侧面接触以形成交叉偏振结构。 从入射到第一氮化物半导体块上的入射光产生二次谐波，以透过第一氮化物半导体块和第二氮化物半导体块。 因此，本发明的波长转换装置可以通过形成极化在与通过InAlGaN系氮化物半导体的光的行进方向正交的方向上交替变化的结构（交叉极化结构）来实现准相位匹配， 可以通过在更宽的波长范围内产生二次谐波来产生UV激光。
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公开(公告)号：KR1020130070931A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110138207
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof form a MgxNy layer on a first p-type 3 group nitride layer, obtaining a nitride semiconductor having a high hole concentration. CONSTITUTION: A first p-type 3 group nitride layer (150) is located on an n-type 3 group nitride layer (130). A MQW (Multiple Quantum Well) (140) comprises an active layer. The active layer is formed between the n-type 3group nitride layer and the first p-type 3 group nitride layer. A MgxNy layer (160) is formed on the upper side of the first p-type 3 group nitride layer. A second p-type 3 group nitride layer (170) is formed on the upper side of the MgxNy layer.
Abstract translation: 目的：一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，其在第一p型3族氮化物层上形成Mg x N y层，得到具有高空穴浓度的氮化物半导体。 构成：第一p型3族氮化物层（150）位于n型3族氮化物层（130）上。 MQW（多量子阱）（140）包括有源层。 有源层形成在n型3组氮化物层和第一p型3族氮化物层之间。 在第一p型3族氮化物层的上侧形成有Mg x N y层（160）。 第二p型3族氮化物层（170）形成在Mg x N y层的上侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101672396B1
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层，其中通过调节所述第四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶表面的方式，在所述第四氮化物层的顶端上形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到第四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
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公开(公告)号：KR101653530B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160062795A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/812
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的第四氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层。 通过控制四氮化物层的组成比，形成了与氮化物层的上表面相对的极化方向，使得在氮化物层的上端形成二次电子气。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，由此对氮化物层施加压缩应力，使得氮化物层的极化 被控制以面向上方向。
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公开(公告)号：KR1020150117744A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020140042909
申请日：2014-04-10
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, 상기목적을달성하기위해본 발명은, 기판상에마스크층을형성하는단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기기판의일부영역을노출시키는패턴을형성하는단계및 상기기판의노출된영역상에발광층을포함하는질화물계나노막대를성장시키는단계를포함하여이루어지되, 상기나노막대의직경또는간격을조절함으로써나노막대간 그림자효과(shadow effect)에따른상기나노막대의유효조성물의함량을제어하여, 상기발광층의발광파장을조절하는것을특징으로하는나노막대를이용한백색발광소자의제조방법및 이에의해제조된나노막대를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해기판상에나노막대형태로발광층을형성함으로서, 형광체없는백색광원의제조가가능하며, 발광층을나노막대형태로형성하여결함밀도를최소화하여고품질의발광소자의제조가가능한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有无磷工艺的白色发光元件。 为了实现该目的，本发明包括在基板上形成掩模层的步骤; 形成图案的步骤，通过图案化掩模层曝光基板的部分区域; 以及在衬底的暴露区域上生长包括发光层的氮化物纳米棒的步骤。 该方法能够通过控制纳米棒的间隙或直径，通过根据纳米棒的阴影效应来控制纳米棒的有效复合物的含量来控制发光层的发光波长。 因此，由于在纳米棒状的基板上形成发光层，所以能够制造无磷白色光源，通过将纳米棒状的发光层形成为 以制造高质量的发光元件。
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公开(公告)号：KR101962201B1
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：KR1020170073323
申请日：2017-06-12
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/02
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