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公开(公告)号：WO2019066163A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/001993
申请日：2018-02-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12
Abstract: 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101653530B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR102161445B1
公开(公告)日：2020-10-06
申请号：KR1020180171762
申请日：2018-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101983565B1
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：KR1020160133591
申请日：2016-10-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L41/113 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/047 , H01L41/22
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180005308A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/129 , G01N25/32 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有微型加热器的传感器的方法。 在第一衬底上形成的GaN基缓冲层，在缓冲层上形成的GaN层，在GaN层上形成的AlGaN层，InAlN 一种层的选自由层和InAlGaN层组成的组中，AlGaN层，所述的InAlN层，以及源电极和漏电极形成在一种从由InAlGaN层的组中选择层和所述源电极和漏电极 该方法包括：提供具有在高电子迁移率晶体管结构之间的区域中形成的感测材料层的高电子迁移率晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 在第三基板和第三基板上形成腔体结构或微孔结构，并准备第三基板的结合; 将第一衬底与缓冲层分离; 分离第一衬底并在分离的e层上形成微型加热器; 将第三衬底键合到缓冲层，使得微型加热器在形成微型加热器结构之后定位在第三衬底的空腔结构或孔中; 并且在键合第三衬底之后将第二衬底与高电子迁移率晶体管结构分离。
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公开(公告)号：KR101762907B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160036136
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/4143 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계; 상기제1 기판을분리한후 제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계; 및상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함하는, 고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 고가의기판을재활용함으로써 HEMT 구조의센서제작비용절감이가능하고, 구부러짐이가능한유연한 HEMT 구조의센서제작이가능하다.
Abstract translation: 所述第一基板，其特征在于，其中一个层被从包含第一基板的构成的缓冲层的组中选出的GaN基形成形成缓冲层，AlGaN层上，GaN层上在GaN层，的InAlN层和InAlGaN层，其中，将要形成 AlGaN层，的InAlN层，以及源电极和形成在一种层的从由InAlGaN层和高电子迁移率，其包括形成在所述源电极和所述漏电极之间的部分的检测材料层组成的组中的漏电极也 准备晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 将第一衬底与缓冲层分离; 在分离第一衬底之后将第三衬底键合到缓冲层; 接合第三衬底，然后将第二衬底从高电子迁移率晶体管结构分离。 根据本发明，通过循环昂贵衬底可以是HEMT结构的制造成本传感器，它能够制造柔性的弯曲HEMT结构的传感器是可能的。
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公开(公告)号：KR101962201B1
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：KR1020170073323
申请日：2017-06-12
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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10.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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