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公开(公告)号:WO2022145615A1
公开(公告)日:2022-07-07
申请号:PCT/KR2021/010231
申请日:2021-08-04
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/18 , H01L33/04 , H01L33/00 , H01L31/107
Abstract: 본 발명은 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 이에 의한 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 및 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다.