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公开(公告)号：WO2017175957A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：PCT/KR2017/000641
申请日：2017-01-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61B5/0478 , A61B5/04 , A61B5/00
CPC classification number: A61B5/00 , A61B5/04 , A61B5/0478
Abstract: 박막형 유연 기재; 상기 박막형 유연 기재 상에 형성된 전도성 물질, 접지전극, 기록전극 및 상호접속패드; 제1 커넥터 또는 제1 무선 통신 모듈; 및 제1 PCB 기판을 포함하며, 상기 접지전극과 상기 기록전극은 상기 전도성 물질을 통해 상기 상호접속패드에 연결되고, 상기 상호접속패드는 상기 제1 PCB 기판의 일면에 고정되어 상기 제1 커넥터 또는 제1 무선 통신 모듈과 연결되는, EEG 측정용 다채널 미세전극이 제공된다. 본 발명에 따르면, 마이크로미터 수준 두께의 박막형 유연 기재로 만들어진 미세 전극을 탈착의 염려없이 커넥터에 연결할 수 있어, 피검체의 움직임에 구애받지 않고 안정적으로 EEG를 측정할 수 있다.
Abstract translation: 薄膜型柔性基板; 在薄膜柔性基板上形成的导电材料，接地电极，记录电极和互连焊盘; 第一连接器或第一无线通信模块; 和第一包括PCB板，所述接地电极和所述记录电极通过所述导电材料被连接到互连焊盘，所述互连焊盘被固定到第一印刷电路板基板的一个表面上，所述第一连接器或 提供了用于EEG测量的多通道微电极，其连接到第一无线通信模块。 根据本发明，它是在微米级厚度制成薄膜状的柔性基板的微电极可以连接到连接器，而无需解吸的关注，它是能够测量EEG可靠不管被检体的运动的。
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公开(公告)号：WO2022145615A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/KR2021/010231
申请日：2021-08-04
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/18 , H01L33/04 , H01L33/00 , H01L31/107
Abstract: 본 발명은 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 이에 의한 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 및 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：KR101663629B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150141915A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020150163446
申请日：2015-11-20
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B1/00 , B82Y40/00 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 본발명은비대칭형나노구조체의형성방법에관한것으로서, 기판또는박막상에형성되며, 패턴의형태가변형이가능한가변형임프린트용스탬프를이용하여형성되는비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를포함하여이루어지며, 상기비대칭형금속또는금속산화물나노구조체는, 기판또는박막상에임프린트층을형성하는제1단계와, 상기임프린트층상에플렉시블한재질의가변형임프린트용스탬프를위치시켜, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴이휘어짐변형이유발되는압력또는방향으로가변형임프린트용스탬프를가압하고, 경화공정을수행하여비대칭패턴층을형성하는제2단계와, 상기비대칭패턴층의잔류막을제거하여기판또는박막의일부영역을노출시키는제3단계와, 상기노출된기판또는박막영역및 비대칭패턴층상에금속또는금속산화물을증착하는제4단계와, 상기비대칭패턴층을제거하여기판또는박막상에금속또는금속산화물패턴을형성하는제5단계;를포함하여구성되고, 상기제1단계의임프린트층의두께는, 상기가변형임프린트용스탬프로상기임프린트층을가압시임프린트층이상기가변형임프린트용스탬프패턴사이로충진이완전히되지않도록상기가변형임프린트용스탬프패턴의두께보다상대적으로더 얇게형성되고, 상기제2단계는, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해 1.1bar~50bar의압력으로가변형임프린트용스탬프를가압시키고, 선택적으로, 상기가변형임프린트용스탬프의패턴을변형시키기위해상기임프린트층과가변형임프린트용스탬프의계면에평행한방향으로가변형임프린트용스탬프를가압시키는것에의해제조되는것을특징으로하는가변형임프린트용스탬프를이용한비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를기술적요지로한다. 이에의해간단한공정에의해대면적의비대칭형금속또는금속산화물나노구조체를얻을수 있으며, 상기가변형임프린트용스탬프의압력또는방향에따라패턴의비대칭성정도를조절할수 있어다양한분야에활용할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成不对称纳米结构的方法，该方法包括形成在基底或薄膜上的不对称金属或金属氧化物纳米结构，并通过使用具有可变形状的图案的可变印记印模形成。 用于形成不对称金属或金属氧化物纳米结构的方法包括在基板或薄膜上形成压印层的第一步骤; 将柔性材料的可变形压印印模放置在压印层上的第二步骤，以可变形压印印模的图案的压力或扭曲方向按压可变形压印印模，并进行固化 过程形成不对称图案层; 第三步，通过去除不对称图案层的剩余膜来曝光基板或薄膜的一部分区域; 在衬底或薄膜和不对称图案层的暴露区域上沉积金属或金属氧化物的第四步骤; 以及通过去除不对称图案层在基板或薄膜上形成金属或金属氧化物图案的第五步骤。
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5.发明授权전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터 有权通过电镀方法自主控制MoS2单层的合成方法和使用自控MoS2单层的晶体管
公开(公告)号：KR101566851B1
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020130168674
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은단일층이황화몰리브덴합성방법에관한것으로서, 전기도금공정을이용하여음극에자기제어이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을증착시키는제1단계와, 상기자기제어이황화몰리브덴단일층의증착후 상기자기제어이황화몰리브덴단일층을결정화하는제2단계를포함하여구성된것을특징으로하는전기도금공정을이용한자기제어이황화몰리브덴단일층의합성방법및 이에의해제조된자기제어이황화몰리브덴단일층을이용한트랜지스터를기술적요지로한다. 이에의해기존의단일층(single layer) 형성방법이아닌전기도금공정에의해자기제어방식으로이황화몰리브덴단일층이합성되도록하여, 저비용으로이황화몰리브덴단일층을용이하게구현할수 있으며, 균일도가개선되어대면적, 고품질의이황화몰리브덴단일층을제공할수 있으며, 트랜지스터재료에적용할수 있는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101201262B1
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110049769
申请日：2011-05-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H04R31/003 , H04R1/02 , H04R19/04
Abstract: PURPOSE: A vibrating membrane and a back plate of a capacitance type microphone based on a MEMS(Micro Electro Mechanical System) and a method for manufacturing the same are provided to prevent oxidation due to external humidity by forming an insulating layer on the vibrating membrane and the back plate. CONSTITUTION: A first insulation layer is formed on the upper part of a substrate(101). A vibrating membrane(102) forms a second insulation layer on the top of a first metal layer. A sacrificial layer for an air gap is formed on the upper part of the vibrating membrane. An external surface of the sacrificial layer is patterned by a photolithography process. A third insulation layer is formed on the upper part of the patterned sacrificial layer. A second metal layer is formed on the upper part of the third insulation layer. An upper conductive line is formed on the patterned second metal layer. A fourth insulating layer is formed on the upper part of a second metal layer. A back plate is obtained by the photolithography process. A sound inlet hole and a vibration hole are formed.
Abstract translation: 目的：提供一种基于MEMS（微机电系统）的电容式麦克风的振动膜和背板及其制造方法，以通过在振动膜上形成绝缘层来防止由于外部湿气引起的氧化， 背板。 构成：在基板（101）的上部形成第一绝缘层。 振动膜（102）在第一金属层的顶部上形成第二绝缘层。 在振动膜的上部形成用于气隙的牺牲层。 通过光刻工艺对牺牲层的外表面进行图案化。 在图案化牺牲层的上部形成第三绝缘层。 在第三绝缘层的上部形成有第二金属层。 在图案化的第二金属层上形成上导电线。 在第二金属层的上部形成第四绝缘层。 通过光刻工艺获得背板。 形成声音入口孔和振动孔。
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公开(公告)号：KR1020110139853A
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100059924
申请日：2010-06-24
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: PURPOSE: A capacitance type mems microphones using zeolite membrane and method for manufacturing the same are provided to easily adjust sensitivity by having a porous structure. CONSTITUTION: In a capacitance type mems microphones using zeolite membrane and method for manufacturing the same, a penetration hole(H) is formed in a substrate(100). A zeolite vibration plate(110) is formed on the substrate. The zeolite vibration plate covers the penetration hole. A bottom electrode(120) is formed in the silver zeolite vibration plate. An upper electrode(130) has a plurality of air injection holes(131).
Abstract translation: 目的：使用沸石膜的电容式mems麦克风及其制造方法可通过具有多孔结构容易地调整灵敏度。 构成：在使用沸石膜的电容式麦克风及其制造方法中，在基板（100）上形成贯通孔（H）。 在基板上形成沸石振动板（110）。 沸石振动板覆盖穿透孔。 在银沸石振动板中形成底部电极（120）。 上电极（130）具有多个空气喷射孔（131）。
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公开(公告)号：KR101993863B1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：KR1020170184792
申请日：2017-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L25/075 , H01L33/36 , H01L33/50
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公开(公告)号：KR101604307B1
公开(公告)日：2016-03-18
申请号：KR1020140192392
申请日：2014-12-29
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: A61N5/06
CPC classification number: A61N5/0622 , A61B5/0059 , A61B5/04001 , A61B5/04009 , A61B5/0484 , A61B5/4064 , A61N5/0601
Abstract: 본발명은마이크로탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로탐침에관한것으로서, 본체와, 상기본체의전면에도파로가형성되어, 광원을발광시켜광자극을유도하는마이크로탐침의제조방법에있어서, 기판상의일부영역에식각공정에의한도파로형태의패턴을형성하는제1단계와, 상기도파로형태의패턴영역에코아(core)와클래드(clad)를형성하여도파로를형성하는제2단계와, 상기도파로와본체와의경계면에광원과도파로의커플링을위한리플렉터를코팅하는제3단계와, 상기리플렉터상부에상기리플렉터를향해하향발광하도록광원을형성하는제4단계와, 상기기판에탐침형성을위한패턴을형성하여, 탐침모양의패턴을분리하는제5단계를포함하여이루어진것을특징으로하는하향발광방식의광원이도파로에커플링된마이크로탐침의제조방법및 그에의해제조된마이크로탐침을기술적요지로한다. 이에의해광원에의한빛이도파로를통해탐침의끝단부로제공되어광자극을유도하는것으로서, 탐침상에광원을포함하는전기적인회로구성이없어전자기장발생으로부터자유로우며, 탐침상에광원을하향발광되도록집적하여리플렉터에의해광원을도파로에직접커플링(direct coupling)시켜, 설계조건이까다롭지않아용이하게제작할수 있으며, 생산성및 경제성이향상되는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种微探针的制造方法及其制造的微型探针。 在制造包括主体和形成在主体前面的波导以引起光刺激的微型探针的方法中，制造具有向下的发光型光源耦合波导的微型探针的方法根据 本发明包括：通过蚀刻工艺在基板上的部分区域中形成波导形图案的第一步骤; 在波导形图案区域中形成芯和包层以形成波导的第二步骤; 在波导和主体的边界表面上涂覆用于耦合光源和波导的反射器的第三步骤; 在反射器的顶部上形成光源以使得光源向下发射到反射器的第四步骤; 以及在基板上形成用于形成探针的图案以分离探针形图案的第五步骤。 具有根据本发明的向下发光型光源耦合波导的微探针通过制造微型探针的方法制造。 根据本发明的微型探针通过波导将光源的光提供到探针的端部以引起光刺激，并且不产生电磁场而不包括包括光的电路的构造 探头上的源头。 根据本发明的微型探针的制造方法能够容易地制造微型探针，并且提高生产率和经济可行性，因为通过收集光源使得探针上的光源发射的设计条件不复杂 向下并使得反射器能够执行光源与波导的直接耦合。
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公开(公告)号：KR101540080B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
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