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公开(公告)号：WO2022145615A1
公开(公告)日：2022-07-07
申请号：PCT/KR2021/010231
申请日：2021-08-04
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/18 , H01L33/04 , H01L33/00 , H01L31/107
Abstract: 본 발명은 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체에 관한 것으로서, 기재 상부에 식각저항성이 서로 다른 복수개의 표면제어층을 형성하는 단계와, 노광 공정에 의해 상기 표면제어층 각각에 상기 식각저항성에 따라 크기가 서로 다른 제어패턴을 형성하되, 상측 제어패턴에 비해 하측 제어패턴은 확장컷(Extension-cut)을 형성하여 상기 기재에 표면 제어 영역을 확보하는 단계와, 상기 제어패턴이 형성된 복수개의 표면제어층을 마스크로 하여 상기 표면 제어 영역에 양자점을 포함하는 구조체를 형성하는 단계와, 상기 표면제어층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 이에 의한 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 및 이를 이용한 광전소자를 기술적 요지로 한다.
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公开(公告)号：WO2019066163A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/KR2018/001993
申请日：2018-02-19
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12
Abstract: 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 Al x Ga 1-x N층, In x Al 1-x N층 및 In x Al y Ga 1-x-y N층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2016085169A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/KR2015/012205
申请日：2015-11-13
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778
Abstract: 본 발명에 따른 갈륨면 4원계 질화물 전력반도체소자는 기판 위에 형성된 질화갈륨 버퍼층, 질화갈륨 버퍼층 위에 형성된 4원계 질화물층, 상기 4원계 질화물층 위에 형성된 질화갈륨 캡층을 포함하고, 4원계 질화물층의 조성비를 조절함으로써 분극 방향이 4원계 질화물층의 상면을 향하도록 형성하여 2차원 전자가스가 상기 4원계 질화물층의 상단에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 4원계 질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의 원소로 이루어지고, In과 Al은 소정의 조성비를 가짐으로써 상기 4원계 질화물층에 압축응력이 작용하여 상기 4원계 질화물층의 분극이 상부 방향을 향하도록 조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的镓表面季氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓盖层，其中通过调节所述四氮化物层的组成比使得偏振方向面向所述顶面的方式，在所述四氮化物层的顶端形成二维电子气 的氮化物层。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，相应地将压应力施加到四氮化物层，并且四氮化物层的极化 被调整为面向其顶部。
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公开(公告)号：KR101983565B1
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：KR1020160133591
申请日：2016-10-14
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L41/113 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/047 , H01L41/22
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公开(公告)号：KR101886056B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：KR1020160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/34
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180005308A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020160084879
申请日：2016-07-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/12 , G01N25/32 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/129 , G01N25/32 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 마이크로히터를구비하는센서를제조하는방법이개시된다. 마이크로히터를구비한고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법은, 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계와; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계와; 제3 기판, 및상기제3 기판상에공동구조나마이크로구멍구조를형성하고, 제 3 기판의접합을준비하는단계와; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계와; 상기제1 기판을분리한후, 제1기판이분리된에피층에마이크로히터를형성하는단계와; 상기마이크로히터구조를형성한후, 상기제3 기판의공동구조나구멍에마이크로히터가위치할수 있도록상기제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계와; 상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种制造具有微型加热器的传感器的方法。 在第一衬底上形成的GaN基缓冲层，在缓冲层上形成的GaN层，在GaN层上形成的AlGaN层，InAlN 一种层的选自由层和InAlGaN层组成的组中，AlGaN层，所述的InAlN层，以及源电极和漏电极形成在一种从由InAlGaN层的组中选择层和所述源电极和漏电极 该方法包括：提供具有在高电子迁移率晶体管结构之间的区域中形成的感测材料层的高电子迁移率晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 在第三基板和第三基板上形成腔体结构或微孔结构，并准备第三基板的结合; 将第一衬底与缓冲层分离; 分离第一衬底并在分离的e层上形成微型加热器; 将第三衬底键合到缓冲层，使得微型加热器在形成微型加热器结构之后定位在第三衬底的空腔结构或孔中; 并且在键合第三衬底之后将第二衬底与高电子迁移率晶体管结构分离。
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公开(公告)号：KR101762907B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020160036136
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: G01N27/414 , H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: G01N27/4143 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 제1 기판, 상기제1 기판상에형성된 GaN 계열의버퍼층, 상기버퍼층상에형성된 GaN층, 상기 GaN층상에형성된것으로 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층, 상기 AlGaN층, InAlN층및 InAlGaN층으로이루어지는군에서선택되는 1종의층 상에형성된소스전극및 드레인전극, 그리고상기소스전극및 드레인전극사이의일부영역에형성된검지물질층을구비하는고전자이동도트랜지스터구조물을준비하는단계; 상기소스전극, 상기드레인전극및 상기검지물질층상부에일시적으로본딩가능한물질을형성한후 제2 기판을본딩하는단계; 상기버퍼층으로부터상기제1 기판을분리하는단계; 상기제1 기판을분리한후 제3 기판을상기버퍼층에본딩하는단계; 및상기제3 기판을본딩한후 상기고전자이동도트랜지스터구조물에서상기제2 기판을분리하는단계를포함하는, 고전자이동도트랜지스터구조센서의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 고가의기판을재활용함으로써 HEMT 구조의센서제작비용절감이가능하고, 구부러짐이가능한유연한 HEMT 구조의센서제작이가능하다.
Abstract translation: 所述第一基板，其特征在于，其中一个层被从包含第一基板的构成的缓冲层的组中选出的GaN基形成形成缓冲层，AlGaN层上，GaN层上在GaN层，的InAlN层和InAlGaN层，其中，将要形成 AlGaN层，的InAlN层，以及源电极和形成在一种层的从由InAlGaN层和高电子迁移率，其包括形成在所述源电极和所述漏电极之间的部分的检测材料层组成的组中的漏电极也 准备晶体管结构; 在源电极，漏电极和感测材料层上形成临时接合材料，并接合第二基板; 将第一衬底与缓冲层分离; 在分离第一衬底之后将第三衬底键合到缓冲层; 接合第三衬底，然后将第二衬底从高电子迁移率晶体管结构分离。 根据本发明，通过循环昂贵衬底可以是HEMT结构的制造成本传感器，它能够制造柔性的弯曲HEMT结构的传感器是可能的。
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公开(公告)号：KR101548241B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020130169387
申请日：2013-12-31
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로서,기판상에화합물반도체층이형성되는반도체소자의제조방법에있어서, 상기반도체소자에트렌치구조를형성하기위해패터닝된마스크를준비하는제1단계와, 상기화합물반도체층을상기패터닝된마스크를이용하여기판과화합물반도체층의계면까지에칭하여상기기판의표면이노출되도록하는제2단계와, 상기노출된기판을기판영역에서측면식각을이용하여상기기판과화합물반도체층의계면에서일정깊이로식각된 "凸" 형상의트렌치구조를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및 그에의한반도체소자를기술적요지로한다. 이에의해기판에트렌치구조를형성하여기판과화합물반도체층의계면에서일정깊이까지기판영역이제거된트렌치구조에의해기생경로를분리시킴으로반도체소자의항복전압을개선하는이점이있다.
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公开(公告)号：KR101828293B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020160095038
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C23C14/04 , C23C14/54 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/033 , H01L29/78 , G01N27/414
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제3단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제4단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법, 이를이용한센서소자의제조방법및 이에의해제조된센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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10.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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