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公开(公告)号：KR1020150078776A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130168482
申请日：2013-12-31
Applicant: (주)디엔에프
IPC: H01L21/205
Abstract: 본발명은코발트함유박막의제조방법및 본발명의제조방법에따라제조된코발트함유박막을제공하는것으로, 본발명의코발트함유박막의제조방법은저비용으로내구성과순도가높은양질의코발트함유박막을제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种由其制造的含钴薄膜及含钴薄膜的制造方法。 通过本发明的含钴薄膜的制造方法，可以以低成本制造出具有高耐久性和纯度的优质含钴薄膜。 该方法包括：将基板安装在室内以将基板的温度维持在150℃以下的步骤; 通过在载气和反应气体下使用钴前体化合物在基板上沉积含钴薄膜的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150019623A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130096703
申请日：2013-08-14
Applicant: 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: Provided is a method for depositing a zinc oxide-based thin film including: a step of mixing at least two first organic solvents with a zinc oxide precursor; a step of evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film on the substrate by supplying an oxidizing agent and air obtained by evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor to a deposition chamber in which a substrate is installed. Preferably, the method for depositing the zinc oxide-based thin film, wherein the zinc oxide-based thin film is coated with gallium, includes: a step of mixing at least two second organic solvents with a gallium precursor; a step of evaporating the mixed solution of the second organic solvents and the gallium precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film coated with gallium on the substrate by supplying the air obtained by evaporating the mixed solution of the second organic solvents of the gallium precursor to the deposition chamber.
Abstract translation: 提供一种沉积氧化锌基薄膜的方法，包括：将至少两种第一有机溶剂与氧化锌前体混合的步骤; 蒸发第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液的步骤; 以及通过将氧化剂和将第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液蒸发得到的空气供给到其中安装了基板的沉积室，在基板上沉积氧化锌类薄膜的步骤。 优选地，其中所述氧化锌基薄膜涂覆有镓的所述氧化锌基薄膜的沉积方法包括：将至少两种第二有机溶剂与镓前体混合的步骤; 蒸发第二有机溶剂和镓前体的混合溶液的步骤; 以及通过将通过将镓前体的第二有机溶剂的混合溶液蒸发到沉积室获得的空气，将沉积涂有镓的氧化锌基薄膜沉积在基板上的步骤。
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公开(公告)号：KR101357595B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020110120424
申请日：2011-11-17
Applicant: 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C01G9/02
CPC classification number: C07F3/06 , C23C16/08 , C23C16/407
Abstract: 상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 산화아연계 박막을 증착하는데 사용되는 전구체로서, 의 화학식을 갖는 알킬 징크 할라이드인 것을 특징으로 하는 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체를 제공한다. 여기서, R은 알킬기(C
n H
2n
+1 )이고, X는 할로겐기이다. 바람직하게는, 상기 알킬기의 n은 1~4이고, 더욱 바람직하게는, 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, i-프로필기 또는 t-부틸기를 포함한다. 바람직하게는, 상기 할로겐기는 F, Br, Cl 또는 I을 포함한다. 또한, 본 발명은, 증착 챔버에 기판을 내치시키는 단계와, 상기 알킬 징크 할라이드 산화아연 전구체와 산화제를 상기 증착 챔버에 공급하여 기판 상에 산화아연계 박막을 화학기상증착하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 박막 증착방법을 제공한다. 바람직하게는, 상압화학기상증착에 의하여 상기 기판 상에 상기 산화아연계 박막을 증착한다.-
公开(公告)号：KR1020130054811A
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020110120424
申请日：2011-11-17
Applicant: 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C01G9/02
CPC classification number: C07F3/06 , C23C16/08 , C23C16/407
Abstract: PURPOSE: An alkyl zinc halide zinc oxide precursor and a method for depositing zinc oxide-based thin films using the same are provided to safely apply to a chemical vapor deposition method because the inflammability of by-products generated in the reaction of an oxidizing agent is lower than the inflammability of ethane gas or methane gas. CONSTITUTION: An alkyl zinc halide zinc oxide precursor is used to deposit zinc oxide-based thin films. The chemical formula of alkyl zinc halide is represented by a chemical formula 1. In the chemical formula 1, R is an alkyl group(C_nH_2n+1), and X is a halogen group. The N of the alkyl group is 1 to 4. The alkyl group contains a methyl group, an ethyl group, and an i-propyl group or a t-butyl group.
Abstract translation: 目的：提供一种烷基卤化锌锌氧化物前体和用于沉积氧化锌基薄膜的方法，以安全地应用于化学气相沉积方法，因为在氧化剂的反应中产生的副产物的易燃性为 低于乙烷气体或甲烷气体的易燃性。 构成：使用烷基锌卤化物氧化锌前体沉积氧化锌基薄膜。 烷基卤化锌的化学式由化学式1表示。在化学式1中，R为烷基（C n H 2n + 1），X为卤素基团。 烷基的N为1〜4个。烷基含有甲基，乙基，异丙基或叔丁基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100958332B1
公开(公告)日：2010-05-18
申请号：KR1020080008349
申请日：2008-01-28
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 루테늄 화합물 및 이를 이용한 루테늄 박막 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 루테늄 화합물은 박막 증착용으로 적합한 휘발성과 증착온도, 열적안정성 및 증착성능을 가지고 있으며 이를 이용하여 증착된 루테늄 박막은 종래의 루테늄 전구체 화합물이 가지고 있는 RuO
x 형성 및 불순물, 스텝 커버리지 문제점을 해결함으로써 고집적화된 반도체 디바이스 제조 및 관련 산업 분야에 그 활용도가 큰 장점이 있다.
루테늄, 증착, 화합물, 리간드, 전구체, 박막, 원자층, 기상-
7.发明授权붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 有权包含含硼化合物的组合物，使用该含硼化合物制备的含硼薄膜以及使用该含硼化合物制造含硼薄膜的方法
公开(公告)号：KR101770152B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020150017921
申请日：2015-02-05
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유화합물을포함하는조성물, 이를이용하여제조된붕소함유박막및 이를이용하는붕소함유박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备组合物，含有通过使用该薄膜和含硼薄膜使用相同的，包括可以使用的作为前体性的各种含硼薄膜的含硼化合物制备的硼。
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公开(公告)号：KR1020160007187A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140087488
申请日：2014-07-11
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은붕소함유박막을형성할수 있는붕소함유전구체, 이를포함하는조성물및 이를이용한박막에관한것으로본 발명의붕소함유전구체는휘발성과열정안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及能够形成含硼薄膜的含硼前体，含有它的组合物和使用其的薄膜。 本发明的含硼前体可以形成具有高热稳定性和挥发性的高品质含硼薄膜。 含硼前体由化学式1表示。
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公开(公告)号：KR1020140046617A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020120111674
申请日：2012-10-09
Applicant: 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
CPC classification number: H01B1/08 , C03C17/245 , C03C2217/216 , C23C16/407 , C23C16/448 , H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: The present invention relates to a zinc oxide precursor and a method of depositing a zinc oxide thin film using the same and, more specifically, to a zinc oxide precursor which can deposit high-purity and high-quality zinc oxide thin film and a method of depositing zinc oxide thin film using the same. To achieve this, the present invention provides a zinc oxide precursor comprising: a mixed solvent comprised of at least two kinds of organic solvent mixture; and a raw substance composed of diethyl zinc or dimethyl zinc diluted in the mixed solvent, and a method of depositing a zinc oxide thin film using the same. [Reference numerals] (AA) Heptane; (BB) Octane; (CC) Nucleic acid; (DD) Pentane; (EE) Diethyl zinc
Abstract translation: 本发明涉及一种氧化锌前体和使用该氧化锌前体的氧化锌薄膜的沉积方法，更具体地说，涉及一种能够沉积高纯度和高质量氧化锌薄膜的氧化锌前体及其制备方法 使用其沉积氧化锌薄膜。 为了实现这一点，本发明提供一种氧化锌前体，其包含：由至少两种有机溶剂混合物组成的混合溶剂; 以及在混合溶剂中稀释的由二乙基锌或二甲基锌组成的原料，以及使用其制备氧化锌薄膜的方法。 （标号）（AA）庚烷; （BB）辛烷; （CC）核酸; （DD）戊烷; （EE）二乙基锌
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