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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020150110310A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020150017921
申请日：2015-02-05
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유화합물을포함하는조성물, 이를이용하여제조된붕소함유박막및 이를이용하는붕소함유박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含可用作形成各种含硼薄膜的前体的含硼化合物的组合物，还涉及通过使用其制备的含硼薄膜和制造方法 使用其的含硼薄膜。
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公开(公告)号：KR1020150019623A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130096703
申请日：2013-08-14
Applicant: 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: Provided is a method for depositing a zinc oxide-based thin film including: a step of mixing at least two first organic solvents with a zinc oxide precursor; a step of evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film on the substrate by supplying an oxidizing agent and air obtained by evaporating the mixed solution of the first organic solvents and the zinc oxide precursor to a deposition chamber in which a substrate is installed. Preferably, the method for depositing the zinc oxide-based thin film, wherein the zinc oxide-based thin film is coated with gallium, includes: a step of mixing at least two second organic solvents with a gallium precursor; a step of evaporating the mixed solution of the second organic solvents and the gallium precursor; and a step of depositing a zinc oxide-based thin film coated with gallium on the substrate by supplying the air obtained by evaporating the mixed solution of the second organic solvents of the gallium precursor to the deposition chamber.
Abstract translation: 提供一种沉积氧化锌基薄膜的方法，包括：将至少两种第一有机溶剂与氧化锌前体混合的步骤; 蒸发第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液的步骤; 以及通过将氧化剂和将第一有机溶剂和氧化锌前体的混合溶液蒸发得到的空气供给到其中安装了基板的沉积室，在基板上沉积氧化锌类薄膜的步骤。 优选地，其中所述氧化锌基薄膜涂覆有镓的所述氧化锌基薄膜的沉积方法包括：将至少两种第二有机溶剂与镓前体混合的步骤; 蒸发第二有机溶剂和镓前体的混合溶液的步骤; 以及通过将通过将镓前体的第二有机溶剂的混合溶液蒸发到沉积室获得的空气，将沉积涂有镓的氧化锌基薄膜沉积在基板上的步骤。
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3.发明授权붕소함유 화합물을 포함하는 조성물, 이를 이용하여 제조된 붕소함유 박막 및 이를 이용한 붕소함유 박막의 제조방법 有权包含含硼化合物的组合物，使用该含硼化合物制备的含硼薄膜以及使用该含硼化合物制造含硼薄膜的方法
公开(公告)号：KR101770152B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020150017921
申请日：2015-02-05
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유화합물을포함하는조성물, 이를이용하여제조된붕소함유박막및 이를이용하는붕소함유박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备组合物，含有通过使用该薄膜和含硼薄膜使用相同的，包括可以使用的作为前体性的各种含硼薄膜的含硼化合物制备的硼。
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公开(公告)号：KR1020160007187A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140087488
申请日：2014-07-11
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은붕소함유박막을형성할수 있는붕소함유전구체, 이를포함하는조성물및 이를이용한박막에관한것으로본 발명의붕소함유전구체는휘발성과열정안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及能够形成含硼薄膜的含硼前体，含有它的组合物和使用其的薄膜。 本发明的含硼前体可以形成具有高热稳定性和挥发性的高品质含硼薄膜。 含硼前体由化学式1表示。
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公开(公告)号：KR101741577B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020140003859
申请日：2014-01-13
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유전구체, 이의제조방법및 이를이용한박막에관한것으로본 발명의붕소함유전구체는휘발성과열정안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明可以形成含硼前驱物，制造方法，并增加了含硼前驱物可以是本发明涉及的薄膜具有良好的质量的含硼薄膜，其可被用作前体性的各种含硼薄膜的本发明的易失性和激情稳定性 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101735372B1
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020150017962
申请日：2015-02-05
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유화합물을포함하는조성물, 이를이용하여제조된붕소함유박막및 이를이용하는붕소함유박막의제조방법에관한것으로, 본발명은붕소함유화합물은휘발성과열적안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020150110311A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020150017962
申请日：2015-02-05
Applicant: (주)디엔에프
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유화합물을포함하는조성물, 이를이용하여제조된붕소함유박막및 이를이용하는붕소함유박막의제조방법에관한것으로, 본발명은붕소함유화합물은휘발성과열적안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种组合物，其包含用作形成各种含硼薄膜的前体的含硼化合物，使用该硼的薄膜制造的含硼薄膜以及使用其制造含硼薄膜的方法 一样。 由于挥发性和热稳定性高，本发明的含硼化合物可形成高品质的含硼薄膜。
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8.发明授权게르마늄 유도체 함유 박막증착용 조성물, 이를 이용하여 제조된 게르마늄 함유 박막 및 이를 이용한 게르마늄 함유 박막의 제조 방법 有权含有锗衍生物的薄膜沉积用组合物，使用其制备的含锗薄膜以及使用其制备含锗薄膜的方法
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9.发明公开게르마늄 유도체 함유 박막증착용 조성물, 이를 이용하여 제조된 게르마늄 함유 박막 및 이를 이용한 게르마늄 함유 박막의 제조 방법 有权含有锗衍生物的薄膜沉积组合物，使用其制备的含锗的薄膜以及使用其制备含锗的薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020160086162A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150003551
申请日：2015-01-09
Applicant: (주)디엔에프
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02263
Abstract: 본발명은다양한게르마늄함유박막형성에선구물질로사용될수 있는게르마늄유도체를포함하는조성물, 이를이용하여제조된게르마늄함유박막및 이를이용하는게르마늄함유박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含可用作形成各种含锗薄膜的前体的锗衍生物的组合物，使用该锗的薄膜制造的含锗薄膜及其制造方法 薄膜使用相同。
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公开(公告)号：KR1020150084156A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140003859
申请日：2014-01-13
Applicant: (주)디엔에프
CPC classification number: C07F5/02 , C10L1/303 , H01L51/5092
Abstract: 본발명은다양한붕소함유박막형성에선구물질로사용될수 있는붕소함유전구체, 이의제조방법및 이를이용한박막에관한것으로본 발명의붕소함유전구체는휘발성과열정안정성이높아양질의붕소함유박막을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含硼的前体，其制造方法和使用其的薄膜，其可以用作形成各种含硼薄膜的前体材料。 包含具有高挥发性和热稳定性的本发明硼的前体可以形成包含硼的高品质薄膜，硼是由化学式1表示的含硼的前体。
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