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公开(公告)号:KR101028406B1
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:KR1020090074463
申请日:2009-08-12
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J3/51 , G01J3/02 , G01J3/0264 , G01J3/443 , G01J3/513 , H01J37/32935
Abstract: 본 발명은 반도체 또는 LCD 제조에 이용되는 플라즈마 처리공정을 수행하는 챔버의 내부에 발생되는 아크(Arc)를 검출하기 위한 아크 검출장치에 관한 것으로서, 상기 아크를 측정하는 센서모듈과; 상기 센서모듈에서 측정된 데이터를 처리하기 위한 프로세서모듈;을 포함하며, 상기 센서모듈은 상기 챔버의 내부에 발생된 아크에 대한 데이터를 측정하는 RGB 컬러센서부를 포함하되, 상기 RGB 컬러센서부는 상기 아크에 대해 적색 또는 녹색 또는 청색 중의 하나 이상의 가시적 영역을 감지하는 센서로 마련됨으로써, 상기 아크 검출장치는 발생된 아크의 색상 데이터 및 채도 데이터 및 밝기 데이터를 측정하여 아크를 검출하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 플라즈마 처리 공정을 수행하는 공정 챔버 내부에 발생하는 아크를 RGB 컬러센서부를 이용하여 측정함으로써, 상기 아크에 대한 색상 데이터를 고속으로 취득할 수 있으며, RGB 컬러센서부에서 측정된 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변환시키는 복수의 AD 컨버터를 이용함으로써, 각 색상 데이터의 변환을 병렬적으로 처리하여 데이터의 변환 및 처리가 빠르고 용이하게 구현될 수 있다.
또한, 변환 및 처리된 아크 데이터를 바탕으로 아크의 전조 현상을 탐지하여 발생될 수 있는 문제를 조기 처리 및 대응할 수 있다.
아크, 플라즈마, 검출, RGB 센서-
公开(公告)号:KR101285093B1
公开(公告)日:2013-07-11
申请号:KR1020110037722
申请日:2011-04-22
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: C25D21/14 , H01L21/288 , G01N21/84 , C25D21/00
Abstract: 본 발명은 도금 공정 라인에 설치되는 도금액 컨트롤 장치로서, 도금 공정 라인에 설치되어 도금액의 색상 정보를 감지하기 위한 알지비센서부와; 도금액의 수소이온지수(pH)를 감지하기 위한 수소이온지수센서부와; 상기 알지비센서부 및 수소이온지수센서부로부터 신호를 입력받는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 도금액의 색상 값과 수소이온지수 값을 측정하여 도금 공정의 이상유무 또는 공정상태의 변화를 실시간으로 모니터링 할 수 있다.
또한, 도금 공정의 실시간 모니터링 및 진단기술을 통해 공정 상에 발생되는 오류의 조기에 발견함으로써, 반도체 제조비용을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 알지비 컬러센서와 수소이온지수센서를 포함하는 도금액 컨트롤 장치는 기존의 도금 공정 라인의 설계 변경 없이 용이하게 설치할 수 있다.-
公开(公告)号:KR101010928B1
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:KR1020090098004
申请日:2009-10-15
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: G01J3/46
CPC classification number: G01N21/25 , G01J3/02 , G01J3/0202 , G01J3/0264 , G01J3/443 , G01N21/68
Abstract: PURPOSE: An arc detection apparatus is provided to immediately and sensitively check the internal state of a processing chamber, thereby monitoring the abnormality of plasma in the processing chamber in real time. CONSTITUTION: An arc detection apparatus comprises an RGB sensor unit(200), a master board(300), an analog to digital converter(231), a color analysis unit(236) and a comparison unit(237). The RGB sensor unit comprises an RGB module(230) which measures the light generated from plasma in a plasma processing chamber. The master board processes signals outputted from the RGB sensor unit and controls the operation of the processing chamber or displays the processing state to outside. The analog to digital converter changes RGB signals detected by the RGB sensor unit into digital signals. The color analysis unit changes the plasma state into numerically quantized RGB optical data. The comparison unit compares RGB optical data transmitted from the color analysis unit with the RGB optical data obtained from the plasma of steady state.
Abstract translation: 目的:提供一种电弧检测装置,用于立即敏感地检查处理室的内部状态,从而实时监测处理室中的等离子体的异常。 构成:电弧检测装置包括RGB传感器单元(200),主板(300),模数转换器(231),颜色分析单元(236)和比较单元(237)。 RGB传感器单元包括RGB模块(230),其测量在等离子体处理室中由等离子体产生的光。 主板处理从RGB传感器单元输出的信号并控制处理室的操作或将处理状态显示在外部。 模数转换器将RGB传感器单元检测到的RGB信号变为数字信号。 颜色分析单元将等离子体状态改变为数字量化的RGB光学数据。 比较单元将从颜色分析单元发送的RGB光学数据与从稳态等离子体获得的RGB光学数据进行比较。
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公开(公告)号:KR101036211B1
公开(公告)日:2011-05-20
申请号:KR1020100118059
申请日:2010-11-25
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/32944 , H01J37/32963
Abstract: PURPOSE: A plasma process monitoring device using a photo transistor is provided to secure the fixing and support force of a plasma monitoring device attached to the outer side of a chamber by using various adapters. CONSTITUTION: A plasma process chamber(100) etches and deposits a semiconductor. A stage for fixing a semiconductor wafer(W) is located in the plasma process chamber. A photo transistor sensor(200) includes a photo transistor module for sensing the instant change of light generated from plasma in the plasma process chamber. A master board(300) controls the operation of the process chamber or displays the process state. An analog to digital converter converts a photo transistor signal sensed by the photo transistor sensor into a digital signal.
Abstract translation: 目的:提供使用光电晶体管的等离子体处理监测装置,以通过使用各种适配器来确保附着在室外侧的等离子体监测装置的固定和支撑力。 构成:等离子体处理室(100)蚀刻并沉积半导体。 用于固定半导体晶片(W)的阶段位于等离子体处理室中。 光电晶体管传感器(200)包括用于感测等离子体处理室中由等离子体产生的光的瞬间变化的光电晶体管模块。 主板(300)控制处理室的操作或显示处理状态。 模数转换器将由光电晶体管传感器感测到的光电晶体管信号转换为数字信号。
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公开(公告)号:KR101020076B1
公开(公告)日:2011-03-09
申请号:KR1020100032512
申请日:2010-04-09
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32944
Abstract: PURPOSE: A system and a method for detecting plasma are provided to increase a transfer rate for monitoring data when abnormal plasma is discharged, thereby accurately detecting abnormal plasma and simultaneously preventing overload of the system. CONSTITUTION: An etching unit(10) forms a micro-pattern on a wafer using plasma. A power supply unit(20) supplies RF power to the etching unit. A vision detection unit(30) monitors the plasma generated in the etching unit. A power detection unit(40) monitors an electrical signal outputted from the power supply unit. A processor unit(50) distinguishes whether abnormal plasma is generated.
Abstract translation: 目的:提供一种用于检测等离子体的系统和方法,以提高异常等离子体放电时监测数据的传输速率,从而准确检测异常等离子体并同时防止系统过载。 构成:蚀刻单元(10)使用等离子体在晶片上形成微图案。 电源单元(20)向蚀刻单元提供RF功率。 视觉检测单元(30)监视在蚀刻单元中产生的等离子体。 功率检测单元(40)监视从电源单元输出的电信号。 处理器单元(50)区分是否产生异常等离子体。
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公开(公告)号:KR1020120119632A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:KR1020110037722
申请日:2011-04-22
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: C25D21/14 , H01L21/288 , G01N21/84 , C25D21/00
Abstract: PURPOSE: A device for controlling a plating solution with a RGB sensing unit and a hydrogen ion sensor is provided to reduce the cost for manufacturing a semiconductor by detecting error generated in a process in advance. CONSTITUTION: A device for controlling a plating solution comprises a RGB sensing unit(10), a hydrogen ion sensor(20), and a control unit(30). The RGB sensing unit is installed in a plating process, and detects the color information of the plating solution. The RGB sensing unit comprises a housing, a glass tube, a color sensor, and a light emitting unit. The color sensor senses the color information of the plating solution. The plating solution flows through the glass tube. The hydrogen ion sensor detects the hydrogen ion exponent of the plating solution. The control unit receives a signal from the hydrogen ion sensor and RGB sensing unit.
Abstract translation: 目的:提供一种用于控制具有RGB感测单元和氢离子传感器的电镀溶液的装置,以通过预先检测在工艺中产生的误差来降低制造半导体的成本。 构成:用于控制电镀溶液的装置包括RGB感测单元(10),氢离子传感器(20)和控制单元(30)。 RGB感测单元安装在电镀工艺中,并检测镀液的颜色信息。 RGB感测单元包括壳体,玻璃管,颜色传感器和发光单元。 颜色传感器感测电镀液的颜色信息。 电镀液流过玻璃管。 氢离子传感器检测镀液的氢离子指数。 控制单元接收来自氢离子传感器和RGB感测单元的信号。
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公开(公告)号:KR1020110016788A
公开(公告)日:2011-02-18
申请号:KR1020090074463
申请日:2009-08-12
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J3/51 , G01J3/02 , G01J3/0264 , G01J3/443 , G01J3/513 , H01J37/32935
Abstract: PURPOSE: An arc detection apparatus and method are provided to enable predictable problems to be early processed by detecting the sign of arc based on converted and processed arc data. CONSTITUTION: An arc detection apparatus comprises a sensor module(10) and a processor module(30). The sensor module measures arc. The processor module processes data, which has been measured at the sensor module. The sensor module comprises an RGB color sensor, which measures data for the arc, which occurs in a chamber. The RGB color sensor senses one or more of red, green or blue visible areas on the arc. The arc detection apparatus measures the color data, saturation data and brightness data of the occurred arc and detects the arc. The processor module comprises one or more AD converters(22), which converts analogue data from the sensor module to digital data.
Abstract translation: 目的:提供一种电弧检测装置和方法,通过基于转换和处理的电弧数据检测电弧的符号来使可预测的问题得到早期处理。 构成:电弧检测装置包括传感器模块(10)和处理器模块(30)。 传感器模块测量电弧。 处理器模块处理已在传感器模块测量的数据。 传感器模块包括RGB颜色传感器,其测量在室中发生的电弧数据。 RGB颜色传感器感测弧线上的红色,绿色或蓝色可见区域中的一个或多个。 电弧检测装置测量出现的电弧的颜色数据,饱和度数据和亮度数据,并检测电弧。 处理器模块包括一个或多个AD转换器(22),其将来自传感器模块的模拟数据转换为数字数据。
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公开(公告)号:KR101012090B1
公开(公告)日:2011-02-07
申请号:KR1020080107718
申请日:2008-10-31
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 본 발명은 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 플라즈마 공정 모니터링 방법에 관한 것으로서, 플라즈마 공정 챔버 내부의 플라즈마로부터 발생되는 빛을 적색, 녹색, 청색의 색상별로 각각 측정하는 RGB 센서부와, 상기 RGB 센서부에 연결되며 RGB 센서부로부터 발생된 신호를 처리하여 상기 공정 챔버의 동작을 제어하거나 공정 상태를 외부에 표시하게되는 마스터 보드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 공정 챔버 내부의 플라즈마의 미세한 상태변화도 실시간으로 감지할 수 있고, 플라즈마에 이상이 발생했을 때 즉각적으로 확인하는 것이 가능함으로써, 웨이퍼 식각 또는 증착 공정 불량율을 줄일 수 있고, 보다 세밀한 공정제어가 가능해진다.
플라즈마, 식각공정, 증착공정, 모니터링, RGB센서, 광데이터-
公开(公告)号:KR1020100048521A
公开(公告)日:2010-05-11
申请号:KR1020080107718
申请日:2008-10-31
Applicant: (주)화백엔지니어링
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for monitoring a plasma process are provided to reduce the generation of failure during a wafer etching or deposition process by sensing the abnormal state of plasma. CONSTITUTION: A red-green-blue(RGB) sensor(200) is arranged on the view port side(140) of a plasma process chamber(100) in which an etching and a deposition process for a semiconductor are performed. The RGB sensor measures light generated from plasma in the plasma process chamber based on red, green and blue colors. A master board(300) is connected to the RGB sensor and processes signal from the RGB sensor. The master board controls the operation of the process chamber and displays the state of the operation. An adapter firmly fixes the RGB sensor on the lateral side of the process chamber.
Abstract translation: 目的:提供一种用于监测等离子体处理的装置和方法,以通过感测等离子体的异常状态来减少在晶片蚀刻或沉积工艺期间的故障的产生。 构成:在其中进行用于半导体的蚀刻和沉积工艺的等离子体处理室(100)的视口侧(140)上布置有红 - 绿 - 蓝(RGB)传感器(200)。 RGB传感器基于红色,绿色和蓝色测量等离子体处理室中的等离子体产生的光。 主板(300)连接到RGB传感器并处理来自RGB传感器的信号。 主板控制处理室的操作并显示操作的状态。 适配器将RGB传感器牢固地固定在处理室的侧面。
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