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公开(公告)号：CN1367540A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN01143304.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , Y10S438/928
Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极,在它们之间夹着高阻蚀基片,以及用于产生激光或发光的材料层,第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部,以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN100461469C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410076862.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: C12P19/34 , C12Q1/6806 , C12Q2527/125
Abstract: 在此提供一种GaN基III-V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III-V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间央着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN100452447C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN01143304.3
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , Y10S438/928
Abstract: 在此提供一种GaN基III-V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III-V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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公开(公告)号：CN1630112A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410076862.9
申请日：2001-12-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: C12P19/34 , C12Q1/6806 , C12Q2527/125
Abstract: 在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。
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