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公开(公告)号：CN102544253A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110307022.9
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星LED株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: H01L33/38 , H01L23/544 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L2223/54406 , H01L2223/5442 , H01L2223/54433 , H01L2223/5448 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于制造发光元件的方法，所述方法包括：在发光元件基底上形成多个发光元件；在每个发光元件上形成识别部分，以使相关的发光元件与其它发光元件相区分。将所述多个发光元件分开以形成多个发光装置。识别部分可具有使每个发光元件与其它发光元件相区分的外观。
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公开(公告)号：CN102683326A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210071635.1
申请日：2012-03-16
Applicant: 三星LED株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , F21K9/23 , F21Y2115/10 , H01L25/167 , H01L27/153 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了半导体发光二极管芯片、制造半导体发光二极管芯片的方法以及使用该半导体发光二极管芯片进行质量控制的方法。半导体发光二极管芯片包括基板；形成在基板的一个区域中的发光二极管；以及在基板的其它区域中被形成为与发光二级管电绝缘的至少一个熔丝签名电路。熔丝签名电路包括具有与基于晶片的工艺信息相对应的特有的电气特性值的电路单元；以及连接至电路单元的多个电极垫。半导体发光二极管芯片可包括表示信息的芯片信息标记。
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公开(公告)号：CN102593281A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210014666.3
申请日：2012-01-12
Applicant: 三星LED株式会社
CPC classification number: H01L33/50 , H01L2224/16245 , H01L2224/81 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明公开了一种通过压缩成型工艺沉积磷光体的方法和设备，该方法包括：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的所述多个重新排列的发光器件。
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公开(公告)号：CN101621110B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910160094.8
申请日：2006-11-27
Applicant: 三星LED株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/62 , G02B6/0073 , H01L33/483 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48227 , H01L2224/4554
Abstract: 一种用于背光单元的侧面发光二极管封装件，包括：封装件本体，其具有腔室，所述腔室具有在底部与顶部之间倾斜的内侧壁；第一和第二引线框架，布置在封装件本体中，每个所述第一和第二引线框架的一部分位于腔室的底部；发光二极管芯片，其安装在所述腔室的底部，以电连接至第一和第二引线框架；以及至少一条导线，用于将所述发光二极管芯片电连接至所述第一和第二引线框架中的至少一个。所述导线布置的方式使得从所述发光二极管芯片的顶表面到所述导线的顶端的高度是100μm或更少，并且发光二极管芯片的安装高度是50μm至200μm，且所述腔室的深度是200μm至480μm。从而改进发射光的光束孔径角特性、增加光通量、并防止侧壁的模塑缺陷。
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