公开(公告)号：CN104716104B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410452964.X

申请日：2014-09-05

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 涩谷克则 ,  井本孝志 ,  本间庄一 ,  渡部武志 ,  高野勇佑

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种能够谋求减少无用电磁波泄漏的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含包括上部及侧部的导电性屏蔽层，所述上部以覆盖密封树脂层的上表面的方式设置，所述侧部以覆盖密封树脂层的侧面及基板的侧面的方式设置。配线层的一部分包含露出于基板的侧面且沿着基板的厚度方向被切断的切断面。配线层的切断面中的接地配线的切断面与屏蔽层电连接。接地配线的切断面的面积大于与接地配线的切断面平行的接地配线的截面面积。

公开(公告)号：CN104716079B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410444602.6

申请日：2014-09-03

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 涩谷克则 ,  井本孝志 ,  本间庄一 ,  渡部武志 ,  高野勇佑

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67265 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67288 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够可靠性良好地进行电磁波屏蔽的半导体制造装置。半导体制造装置(1)包括：上盖，在将搭载着未屏蔽的半导体封装体的托盘载置于搬送载具的状态下，相比半导体封装体的上表面配置于更上方；及位移检测部，检测半导体封装体接触上盖的下表面并将上盖抬升至上方的异常。

公开(公告)号：CN103985661B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310364645.9

申请日：2013-08-20

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 种泰雄 ,  井本孝志

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L2224/75

Abstract: 提供一种能检测在拾取时和安装时的半导体芯片的裂缝发生的有无的半导体制造装置。本发明的实施方式涉及的半导体制造装置包括：上推机构，将个片化的半导体芯片上推；拾取机构，拾取由上推机构上推的半导体芯片；检测器，检测经由上推机构使半导体芯片上推时的弹性波。

公开(公告)号：CN110010587A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910213744.4

申请日：2014-09-05

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 高野勇佑 ,  井本孝志 ,  渡部武志 ,  本间庄一 ,  涩谷克则

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明涉及一种提高屏蔽层与密封树脂层的密接性的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将半导体芯片搭载在配线基板；以将所述半导体芯片密封的方式形成含有无机填充材料的密封树脂层；通过干式蚀刻去除所述密封树脂层的一部分，直至所述无机填充材料的一部分露出为止；以及以至少覆盖所述密封树脂层的方式形成屏蔽层。

公开(公告)号：CN104716272B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201410453121.1

申请日：2014-09-05

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 后藤善秋 ,  井本孝志 ,  渡部武志 ,  高野勇佑 ,  赤田裕亮 ,  唐金祐次 ,  冈山良徳 ,  柳田明彦

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L21/67333 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种可以提高导电性屏蔽层的形成性且可以降低形成成本的半导体装置的制造方法。在实施方式的制造方法中，准备如下部件：多个半导体封装体20，包括作为被处理物而搭载在配线基板上的半导体芯片及密封树脂层；以及托盘21，包括多个被处理物收纳部22。在被处理物收纳部22内，形成着于底部不包含贯通部分的凹陷部30。将半导体封装体20分别配置在多个被处理物收纳部22内。对收纳在托盘21的半导体封装体20溅镀金属材料而形成导电性屏蔽层。

公开(公告)号：CN104716051B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201410444315.5

申请日：2014-09-03

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 渡部武志 ,  井本孝志 ,  高野勇佑 ,  本间庄一 ,  涩谷克则

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种具备对于树脂密封面具有良好的密接性的半导体装置的制造方法。将多个半导体元件搭载于配线基板。使用密封树脂将配线基板的搭载着半导体元件的面与多个半导体元件密封。切断被密封的配线基板，分离成各个半导体装置。加热分离后的半导体装置。于加热后的半导体装置的密封树脂表面与配线基板的切断面，通过金属溅镀形成屏蔽层。

公开(公告)号：CN104716074B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201410751756.X

申请日：2014-12-10

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 涩谷克则 ,  井本孝志 ,  本间庄一 ,  渡部武志 ,  高野勇佑

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67778 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供作业性与维护性优异的半导体制造装置。实施方式的半导体制造装置包括：第1搬送部，其将托盘自托盘收纳供给部取出并载置在搬送载体上，且将该搬送载体搬送至溅镀装置，该装置用于粘附电磁波屏蔽过程中使用的溅镀材料。该托盘收纳供给部收纳的托盘中搭载有未屏蔽的半导体封装，且该半导体封装主要负责进行电磁波屏蔽；及第2搬送部，其将载置有托盘的搬送载体自溅镀装置取出并搬送，且将托盘自搬送载体回收并收纳在托盘收纳供给部。该托盘内搭载有已完成电磁波屏蔽的半导体封装。

公开(公告)号：CN104716052B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201410446963.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 后藤善秋 ,  井本孝志 ,  渡部武志 ,  高野勇佑 ,  赤田裕亮 ,  唐金祐次 ,  冈山良德 ,  柳田明彦

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种提高利用溅镀法的导电性屏蔽层的形成性的半导体装置的制造方法。在实施方式的制造方法中，准备包括作为被处理物搭载于配线基板上的半导体芯片及密封树脂层的多个半导体封装体(20)、以及包括多个被处理物收纳部(22)的托盘(21)。在托盘(21)的多个被处理物收纳部(22)内分别配置半导体封装体(20)。对配置于被处理物收纳部(22)内的半导体封装体(20)溅镀金属材料，形成覆盖密封树脂层的上表面及侧面与配线基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层。

公开(公告)号：CN104425459B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310729562.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 高野勇佑 ,  后藤善秋 ,  渡部武志 ,  井本孝志

IPC: H01L23/552 ,  G01R31/02

CPC classification number: H01L23/552 ,  G01R31/2853 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能简便地进行导通检查的半导体装置及半导体装置的检查方法。实施方式的半导体装置（1）具备：布线基板（2），其具有第一面及第二面；半导体芯片（3），其设置于第一面上；外部连接端子（6），其设置于第二面上；密封树脂层（5），其设置于第一面上以将半导体芯片密封；和导电性屏蔽层（7），其将布线基板（2）的侧面的至少一部分和密封树脂层（5）覆盖。布线基板（2）具备：第一接地布线，其与导电性屏蔽层（7）电连接；和第二接地布线，其与导电性屏蔽层电连接且与第一接地布线电分离。