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公开(公告)号：CN109962000B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201711420583.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法，包含腔体和衬套，衬套上方设有介电窗，腔体、衬套和介电窗围绕形成反应腔，反应腔内底部包括用于放置晶圆的基座，基座下方包括用于抽出反应腔内气体维持反应腔内低压的抽真空装置；腔体内设置有遮挡在腔体侧壁上的开口和衬套侧壁上的开口之间的遮挡板，其阻挡由传输腔流向反应腔的气体中的污染颗粒；衬套的下部设有孔槽，遮挡板下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成的流动空间通过孔槽与衬套的内部空间相联通，使得污染颗粒被抽真空装置抽走。本发明不仅保证当前的晶片不被污染，还能改善下一传片的污染，还可通入清洁气体使污染颗粒被带离反应腔的效果更加显著，效率更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326388B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201811544976.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器，将各电加热单元分别与各可控加热开关单元串联形成多个电加热支路，通过不同的开关控制单元控制每个可控加热开关单元的开启状态，从而，实现各电加热支路的分别控制，从而，通过分别控制不同分区中的电加热支路，实现基片多分区温度的精确控制。同时，将电加热单元、可控加热单元以及开关控制单元或者将电加热单元与可控加热单元、可控加热单元分别层叠设置于不同的层中，可以在处理腔室中极小的空间内实现基片温度精确控制的加热装置，且易于工业实现。
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公开(公告)号：CN108257838B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201611244155.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种防止等离子体进入内部的气体喷嘴，该气体喷嘴包含：气体喷嘴本体；喷气孔，其设置于气体喷嘴本体，气路连通反应腔与反应气体源；喷气孔的深宽比大于等于10:1。本发明加厚气体喷嘴底部设有喷气孔的部分，使喷气孔的深宽比大于等于10:1，进而阻碍等离子体进入到气体喷嘴内部的空间，避免反应腔内的等离子体从气体喷嘴的开口处倒进入喷嘴或者未被电离的气体分子倒进入喷嘴内部然后被点燃，进而造成材料表面被轰击大颗粒掉在硅片表面产生缺陷；同时保证了孔径大小和透光率大于35%。
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公开(公告)号：CN111326388A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811544976.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于基片支撑的加热装置以及等离子体处理器，将各电加热单元分别与各可控加热开关单元串联形成多个电加热支路，通过不同的开关控制单元控制每个可控加热开关单元的开启状态，从而，实现各电加热支路的分别控制，从而，通过分别控制不同分区中的电加热支路，实现基片多分区温度的精确控制。同时，将电加热单元、可控加热单元以及开关控制单元或者将电加热单元与可控加热单元、可控加热单元分别层叠设置于不同的层中，可以在处理腔室中极小的空间内实现基片温度精确控制的加热装置，且易于工业实现。
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公开(公告)号：CN109962000A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711420583.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法，包含腔体和衬套，衬套上方设有介电窗，腔体、衬套和介电窗围绕形成反应腔，反应腔内底部包括用于放置晶圆的基座，基座下方包括用于抽出反应腔内气体维持反应腔内低压的抽真空装置；腔体内设置有遮挡在腔体侧壁上的开口和衬套侧壁上的开口之间的遮挡板，其阻挡由传输腔流向反应腔的气体中的污染颗粒；衬套的下部设有孔槽，遮挡板下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成的流动空间通过孔槽与衬套的内部空间相联通，使得污染颗粒被抽真空装置抽走。本发明不仅保证当前的晶片不被污染，还能改善下一传片的污染，还可通入清洁气体使污染颗粒被带离反应腔的效果更加显著，效率更高。
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公开(公告)号：CN107993946B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201610956581.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带光谱光学测量装置，包含：宽带光源，用于发射具有不同波长的入射光；抛物面反射镜，用于对入射光进行准直，形成若干束平行光，通过光学窗口入射到晶圆的表面；反射光接收组件，用于接收晶圆表面反射的光；半透半反镜，位于抛物面反射镜之后、反射光接收组件之前，若干束平行光经过半透半反镜的透射后再经光学窗口入射到晶圆的表面，晶圆表面反射的光经光学窗口后再经半透半反镜的反射后被反射光接收组件接收；控制组件，与反射光接收组件电连接，用于根据晶圆表面反射的光，确定晶圆刻蚀的终点。本发明还公开了一种等离子体处理装置。本发明能够对宽带光谱进行准直，有效提高IEP检测法中对宽带光源的准直和光通量的利用率。
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