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公开(公告)号：CN120033050A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311559819.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C26/00 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体零部件及其涂层形成方法，所述半导体零部件包括：零部件本体；第一耐蚀刻涂层，位于零部件本体表面；第二耐蚀刻涂层，沉积于第一耐蚀刻涂层的表面上，所述第二耐蚀刻涂层与第一耐蚀刻涂层化学键合连接；其中，第二耐蚀刻涂层为结晶态氟氧化钇涂层，所述第一耐蚀刻涂层的热膨胀系数介于所述零部件本体表面和结晶态氟氧化钇涂层的热膨胀系数之间。从而提高了结晶态涂层与基底的结合力，避免了涂层开裂脱落，提高了涂层耐刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN109944943B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910350063.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: F16J15/10
Abstract: 一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的密封装置包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二陶瓷层接触。所述密封装置具有低漏率和高抗腐蚀性的特点。
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公开(公告)号：CN118866638A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310484898.3
申请日：2023-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体零部件的涂层形成方法、形成的半导体零部件及等离子体处理装置。该方法包括：提供一离子镀装置，包含相互连通的蒸发腔和偏压腔；提供具有孔槽结构的半导体零部件本体，置于偏压腔内；蒸发金属靶材形成金属蒸汽，与惰性气体正离子碰撞带电，形成带电金属离子，输送至偏压腔内；向偏压腔内通入工艺气体，激活形成工艺等离子体，开启所述偏置电源对半导体零部件本体施加偏压时，在孔槽结构内形成具有第一孔隙率的第一涂层；关闭偏置电源时，在孔槽结构内形成具有第二孔隙率的第二涂层，交替设置的第一涂层和第二涂层构成复合涂层，其最外层为第一涂层。本发明原位进行工艺切换，方法简便，制备的复合涂层兼具多种性能，能避免颗粒污染。
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公开(公告)号：CN116408252B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210844502.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 南昌中微半导体设备有限公司 , 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工件处理方法、工件及等离子体处理装置，本发明公开的工件处理方法包括：覆盖：在工件上覆盖液态碳硅烷，所述液态碳硅烷至少覆盖在所述工件的待处理位置；固化：将覆盖于所述工件上的液态碳硅烷固化，形成功能层。本发明采用液态碳硅烷作为化学源，经过浸渍和低温固化，获得包含碳化硅的功能层，该功能层耐腐蚀、耐刻蚀、耐磨；致密、厚度均匀、热传导效率高、粘度高。
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公开(公告)号：CN112713072B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201911017548.6
申请日：2019-10-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理腔室内部部件及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：提供含铝基底并在该含铝基底表面沿含铝基底厚度方向依次形成阳极氧化层、热塑性高分子涂层，在涂覆热塑性高分子涂层后对所述部件进行加热处理，使得热塑性高分子涂层填充所述阳极氧化层中的裂纹；完成加热处理后在热塑性高分子涂层上方再涂覆一层第一耐等离子腐蚀涂层，所述第一耐等离子腐蚀涂层包括氧化钇。本发明等离子体处理腔室内部部件的制造过程中所采用的热塑性高分子涂层封孔方法不受零件形状和结构限制，工艺简单，易实施，成本低。采用本发明的等离子体处理腔室内部部件不仅实现了抗等离子体侵蚀，也提高了抗氯气腐蚀性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112652511B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910968745.X
申请日：2019-10-12
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
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公开(公告)号：CN116092909A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211165260.5
申请日：2017-12-12
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN115521613A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110710767.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种导热导电弹性复合材料、其制备方法及半导体处理装置，该制备方法包含：形成一弹性骨架前驱体，所述弹性骨架前驱体至少在X方向和Y方向相互连通；对所述的弹性骨架前驱体进行预氧化处理；将预氧化的弹性骨架前驱体碳化处理，形成导电导热芯体；将所述导电导热芯体浸入软质弹性泡沫材料预聚体中，发泡，成型，得到导热导电弹性复合材料。该复合材料具有各向同性导电导热、超弹性、高压缩性、耐高温、耐腐蚀等性能，适于等离子体刻蚀腔内的工作环境。
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公开(公告)号：CN109962000B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201711420583.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法，包含腔体和衬套，衬套上方设有介电窗，腔体、衬套和介电窗围绕形成反应腔，反应腔内底部包括用于放置晶圆的基座，基座下方包括用于抽出反应腔内气体维持反应腔内低压的抽真空装置；腔体内设置有遮挡在腔体侧壁上的开口和衬套侧壁上的开口之间的遮挡板，其阻挡由传输腔流向反应腔的气体中的污染颗粒；衬套的下部设有孔槽，遮挡板下方的衬套外壁和腔体内壁围绕形成的流动空间通过孔槽与衬套的内部空间相联通，使得污染颗粒被抽真空装置抽走。本发明不仅保证当前的晶片不被污染，还能改善下一传片的污染，还可通入清洁气体使污染颗粒被带离反应腔的效果更加显著，效率更高。
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