公开(公告)号：CN106653594B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510721444.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 周虎 ,  王红超 ,  严利均 ,  刘身健

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口侧壁上，通过第二钝化步骤能够确保聚合物均匀地分布在被刻蚀硅的开口底部。本发明公开的一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过在每次刻蚀钱进行两次钝化，能够确保聚合物均匀分布在被刻蚀硅的开口侧壁、底部，从而确保再次刻蚀后的硅侧壁不会出现条纹状或洞状的粗糙面，提高了刻蚀后的硅的侧壁光滑度。

公开(公告)号：CN114695107A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011606614.6

申请日：2020-12-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 陈阳 ,  张昆 ,  周虎 ,  刘志强

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种等离子体刻蚀方法，通过电感耦合射频激发氟甲烷、氧气、含硫氧气体和溴化氢等混合气体，形成等离子体后在脉冲偏置射频的作用下，对由前置等离子体刻蚀成的高深宽比孔进行刻蚀，适用于包括介电层和导电层堆叠组成的高深宽比的孔底部氮化硅层的刻蚀，具有对掩膜层和二氧化硅层的高选择比，可以对掩膜的顶部和侧面生成保护沉积层，减弱等离子体对掩膜的消耗，同时，抑制二氧化硅层的分解，又能维持氮化硅的高速率刻蚀，有效抑制因介电层的损失量较大导致的漏电流的增大的风险，保证制得的电子器件安全运行。通过使用脉冲偏置射频，可以消除孔底部的带电粒子引起的小分子聚合物堆积，维持高速平稳的氮化硅刻蚀速率。