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公开(公告)号：CN114688457B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011586160.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本发明的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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公开(公告)号：CN108091586B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201611020488.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Inventor： 马冬叶
Abstract: 本发明公开了一种射频窗口温度控制系统，该控制系统包含：温度探头，其靠近射频窗口设置，采集射频窗口实际温度信息；风扇控制器，其与所述温度探头连接，接收射频窗口实际温度信息；风扇，其连接风扇控制器的输出端，由风扇控制器输出的电源功率驱动运行，控制射频窗口的温度；风扇控制器根据预设的射频窗口温度指令，向风扇输出控制风扇运行的电源功率，使射频窗口实际温度满足预设的射频窗口温度。本发明在射频窗口上设置温度探头，能实时监测射频窗口的实际温度，根据射频窗口的实际温度控制风扇的电源功率，实现通过风扇进行硅通孔刻蚀机台的射频窗口的温度控制，保证射频窗口在刻蚀过程中温度保持一致，有利于工艺的公知和重复性。
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公开(公告)号：CN114688457A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011586160.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本发明的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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公开(公告)号：CN112447548A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910828261.5
申请日：2019-09-03
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Inventor： 马冬叶
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体处理设备及腔室间传送口结构，通过对腔室间传送口结构进行改进，同时在传送口的衬垫组件上设置阀门和遮挡片，阀门保证了处理腔的结构密封，遮挡片既实现了传送口区域与处理腔区域的隔离，防止颗粒物沉积在传送口区域，又实现了传送口与区域与处理腔区域的连通，便于对传送口区域进行清洁，去除颗粒物，并且在遮挡片、衬垫组件和阀门上都设置防腐涂层，大大提高了腔室间传送口结构的防腐性能，提高了使用寿命。本发明大大减少了腔室间传送口区域的颗粒物数量，从而降低了晶圆在通过传送口区域时被污染的几率，提高了晶圆良率，降低了晶圆缺陷，同时由于腔室间传送口结构的寿命提高，无需频繁更换，也提高了半导体处理设备的运行速率和吞吐量。
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公开(公告)号：CN213936113U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202023250816.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种等离子体处理装置气体供应系统，包括歧管、位于歧管支路上的控制箱和位于歧管干路上的调节箱，利用调节箱的物态变化稳定气体管路中的气体压力。借助不同规格的存气罐，对管路中气体流量的大幅变化起到缓冲作用。在管路外壁还设置有加热装置，防止低压气体的液化导致的堵塞。同时将干路的内径增加，也起到了一定的缓冲作用。该系统可以提供稳定的气体压力平衡，抗扰能力突出，对于持续保持等离子体反应时气体的比例具有显著效果，此外，相比从厂务端单独向反应腔接通输气管线，本实用新型的气体供应系统节省了成本，降低了厂务端的管路占地空间。
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