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公开(公告)号：CN108074890B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201711141073.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/46
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公开(公告)号：CN108183092B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201711289541.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
Inventor： 福冈佑二
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L23/473
Abstract: 公开了电子组件和具有金属化外表面的冷却结构。一种电子组件，包括具有第一器件表面和部署在第一器件表面上的至少一个器件导电层的半导体器件。冷却结构耦合到半导体器件。冷却结构包括第一冷却结构表面和第二冷却结构表面。第二冷却结构表面与第一冷却结构表面相对，并且第一冷却结构表面耦合到半导体器件。一个冷却结构侧表面垂直于相应的第一冷却结构表面和第二冷却结构表面。一个侧电极部署在至少一个冷却结构侧表面上，其中至少一个侧电极电耦合到所述至少一个器件导电层。冷却结构包括用于接收冷却流体的流体入口和用于从冷却结构移除冷却流体的流体出口。
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公开(公告)号：CN108074890A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711141073.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/46
CPC classification number: H01L23/4735 , H01L23/3672 , H01L23/467 , H01L23/367 , H01L23/46
Abstract: 本申请涉及具有带冲击通道和通过基板的通孔的冷却芯片层的电子组件。一种电子组件，包括具有目标层和耦合到目标层的喷射冲击层的冷却芯片结构。喷射冲击层具有部署在喷射冲击层内的一个或多个喷射通道。另外，一个或多个通过基板的通孔部署在喷射冲击层内，其中所述一个或多个通过基板的通孔是导电的并且电耦合到目标层。流体入口端口和流体出口端口流体耦合到喷射冲击层的所述一个或多个喷射通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107170726B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201710134839.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
Abstract: 电力电子组件和半导体器件叠层。所述电力电子组件包括半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、半导体冷却芯片和第一电极，半导体冷却芯片热联接到宽带隙半导体器件，第一电极电联接到宽带隙半导体器件并定位在宽带隙半导体器件和半导体冷却芯片之间。半导体冷却芯片定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括：衬底流体入口通道，其从衬底入口端口延伸到衬底层中；衬底流体出口通道，其从衬底出口端口延伸到衬底层中；和一个或多个冷却芯片流体通道，其延伸到半导体冷却芯片中。
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公开(公告)号：CN107170726A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710134839.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
Abstract: 电力电子组件和半导体器件叠层。所述电力电子组件包括半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、半导体冷却芯片和第一电极，半导体冷却芯片热联接到宽带隙半导体器件，第一电极电联接到宽带隙半导体器件并定位在宽带隙半导体器件和半导体冷却芯片之间。半导体冷却芯片定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括：衬底流体入口通道，其从衬底入口端口延伸到衬底层中；衬底流体出口通道，其从衬底出口端口延伸到衬底层中；和一个或多个冷却芯片流体通道，其延伸到半导体冷却芯片中。
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公开(公告)号：CN107170725B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201710132905.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
Abstract: 电力电子组件和制造电力电子组件的方法。所述电力电子组件具有半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、第一电极和第二电极，第一电极与宽带隙半导体器件电联接，第二电极与宽带隙半导体器件电联接。衬底层联接到半导体器件叠层，使得第一电极定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括衬底流体入口通道、衬底流体出口通道和一个或多个半导体流体通道，衬底流体入口通道从衬底入口端口延伸到衬底层中，衬底流体出口通道从衬底出口端口延伸到衬底层中，一个或多个半导体流体通道延伸到宽带隙半导体器件中，并且与衬底流体入口通道和衬底流体出口通道流体连通。
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公开(公告)号：CN108183092A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711289541.0
申请日：2017-12-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
Inventor： 福冈佑二
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L23/473
Abstract: 公开了电子组件和具有金属化外表面的冷却结构。一种电子组件，包括具有第一器件表面和部署在第一器件表面上的至少一个器件导电层的半导体器件。冷却结构耦合到半导体器件。冷却结构包括第一冷却结构表面和第二冷却结构表面。第二冷却结构表面与第一冷却结构表面相对，并且第一冷却结构表面耦合到半导体器件。一个冷却结构侧表面垂直于相应的第一冷却结构表面和第二冷却结构表面。一个侧电极部署在至少一个冷却结构侧表面上，其中至少一个侧电极电耦合到所述至少一个器件导电层。冷却结构包括用于接收冷却流体的流体入口和用于从冷却结构移除冷却流体的流体出口。
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公开(公告)号：CN107170725A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710132905.8
申请日：2017-03-08
Applicant: 丰田自动车工程及制造北美公司
CPC classification number: H01L23/467 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L23/473 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48225 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/10325 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1426 , H01L23/46 , H01L23/38
Abstract: 电力电子组件和制造电力电子组件的方法。所述电力电子组件具有半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、第一电极和第二电极，第一电极与宽带隙半导体器件电联接，第二电极与宽带隙半导体器件电联接。衬底层联接到半导体器件叠层，使得第一电极定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括衬底流体入口通道、衬底流体出口通道和一个或多个半导体流体通道，衬底流体入口通道从衬底入口端口延伸到衬底层中，衬底流体出口通道从衬底出口端口延伸到衬底层中，一个或多个半导体流体通道延伸到宽带隙半导体器件中，并且与衬底流体入口通道和衬底流体出口通道流体连通。
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