公开(公告)号：CN109786355A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811342215.6

申请日：2018-11-13

Applicant: 亚德诺半导体无限责任公司

Inventor： J·库比克 ,  B·P·斯滕森 ,  M·N·莫里塞

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/76885 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/10 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/184 ,  H05K3/188 ,  H05K3/244 ,  H05K3/422 ,  H05K3/424 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0391 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/1407 ,  H05K2203/1423 ,  H05K2203/1476

Abstract: 本公开涉及电镀金属化结构。所公开的技术一般涉及通过电镀形成用于集成电路器件的金属化结构，更具体地说，涉及比用于限定金属化结构的模板更厚的金属化结构。在一方面，一种金属化集成电路器件的方法包括：在通过第一掩模层形成的第一开口中在基板上电镀第一金属，其中第一开口限定基板的第一区域，并且在通过第二掩模层形成的第二开口中在基板上电镀第二金属，其中第二开口限定基板的第二区域。第二开口比第一开口宽，并且第二区域包括基板的第一区域。