公开(公告)号：CN109036798A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810593926.4

申请日：2018-06-11

Applicant: 亚德诺半导体无限责任公司

Inventor： J·库比克 ,  B·P·斯坦森 ,  M·N·莫里塞

IPC: H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01F27/32

Abstract: 本公开涉及一种用于磁芯的通孔以及相关系统和方法。提供了在磁芯内制造低损耗磁通孔的技术。根据一些实施方案，具有小的、明确定义的尺寸的通孔可以在不依赖于精确对准层的情况下制造。根据一些实施方案，可以将包括低损耗磁通孔的磁芯包裹在电感器的导电线圈周围。低损耗磁通孔可以通过改善相对于更高损耗磁通孔的品质因数来改善电感元件的性能。

公开(公告)号：CN109786355A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811342215.6

申请日：2018-11-13

Applicant: 亚德诺半导体无限责任公司

Inventor： J·库比克 ,  B·P·斯滕森 ,  M·N·莫里塞

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/76885 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/10 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/184 ,  H05K3/188 ,  H05K3/244 ,  H05K3/422 ,  H05K3/424 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0391 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/1407 ,  H05K2203/1423 ,  H05K2203/1476

Abstract: 本公开涉及电镀金属化结构。所公开的技术一般涉及通过电镀形成用于集成电路器件的金属化结构，更具体地说，涉及比用于限定金属化结构的模板更厚的金属化结构。在一方面，一种金属化集成电路器件的方法包括：在通过第一掩模层形成的第一开口中在基板上电镀第一金属，其中第一开口限定基板的第一区域，并且在通过第二掩模层形成的第二开口中在基板上电镀第二金属，其中第二开口限定基板的第二区域。第二开口比第一开口宽，并且第二区域包括基板的第一区域。

公开(公告)号：CN109036798B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201810593926.4

申请日：2018-06-11

Applicant: 亚德诺半导体无限责任公司

Inventor： J·库比克 ,  B·P·斯坦森 ,  M·N·莫里塞

IPC: H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01F27/32

Abstract: 本公开涉及一种用于磁芯的通孔以及相关系统和方法。提供了在磁芯内制造低损耗磁通孔的技术。根据一些实施方案，具有小的、明确定义的尺寸的通孔可以在不依赖于精确对准层的情况下制造。根据一些实施方案，可以将包括低损耗磁通孔的磁芯包裹在电感器的导电线圈周围。低损耗磁通孔可以通过改善相对于更高损耗磁通孔的品质因数来改善电感元件的性能。

公开(公告)号：CN109643606A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051167.2

申请日：2017-08-24

Applicant: 亚德诺半导体无限责任公司

Inventor： J·库比克 ,  B·P·斯坦森 ,  S·P·吉尔里 ,  M·N·莫里塞

IPC: H01F27/28 ,  H01F41/04

Abstract: 本公开涉及使用微制造技术和分立元件放置的组合来制造电感元件，特别是变压器。通过使用预制芯，芯可以制造得比使用微制造技术沉积的芯厚得多。因此，稍后发生饱和并且改变变压器的效率。这通过使用微制造技术沉积多层来以比生产更厚的芯的成本低得多的成本完成。