公开(公告)号：CN106206230B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610792691.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明涉及一种离子源的电源系统及离子源，所述离子源包括：主阴极、弧板阳极、屏栅、加速栅和中和器；所述电源系统包括：阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源；以及检测单元，与所述阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源连接，用于测量各个电源的电压或电流信号反馈值；电源控制器，用于根据所述检测单元测得的电压或电流信号反馈值，控制各个电源的电压或电流信号等于或接近设定值。本发明根据反馈的各路电源电压或电流信号，对各路电源进行自动调节，克服了现有离子源各路电源独立工作、手动调整的缺陷，能够使离子束自动调谐至最佳传送状态，从而保证离子源系统稳定、可靠、高效运行。

公开(公告)号：CN106158565B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201610792680.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/08

Abstract: 本发明涉及一种栅网，用于离子源的离子光学系统，所述栅网设有带栅孔的栅孔区，所述栅网上自栅孔区边缘向外呈辐射状开设有多个热应变槽，且所述热应变槽贯穿所述栅网上下表面。本发明还提供了使用该栅网的离子源。本发明通过在栅网上开设辐射状的热应变槽，彻底地解决耐熔金属平面栅网的热变形问题，还能保持离子束束流的均匀度和稳定度，满足长期和反复高温环境离子源工作，提高离子源性能的重复性和离子束加工的工艺均匀性。

公开(公告)号：CN106441650A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610790333.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: G01L1/22

Abstract: 本发明涉及一种薄膜压力传感器及制备方法，该薄膜压力传感器至少包括：弹性基底；绝缘层，其位于弹性基底上；应变电阻层，其位于绝缘层上构成惠斯通电桥电路，该应变电阻层采用多元素靶材通过离子束溅射沉积工艺在绝缘层上沉积而成，多元素靶材包括镍、铬、锰和硅元素，其中各个元素的质量份数为：镍，70～90份；铬，10～30份；锰，1～10份；硅，1～10份；以及引线膜，其位于应变电阻层上，用于将应变电阻层感应弹性基底形变产生的电信号引出。本发明采用镍、铬、锰和硅的多元素靶材，通过离子束溅射沉积技术制得的薄膜压力传感器各层薄膜附着力强、密度高，能很好地适应超高温、超低温介质环境和温度变化大的场合，且测量精度高。

公开(公告)号：CN106206230A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610792691.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明涉及一种离子源的电源系统及离子源，所述离子源包括：主阴极、弧板阳极、屏栅、加速栅和中和器；所述电源系统包括：阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源；以及检测单元，与所述阴极电源、弧极电源、屏栅电源、加速电源、中和电源和耦合电源连接，用于测量各个电源的电压或电流信号反馈值；电源控制器，用于根据所述检测单元测得的电压或电流信号反馈值，控制各个电源的电压或电流信号等于或接近设定值。本发明根据反馈的各路电源电压或电流信号，对各路电源进行自动调节，克服了现有离子源各路电源独立工作、手动调整的缺陷，能够使离子束自动调谐至最佳传送状态，从而保证离子源系统稳定、可靠、高效运行。

公开(公告)号：CN106158564A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610789739.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/04 ,  H01J37/147

Abstract: 本发明涉及一种离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器用于向离子束发射电子生成中性离子束；所述离子源还包括检测系统和控制系统，其中检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，控制系统用于根据等离子体电位径向分布调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。本发明可以在离子源采用不同的离子束参数时，根据等离子体电位径向分布来动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。

公开(公告)号：CN106158564B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610789739.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/04 ,  H01J37/147

Abstract: 本发明涉及一种离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和等离子体桥式中和器，所述气体电离装置用于产生等离子体，所述离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，所述等离子体桥式中和器用于向离子束发射电子生成中性离子束；所述离子源还包括检测系统和控制系统，其中检测系统用于检测离子源出射位置的等离子体电位径向分布，控制系统用于根据等离子体电位径向分布调整等离子体桥式中和器的阴极轴线与离子束轴线之间的夹角。本发明可以在离子源采用不同的离子束参数时，根据等离子体电位径向分布来动态调整等离子体桥式中和器的位置，从而达到最佳的中和效果。

公开(公告)号：CN106683966A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610792695.0

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01J37/09

CPC classification number: H01J37/09

Abstract: 本发明涉及一种大束径离子源，包括：气体电离装置、离子光学系统和中和装置，其中气体电离装置用于产生等离子体，离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速，中和装置用于向离子束发射电子生成中性离子束；该大束径离子源的发射口径为100～200mm；所述离子光学系统包括在同一中心线上轴向间隔设置的屏栅和加速栅，该屏栅中部设有带栅孔的栅孔区，栅孔区的栅孔孔径沿径向方向从栅孔区圆心向外逐渐增大。本发明的大束径离子源，通过设计变孔径屏栅，使屏栅孔径与屏栅抽取的等离子浓度分布相匹配，进而通过不同的孔径抽取相同的束流密度，达到改善束流均匀度的目的，可产生束流宽、方向性强的离子束，且有效束径及均匀度大，束流稳定性强。

公开(公告)号：CN106356169A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610796244.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/00 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01C7/00 ,  H01C7/006 ,  H01C17/00 ,  H01C17/003 ,  H01L21/32136

Abstract: 本发明公开了一种电阻器制造方法，包括：提供金属箔片；对所述金属箔片进行减薄；在所述金属箔片上制备光刻胶，对所述金属箔片进行刻蚀，在所述金属箔片上形成所述预定图案；以及对残留的光刻胶进行清洗，并制备完成所述电阻器。该方法能够提高电阻器的电阻以及温度系数和高温低温双向稳定性，增加了与绝缘基体的附着力，避免了由于内应力过大而导致与绝缘基体脱落，扩大了电阻应变计的应用范围。

公开(公告)号：CN106252076A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610790115.4

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明涉及一种高端微型薄膜电容器及制备方法，其中制备方法包括以下步骤：提供衬底；通过离子束溅射沉积工艺在衬底上沉积绝缘打底膜；在所述绝缘打底膜上制作图形化的光刻胶，以所述图形化的光刻胶为掩模，通过离子束溅射沉积工艺在所述绝缘打底膜上沉积金属薄膜；去除图形化的光刻胶，通过离子束溅射沉积工艺在所述金属薄膜上沉积保护膜，得到高端微型薄膜电容器。本发明采用离子束溅射沉积工艺制作高端微型薄膜电容器，加工精度高，尤其可加工出金属手指宽度和指间间距宽度为1:1比值的叉指电容器，克服了现有叉指电容器加工中出现的手指之间剥离残留形成的短路，并且提高了叉指电容器的容量。

公开(公告)号：CN106441650B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610790333.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司

Inventor： 刁克明

IPC: G01L1/22

Abstract: 本发明涉及一种薄膜压力传感器及制备方法，该薄膜压力传感器至少包括：弹性基底；绝缘层，其位于弹性基底上；应变电阻层，其位于绝缘层上构成惠斯通电桥电路，该应变电阻层采用多元素靶材通过离子束溅射沉积工艺在绝缘层上沉积而成，多元素靶材包括镍、铬、锰和硅元素，其中各个元素的质量份数为：镍，70～90份；铬，10～30份；锰，1～10份；硅，1～10份；以及引线膜，其位于应变电阻层上，用于将应变电阻层感应弹性基底形变产生的电信号引出。本发明采用镍、铬、锰和硅的多元素靶材，通过离子束溅射沉积技术制得的薄膜压力传感器各层薄膜附着力强、密度高，能很好地适应超高温、超低温介质环境和温度变化大的场合，且测量精度高。