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公开(公告)号：CN119892036B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510374478.9
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/081 , H02H7/20 , H02H3/20
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的过压保护电路及其控制方法，包括第一关断模块分别与半导体器件的门极和阳极电连接，第一关断模块用于阻止电流从门极流至半导体器件的阴极；过压取能控制模块分别与门极、阳极和第一关断模块电连接，过压取能控制模块用于在半导体器件为过压状态的情况下控制第一关断模块关闭。在检测到半导体器件为过压状态时，过压取能控制模块的阻抗降低，使电流经过过压取能控制模块所在支路从半导体器件的阳极导通至门极，过压取能控制模块控制第一关断模块关闭，使电流从门极进入导通至阴极，完成对半导体器件的过压保护。通过采用过压取能控制模块代替现有技术中的采样模块，解决了半导体器件的过压保护电路结构复杂的问题。
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公开(公告)号：CN118611640B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410812211.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路、驱动保护方法及其应用，所述驱动保护电路包括：并联于功率半导体器件的门极与阴极之间的开通模块和关断模块，所述关断模块包括：开关组以及关断电容组，所述开关组与所述关断电容组串联；所述开关组中，所述开关组包括常闭开关组。通过本申请可以解决现有技术中驱动保护电路的参数设计难度大、成本高、静态损耗大的技术问题，利用驱动保护电路的改进，提升功率半导体器件对阳阴极电压上升率的耐受能力。
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公开(公告)号：CN119584622B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510122678.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D64/23 , H01L23/473 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10D18/01
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备。所述半导体封装结构包括晶圆、第一压接组件和第二压接组件。第一压接组件包括位于晶圆第一侧且用于刚性压接晶圆的第一侧表面的阴极。第二压接组件包括位于晶圆第二侧且用于刚性压接晶圆的第二侧表面的阳极。其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对。晶圆第一侧的热阻为第一热阻，晶圆第二侧的热阻为第二热阻；第一热阻和第二热阻的串联热阻与第一热阻和第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3。本公开有利于降低器件结壳热阻，以进一步提升器件散热效率及器件通流能力。
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公开(公告)号：CN119765883A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411694949.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种电流源换流阀及电流源换流器，在电流源换流阀的交流出口端分别连接有交流滤波电容和换流变压器，换流变压器的第二端接入交流电网，如此，可在电力传输过程中进行交直流转换。并且，该方案还在交流滤波电容处接入电容保护模块，通过电容保护模块，可在电流源换流阀发生交流侧故障的情况下，对交流滤波电容进行过压保护，和/或在交流侧故障恢复的情况下，对交流滤波电容进行振荡抑制。如此，可确保电流源换流阀发生交流侧故障时，交流滤波电容不会过压，和/或，确保交流侧故障恢复时，交流滤波电容迅速回归稳态，进而大大降低电流源换流阀中滤波电容的运行风险。
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公开(公告)号：CN119575143A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510122662.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118677414A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410768328.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 一种功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用。其中，功率半导体器件的驱动保护电路包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件。本发明的功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用，通过增加保护模块，使得在功率半导体器件未与驱动连接或功率半导体器件封装内部阴极接触不可靠等故障工况下，保障器件芯片、封装及驱动本身的运行安全。
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公开(公告)号：CN118522706A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L29/74 , H01L29/43 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN120074205A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510551140.6
申请日：2025-04-29
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M1/32
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体器件串联均压电路和电力电子变换器，该功率半导体器件串联均压电路包括：功率半导体器件串联电路，功率半导体器件串联电路中包括多个串联的功率半导体器件；均压电路，均压电路包括多个均压单元，各均压单元与各功率半导体器件并联，用于均衡各功率半导体器件两端的电压；电压箝位电路，电压箝位电路与功率半导体器件串联电路并联，电压箝位电路包括多个并联的电压箝位单元，多个并联的电压箝位单元用于在功率半导体器件关断瞬态时，均衡各功率半导体器件两端的电压。本申请中的功率半导体器件串联均压电路能有效改善功率半导体器件串联过程中分压不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN119575143B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510122662.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。
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公开(公告)号：CN118522706B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D18/01 , H10D64/60
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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