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公开(公告)号：CN118507518B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D18/80
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119920771A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372581.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种芯片的封装结构和半导体器件；该芯片的封装结构包括阴极电极和动态均压模块；阴极电极叠放于芯片上，阴极电极分割成多个压力补偿区域；动态均压模块设于阴极电极背离芯片的一侧并具有封闭空腔，封闭空腔内填充有弹性缓冲物质，封闭空腔内设有与多个压力补偿区域均电连接的多个动态插入电极，动态均压模块的外端部与外部管壳阴极密封电连接。当采用本申请的技术方案在对芯片与管壳进行封装时，通过在阴极电极上设置具有封闭空腔的动态均压模块，能够利用封闭空腔内部的缓冲物质来实现对于芯片封装过程中的压力补偿，进行动态的压力调节，均匀了金属电极之间的压力。
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公开(公告)号：CN119560385B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN119584622A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510122678.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D64/23 , H01L23/473 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10D18/01
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备。所述半导体封装结构包括晶圆、第一压接组件和第二压接组件。第一压接组件包括位于晶圆第一侧且用于刚性压接晶圆的第一侧表面的阴极。第二压接组件包括位于晶圆第二侧且用于刚性压接晶圆的第二侧表面的阳极。其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对。晶圆第一侧的热阻为第一热阻，晶圆第二侧的热阻为第二热阻；第一热阻和第二热阻的串联热阻与第一热阻和第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3。本公开有利于降低器件结壳热阻，以进一步提升器件散热效率及器件通流能力。
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公开(公告)号：CN118738003A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410772567.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/488 , H01L21/603
Abstract: 本申请涉及一种晶圆的封装结构、功率器件以及晶圆封装结构的键合方法，该封装结构包括依次层叠的阴极金属片、晶圆、纳米材料膜和阳极金属片；纳米材料膜中包括至少一层过渡层；过渡层的材料为弹性材料。上述封装结构中，通过在纳米材料膜中设置具有弹性形变能力的过渡层，可以通过过渡层吸收晶圆翘曲变形应力，来释放翘曲变形应力，达到可以降低翘曲变形程度的效果，进而进一步降低器件热阻，提高器件长期可靠性，可以促进低温键合技术在整晶圆封装领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737943A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410860369.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 一种用于晶圆键合的键合夹具及采用其的键合设备和方法，属于半导体器件技术领域。所述用于晶圆(102)键合的键合夹具(100)包括托盘(1)、限位块(2)、刚性垫块(3)和挡板(4)；通过所述键合夹具(100)实现对晶圆进行径向和竖向的定位。通过本发明的键合夹具(100)、键合设备(101)及使用键合设备(101)进行晶圆键合的方法，实现定位晶圆位置并保护晶圆终端不受压力。
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公开(公告)号：CN118712140A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410740012.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种插拔连接结构、门极驱动板以及可关断晶闸管器件。插拔连接结构设置为电极弹性连接结构，插拔连接结构用于实现所述可关断晶闸管器件的管壳连接板与门极驱动板之间的连接；插拔连接结构包括彼此电极弹性连接的第一插拔端和第二插拔端。门极驱动板包括第二功能区和第二接口区，第二接口区设置有前述的第一插拔端或第二插拔端。可关断晶闸管器件包括管壳连接板和门极驱动板，管壳连接板和门极驱动板使用所述的插拔连接结构进行连接。本申请涉及半导体器件技术领域，能够有效改善门极驱动板与管壳连接板之间的连接结构形式，提高系统集成度和可靠性，降低维护成本和操作难度。
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公开(公告)号：CN118549740A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410815098.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种换流阀组部件的测试电路以及测试方法，测试电路包括：第一单相桥式电路、第二单相桥式电路和第一电感，第一单相桥式电路的第一输出端与第二单相桥式电路的第二输出端连接，第一单相桥式电路的第二输出端与待测换流阀组部件的一端连接，第二单相桥式电路的第一输出端与待测换流阀组部件的另一端连接；第一电感设置于第二单相桥式电路与待测换流阀组部件之间；或者，第一电感设置于第一单相桥式电路与待测换流阀组部件之间；其中，第一单相桥式电路和第二单相桥式电路，用于在待测换流阀组部件上施加电流应力和/或电压应力。提高了对待测换流阀组部件的测试准确度。
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公开(公告)号：CN118198118A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410237475.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L21/332 , H01L23/48
Abstract: 一种一体成型复合引线结构、管壳及其制造方法、功率器件。所述一体成型复合引线结构包括门极引出部分和阴极引出部分，以及使所述门极引出部分和阴极引出部分彼此电绝缘的绝缘层，其中所述门极引出部分、绝缘层和阴极引出部分一体成型，形成“三明治”结构。本发明采用预形成的“三明治”结构，可以实现低感管壳的设计，最大限度降低器件驱动回路的集成电感；同时，在门极、阴极焊接位置填充耐高温绝缘胶，提高管壳的绝缘与密封性能，门极引出辐条进行绝缘涂层加绝缘套管设计，进一步降低各电流路径间的互感，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN118611640B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410812211.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路、驱动保护方法及其应用，所述驱动保护电路包括：并联于功率半导体器件的门极与阴极之间的开通模块和关断模块，所述关断模块包括：开关组以及关断电容组，所述开关组与所述关断电容组串联；所述开关组中，所述开关组包括常闭开关组。通过本申请可以解决现有技术中驱动保护电路的参数设计难度大、成本高、静态损耗大的技术问题，利用驱动保护电路的改进，提升功率半导体器件对阳阴极电压上升率的耐受能力。
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