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公开(公告)号：CN120073848A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510551281.8
申请日：2025-04-29
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率同步方法、装置、电子设备、存储介质和程序产品。在新能源并网的情况下，获取多端直流输电系统中各受端换流站的馈入点的有功功率，根据各受端换流站的馈入点的有功功率，确定各受端换流站的参考功率，基于各受端换流站的参考功率控制各受端换流站的功率。由于新能源在基于给定的参考功率大规模远距离向受端换流站输送功率存在通信延迟的问题，本申请实施例采集各受端换流站的馈入点的有功功率，通过受端换流站的馈入点的有功功率确定参考功率，基于参考功率控制各受端换流站的功率，避免了通信延迟问题导致的各受端换流站功率不同步和功率反送的问题。
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公开(公告)号：CN119584622B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510122678.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H10D64/23 , H01L23/473 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10D18/01
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法、功率器件、电子设备。所述半导体封装结构包括晶圆、第一压接组件和第二压接组件。第一压接组件包括位于晶圆第一侧且用于刚性压接晶圆的第一侧表面的阴极。第二压接组件包括位于晶圆第二侧且用于刚性压接晶圆的第二侧表面的阳极。其中，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对。晶圆第一侧的热阻为第一热阻，晶圆第二侧的热阻为第二热阻；第一热阻和第二热阻的串联热阻与第一热阻和第二热阻的并联热阻的比值大于等于4.3。本公开有利于降低器件结壳热阻，以进一步提升器件散热效率及器件通流能力。
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公开(公告)号：CN119552312B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510128651.7
申请日：2025-02-05
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: C08F255/02 , H01B3/44 , H01B3/18 , H01B19/00 , H01B7/02 , H01B7/14 , H01B7/18 , H01B9/00 , C08F216/14 , C08F210/14 , C08L51/06
Abstract: 本申请涉及一种绝缘料及其制备方法和电缆，该绝缘料包括聚乙烯、第一交联剂、第二交联剂和抗氧剂；第一交联剂包括如下结构式R1‑O‑O‑R2所示化合物中的一种或多种；其中，R1和R2中的至少一者选自式b、式c、式e、式f、式j、式k、式l、式m以及式o中任意一种所示基团，各式中，m1、m2、m4、m5、m9、m10、m11和m12各自独立地为1~10的整数，*代表键合位置。第二交联剂至少包括2,4‑二苯基‑4‑甲基‑1‑戊烯。本申请的绝缘料可以有效减少在交联过程中副产物的种类和数量，同时提升电缆的绝缘性能和机械性能。
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公开(公告)号：CN119880176A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510372586.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种集成测温装置以及功率半导体器件。所述集成测温装置包括：阴极，所述阴极包括功率半导体器件中的目标阴极梳条以及与所述目标阴极梳条相连的金属布线，或者所述阴极为与所述目标阴极梳条中的梳条缺失区域相连的金属布线，其中所述梳条缺失区域至少与所述目标阴极梳条的一个边缘连通；位于所述目标阴极梳条下方且距所述目标阴极梳条最近的PN结；以及阳极，所述阳极为所述功率半导体器件的门极，其中所述阴极与阴极钼片之间存在间隙，以及所述集成测温装置用于通过所述阴极与所述阳极之间的电信号测量所述PN结的结温。本发明可通过集成于器件内部的测温装置来实现器件的PN结的工作结温的在线测量。
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公开(公告)号：CN119552444B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510107227.4
申请日：2025-01-23
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种绝缘料、制备方法、应用和电缆，绝缘料包括第一树脂、第二树脂、抗氧剂、交联剂和交联助剂；第一树脂包括低密度聚乙烯，重均分子量为120000Da‑180000Da，分子量分布指数为4.5‑5.5；第二树脂包括高分子量高密度聚乙烯和超高分子量聚乙烯中的一种或两种，高分子量高密度聚乙烯的重均分子量为250000Da‑350000Da，分子量分布指数为1.5‑5.5；超高分子量聚乙烯的重均分子量为2000000Da‑2400000Da，分子量分布指数为6.0‑8.0。该绝缘料具有优异的耐温性能和电气性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119125628B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411603336.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种测试套，包括：绝缘板壳，具有用于插设功率芯片的芯片容纳槽；第一导通极片，设置在绝缘板壳上并具有与功率芯片的第一极抵接配合的第一导通表面和外露于绝缘板壳的第二导通表面；第二导通极片，设置在绝缘板壳上并具有与功率芯片的第二极抵接配合的第三导通表面和外露于绝缘板壳的第四导通表面。针对不同尺寸的功率芯片或者第一极以及第二极位置发生变化的功率芯片，仅需要替换测试套即可，而无需重新定制与功率芯片相适配的特定工装，能够极大地降低对不同的功率芯片进行测试时的金钱成本和时间成本。因此，本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的针对不同的芯片需要定制工装使得金钱成本和时间成本高的问题。
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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN119765976A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311267139.8
申请日：2023-09-27
Abstract: 本发明属于超/特高压直流输电技术领域，公开一种混合型电网换相换流器，包括集成门极晶闸管换流器，其中，集成门极晶闸管换流器的主支路包括依次串联的第一电抗器组件、IGCT组件和第二电抗器组件。本发明的混合型电网换相换流器可以实现电功率正反传输的自由切换，可以完成电功率的静止、传输和调节变化，而且无换相失败问题，在降低设备成本的同时提高了可靠性。本发明的混合型电网换相换流器满足超/特高压直流输电系统运行过程中的各个运行工况的要求，并且兼具通态电流大、高阻断电压、低通态压降、关断大电流、较高的开关速度、高可靠性和双向承压等优点。
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公开(公告)号：CN119765883A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411694949.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种电流源换流阀及电流源换流器，在电流源换流阀的交流出口端分别连接有交流滤波电容和换流变压器，换流变压器的第二端接入交流电网，如此，可在电力传输过程中进行交直流转换。并且，该方案还在交流滤波电容处接入电容保护模块，通过电容保护模块，可在电流源换流阀发生交流侧故障的情况下，对交流滤波电容进行过压保护，和/或在交流侧故障恢复的情况下，对交流滤波电容进行振荡抑制。如此，可确保电流源换流阀发生交流侧故障时，交流滤波电容不会过压，和/或，确保交流侧故障恢复时，交流滤波电容迅速回归稳态，进而大大降低电流源换流阀中滤波电容的运行风险。
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公开(公告)号：CN119727706A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510241413.7
申请日：2025-03-03
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K19/173 , G06F9/4401 , H01C10/00 , G06F15/80 , H03K17/56 , H03K19/09
Abstract: 本申请提供了一种阻值调节电路、碳化硅装置和电子设备。该阻值调节电路通过设置阻值调节结构，以阻值调节结构的第一输入端来接收启动信号以启动芯片，且以阻值调节结构的第二输入端来接收阻值调节信号，从而根据阻值调节信号调节阻值调节结构的阻值，以调节芯片的开通速度，相比现有方案实现了对芯片的开通速度的调节，从而解决了现有方案缺乏一种对碳化硅芯片的开通速度调节的技术方案的问题。
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