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公开(公告)号：CN119891708B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510374473.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体器件的驱动取能系统及驱动取能方法，系统包括储能单元，用于提供第一电压，限流单元，与储能单元电连接，用于对功率半导体器件模块进行限流，并储存从储能单元释放的能量，稳压单元，与储能单元电连接，用于稳压储能单元，辅助取能单元，分别与限流单元和稳压单元电连接，用于从限流单元中取能并提供第二电压，转换与驱动单元，分别与储能单元和辅助取能单元电连接，用于在获取第一电压的情况下，转换第一电压以驱动功率半导体器件模块中的功率半导体器件，在获取第二电压的情况下，转换第二电压以驱动功率半导体器件，本申请公开的系统降低了驱动的功率需求并为驱动提供备用供电，显著提高了驱动取能的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN118694139B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410768335.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种可关断晶闸管的驱动电源管理方法、电路、可关断晶闸管芯片和电子设备，属于电源管理技术领域。所述驱动电源管理方法应用于驱动控制电路，所述驱动控制电路包括开通模块和关断模块，所述开通模块和关断模块均与待驱动的可关断晶闸管的门极相连接，用于对可关断晶闸管的开通和关断进行控制，所述驱动电源管理方法包括：通过开通电路电源管理模块向所述开通模块进行独立供电控制，通过关断电路电源管理模块向所述关断模块进行独立供电控制。本申请设计了一种可关断晶闸管的驱动电源管理方法，通过对可关断晶闸管的开通和关断进行独立控制，能够实现根据不同情况需求下的不同开通及关断电压配置策略，适用于不同工况下的应用。
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公开(公告)号：CN118425721B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410773030.X
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及IGCT动态性能测试电路及装置，通过IGCT测试主回路可为待测的IGCT器件施加测试电信号；各辅助电路分别通过对应的开关器件连接IGCT测试主回路，在任意一个辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件导通，其它辅助电路与IGCT测试主回路之间的开关器件断开的情况下，导通开关器件对应的辅助电路用于辅助IGCT测试主回路对待测的IGCT器件进行动态性能测试。并且，不同辅助电路辅助实现的动态性能测试类型配置为互不相同。如此可在同一个IGCT动态性能测试电路中，实现待测的IGCT器件的两种或两种以上的动态性能测，减少动态性能测试时IGCT器件的压装次数，简化测试流程，进而可以有效降低IGCT器件失效的风险。
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公开(公告)号：CN119921552A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374449.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体功率器件以及变换器，该半导体功率器件包括：开关结构，包括至少两个可关断半导体器件以及至少两个驱动器，至少两个可关断半导体器件串联，驱动器与可关断半导体器件一一对应电连接，驱动器用于向开关结构中至少一个其他驱动器定时发送心跳信号，驱动器还用于至少在预定周期内未接收到其他驱动器的心跳信号的情况下，控制对应的可关断半导体器件保持导通状态；电压钳位电路，并联在至少两个可关断半导体器件的两端，电压钳位电路在剩余可关断半导体器件的耐压值小于电压钳位电路的动作电压的情况下，将开关结构中所有的剩余可关断半导体器件击穿，剩余可关断半导体器件为开关结构中未短路失效的可关断半导体器件。
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公开(公告)号：CN119920772A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374475.5
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件，其中，功率半导体封装结构包括：半导体芯片；第一极电连接结构，设置在半导体芯片的第一侧；第二极电连接结构，设置在半导体芯片的第二侧，第二极电连接结构包括缓冲结构、极座以及液态金属介质，缓冲结构设置在半导体芯片与极座之间，缓冲结构与极座之间形成容纳空间，液态金属介质设置在容纳空间内，缓冲结构与极座之间密封连接以防止液态金属介质脱离容纳空间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的压接封装难度大、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119920697A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510369140.4
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及一种IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构，其中，IGCT器件的封装方法包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连。本申请在晶圆与电极互连过程中提供了释放热应力的空间，减少或避免了互连过程中因热应力而发生翘曲变形的风险，从而在不影响热阻优化效果的同时提高了IGCT器件的封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN119560385A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
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公开(公告)号：CN118611640A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812211.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路、驱动保护方法及其应用，所述驱动保护电路包括：并联于功率半导体器件的门极与阴极之间的开通模块和关断模块，所述关断模块包括：开关组以及关断电容组，所述开关组与所述关断电容组串联；所述开关组中，所述开关组包括常闭开关组。通过本申请可以解决现有技术中驱动保护电路的参数设计难度大、成本高、静态损耗大的技术问题，利用驱动保护电路的改进，提升功率半导体器件对阳阴极电压上升率的耐受能力。
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公开(公告)号：CN118677414B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410768328.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 一种功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用。其中，功率半导体器件的驱动保护电路包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件。本发明的功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用，通过增加保护模块，使得在功率半导体器件未与驱动连接或功率半导体器件封装内部阴极接触不可靠等故障工况下，保障器件芯片、封装及驱动本身的运行安全。
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公开(公告)号：CN119922964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374466.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。
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