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公开(公告)号：CN119199437B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411690973.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种正极性方波电源电路、待测器件的测试装置与供电方法，正极性方波电源电路包括方波发生单元，方波发生单元包括多个级联的半桥结构，各半桥结构包括高压直流电源、储能模块、位于第一桥壁上的第一开关模块以及第二桥壁上的第二开关模块，高压直流电源和储能模块并联。该电源电路结构简单、可扩展性好、各级之间相互独立且输出方波波形参数可灵活调节，适合作为用于高压SiC封装绝缘考核的正极性方波电源电路，解决了现有技术中缺乏用于高压SiC封装绝缘考核的高压正极性方波电源，导致无法充分评估暴露在正极性方波电压下的高压碳化硅器件内部的局部放电的问题。
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公开(公告)号：CN119181678B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411696421.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种封装结构，包括：外壳，包括基板；导电部，设置在基板上；第一芯片，设置在导电部上；第一功率端子，第一功率端子的第一端具有相互连接的芯片连接部及散热部，芯片连接部与第一芯片连接，散热部与基板散热配合；第二功率端子，第二功率端子的第一端与导电部连接。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的封装限制芯片发挥更高结温的问题。
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公开(公告)号：CN119178990B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411690977.0
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种芯片的检测装置与检测方法，检测装置包括：检测电路，包括电连接的电流源和多个第一开关器件，第一开关器件用于与待测模块中的待测芯片一一对应电连接，各第一开关器件连接在电流源和待测芯片之间的连接支路上。该检测装置通过控制第一开关器件的关断可以单独测量各芯片的结温分布，可以解决现有技术中测量碳化硅器件结温的方法误差较大，且只能测量各芯片的平均结温无法测量模块内部各芯片单独的结温分布的问题，能有效避免芯片双极退化带来的结温测量误差，准确测量功率循环过程中模块的芯片结温。
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公开(公告)号：CN119153458B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411603332.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率子模组及具有其的功率模块，该功率子模组包括：上半桥单元，包括上基板、多个并联的上MOSFET芯片、上串联二极管以及多个并联的上二极管芯片，上MOSFET芯片的数量为偶数，且两个上MOSFET芯片为一个上MOSFET芯片组，两个上MOSFET芯片组之间设置有一个上串联二极管；下半桥单元，包括下基板、多个并联的下MOSFET芯片、下串联二极管以及多个并联的下二极管芯片，下MOSFET芯片的数量为偶数，且两个下MOSFET芯片为一个下MOSFET芯片组，两个下MOSFET芯片组之间设置有一个下串联二极管。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的寄生电感较大，限制了碳化硅器件在高压领域的应用的问题。
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公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943094B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119181691A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696419.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：衬板，衬板的上表面具有间隔设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第二导电层位于第一导电层和第三导电层之间；芯片组件，包括多个第一芯片和多个第二芯片，每个第一芯片的漏极均与第二导电层导电连接，每个第二芯片的漏极均与第三导电层导电连接；第一互连构件，具有导电连接部和多个互连部，导电连接部与第一导电层电连接，多个互连部与多个第一芯片的源极一一对应导电连接；第二互连构件，第二导电层与多个第二芯片的源极通过第二互连构件导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件的芯片结温一致性差的问题。
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公开(公告)号：CN119181690A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696417.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：第一桥臂结构，包括第一衬板、第二衬板以及第一芯片，第二衬板设置在第一衬板的上表面，第一芯片的漏极与第一衬板的上表面导电连接，第一芯片的源极与第二衬板的上表面导电连接；端子组件，包括第一功率端子和第二功率端子，第一功率端子与第一衬板的上表面电连接，第二功率端子与第二衬板的上表面电连接，第一功率端子和第二功率端子位于第一衬板的同一侧。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件散热差且开关速度低的问题。
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公开(公告)号：CN119178990A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411690977.0
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种芯片的检测装置与检测方法，检测装置包括：检测电路，包括电连接的电流源和多个第一开关器件，第一开关器件用于与待测模块中的待测芯片一一对应电连接，各第一开关器件连接在电流源和待测芯片之间的连接支路上。该检测装置通过控制第一开关器件的关断可以单独测量各芯片的结温分布，可以解决现有技术中测量碳化硅器件结温的方法误差较大，且只能测量各芯片的平均结温无法测量模块内部各芯片单独的结温分布的问题，能有效避免芯片双极退化带来的结温测量误差，准确测量功率循环过程中模块的芯片结温。
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