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公开(公告)号：CN119199437B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411690973.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种正极性方波电源电路、待测器件的测试装置与供电方法，正极性方波电源电路包括方波发生单元，方波发生单元包括多个级联的半桥结构，各半桥结构包括高压直流电源、储能模块、位于第一桥壁上的第一开关模块以及第二桥壁上的第二开关模块，高压直流电源和储能模块并联。该电源电路结构简单、可扩展性好、各级之间相互独立且输出方波波形参数可灵活调节，适合作为用于高压SiC封装绝缘考核的正极性方波电源电路，解决了现有技术中缺乏用于高压SiC封装绝缘考核的高压正极性方波电源，导致无法充分评估暴露在正极性方波电压下的高压碳化硅器件内部的局部放电的问题。
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公开(公告)号：CN119181678B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411696421.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种封装结构，包括：外壳，包括基板；导电部，设置在基板上；第一芯片，设置在导电部上；第一功率端子，第一功率端子的第一端具有相互连接的芯片连接部及散热部，芯片连接部与第一芯片连接，散热部与基板散热配合；第二功率端子，第二功率端子的第一端与导电部连接。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的封装限制芯片发挥更高结温的问题。
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公开(公告)号：CN119028965B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519127.4
申请日：2024-10-29
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板；第一芯片模块，与基板连接，第一芯片模块包括多个第一半导体芯片，多个所述第一半导体芯片并联连接；第二芯片模块，与基板连接，第二芯片模块与第一芯片模块串联连接；第一功率端子，与第一芯片模块导电连接；第二功率端子，与第二芯片模块导电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件难以兼顾高电压等级和成本的问题。
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公开(公告)号：CN118943094B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181682B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411696424.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种功率器件单元和半导体封装结构，其中，功率器件单元包括：半导体芯片，半导体芯片的第一表面设置有源极，半导体芯片的第二表面设置有漏极；第一端子，包括第一连接板段以及与第一连接板段连接的第一引出板段，第一连接板段与源极导电连接；第二端子，包括第二连接板段以及与第二连接板段连接的第二引出板段，第二连接板段与漏极导电连接；其中，第一连接板段、半导体芯片及第二连接板段叠置设置。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN118943094A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411438305.0
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，包括：壳体，包括基板；第一半导体芯片，与基板连接；第一金属连接部，连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接；第二金属连接部，与第一金属连接部间隔设置，第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接；第一端子，与第一金属连接部电连接；第二端子，与第二金属连接部电连接；第一绝缘凸块，设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。
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公开(公告)号：CN119125628B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411603336.7
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种测试套，包括：绝缘板壳，具有用于插设功率芯片的芯片容纳槽；第一导通极片，设置在绝缘板壳上并具有与功率芯片的第一极抵接配合的第一导通表面和外露于绝缘板壳的第二导通表面；第二导通极片，设置在绝缘板壳上并具有与功率芯片的第二极抵接配合的第三导通表面和外露于绝缘板壳的第四导通表面。针对不同尺寸的功率芯片或者第一极以及第二极位置发生变化的功率芯片，仅需要替换测试套即可，而无需重新定制与功率芯片相适配的特定工装，能够极大地降低对不同的功率芯片进行测试时的金钱成本和时间成本。因此，本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的针对不同的芯片需要定制工装使得金钱成本和时间成本高的问题。
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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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