公开(公告)号：CN104487899B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201380039384.1

申请日：2013-07-16

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： B.比特纳 ,  N.韦伯拉 ,  S.施奈德 ,  R.施奈德 ,  H.瓦格纳 ,  R.伊利夫 ,  W.保尔斯

IPC: G03F7/20 ,  G02B7/00 ,  G02B17/06 ,  G21K1/06

CPC classification number: G02B7/1815 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B7/008 ,  G02B17/0657 ,  G02B17/0663 ,  G02B27/0025 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/70266 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。

公开(公告)号：CN104487899A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039384.1

申请日：2013-07-16

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： B.比特纳 ,  N.韦伯拉 ,  S.施奈德 ,  R.施奈德 ,  H.瓦格纳 ,  R.伊利夫 ,  W.保尔斯

IPC: G03F7/20 ,  G02B7/00 ,  G02B17/06 ,  G21K1/06

CPC classification number: G02B7/1815 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0891 ,  G02B7/008 ,  G02B17/0657 ,  G02B17/0663 ,  G02B27/0025 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70216 ,  G03F7/70266 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。