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公开(公告)号：CN109073787B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201780025763.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及通过电子辐射改变光学元件(14)的表面(12)的形状的装置(10)。装置(10)包括电子辐射单元(16)，该电子辐射单元(16)以局部分辨的能量剂量分布(36)将电子辐射到表面(12)上，以便于在光学元件(14)中产生局部材料压缩。装置(10)还包括控制单元(32)，该控制单元(32)由通过质量函数(50)的最小化的优化过程，从光学元件(14)的表面形状的指定目标的变化(34)确定空间分辨的能量剂量分布(36)，使得将光学元件的表面形状的目标变化和实际变化之间的差异最小化，该实际的变化基于所确定的规范产生。质量函数(50)包含将局部压缩转换为表面(12)的产生的形状变化的转换项(42)，该局部压缩在表面(12)的区域中描述材料压缩。转换项(42)考虑由局部压缩产生的表面凹陷(20)和表面(12)的变形二者，该表面(12)的变形基于平行于表面(12)作用的力而产生。本发明还涉及对应的方法和微光刻的投射镜头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109073787A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025763.3
申请日：2017-02-23
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及通过电子辐射改变光学元件(14)的表面(12)的形状的装置(10)。装置(10)包括电子辐射单元(16)，该电子辐射单元(16)以局部分辨的能量剂量分布(36)将电子辐射到表面(12)上，以便于在光学元件(14)中产生局部材料压缩。装置(10)还包括控制单元(32)，该控制单元(32)由通过质量函数(50)的最小化的优化过程，从光学元件(14)的表面形状的指定目标的变化(34)确定空间分辨的能量剂量分布(36)，使得将光学元件的表面形状的目标变化和实际变化之间的差异最小化，该实际的变化基于所确定的规范产生。质量函数(50)包含将局部压缩转换为表面(12)的产生的形状变化的转换项(42)，该局部压缩在表面(12)的区域中描述材料压缩。转换项(42)考虑由局部压缩产生的表面凹陷(20)和表面(12)的变形二者，该表面(12)的变形基于平行于表面(12)作用的力而产生。本发明还涉及对应的方法和微光刻的投射镜头。
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公开(公告)号：CN112585537B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201980045268.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明有关于一种用以产生用于投射曝光装置(1)的反射光学元件的方法，其中该反射光学元件包含具有基板表面(31)、保护层(38)和适合用于EUV波长范围的层部分系统(39)的基板(30)，所述方法包含以下方法步骤：a)测量基板表面(31)，b)在多个电子(36)的协助下照射基板(30)，c)对基板(30)进行回火。此外，本发明有关于一种用于EUV波长范围的反射光学元件。另外，本发明有关于一种投射镜头，其包含作为反射光学元件的反射镜(18、19、20)，并且本发明有关于一种包含投射镜头的投射曝光装置(1)。
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公开(公告)号：CN112585537A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980045268.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明有关于一种用以产生用于投射曝光装置(1)的反射光学元件的方法，其中该反射光学元件包含具有基板表面(31)、保护层(38)和适合用于EUV波长范围的层部分系统(39)的基板(30)，所述方法包含以下方法步骤：a)测量基板表面(31)，b)在多个电子(36)的协助下照射基板(30)，c)对基板(30)进行回火。此外，本发明有关于一种用于EUV波长范围的反射光学元件。另外，本发明有关于一种投射镜头，其包含作为反射光学元件的反射镜(18、19、20)，并且本发明有关于一种包含投射镜头的投射曝光装置(1)。
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公开(公告)号：CN104487899B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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公开(公告)号：CN104487899A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380039384.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B7/1815 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B7/008 , G02B17/0657 , G02B17/0663 , G02B27/0025 , G03F7/702 , G03F7/70216 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。
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