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公开(公告)号：CN104716050B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103204456A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210351047.3
申请日：2012-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法。该方法包括在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，该MEMS结构包括活动元件；在第一衬底上方形成接合结构；以及在第一衬底上方形成支撑结构，其中，该支撑结构从接合结构突出。该方法另外包括将MEMS结构与第二衬底相接合；以及在第二衬底的背面上形成衬底通孔(TSV)，其中，上面的TSV与接合结构以及支撑结构对准。本发明提供用于MEMS结构中的TSV的支撑结构。
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公开(公告)号：CN103204456B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210351047.3
申请日：2012-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法。该方法包括在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，该MEMS结构包括活动元件；在第一衬底上方形成接合结构；以及在第一衬底上方形成支撑结构，其中，该支撑结构从接合结构突出。该方法另外包括将MEMS结构与第二衬底相接合；以及在第二衬底的背面上形成衬底通孔(TSV)，其中，上面的TSV与接合结构以及支撑结构对准。本发明提供用于MEMS结构中的TSV的支撑结构。
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公开(公告)号：CN104716050A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410101723.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C1/00301 , B81C2203/0154 , B81C2203/0771 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162
Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。
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