-
公开(公告)号：CN107228561A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710129708.0
申请日：2017-03-06
Applicant: 塞米西斯科株式会社
Abstract: 本发明的光烧结装置包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第一反射壁，其具有从第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状，第一弯曲部的弦与第二弯曲部的弦位于同一线上，第一弯曲部的右侧端部与第二弯曲部的左侧端部形成接点，从接点向发光部的长度方向剖面中心延伸的线可以相对于形成有被处理物的基板垂直。本发明能够提高光均匀度。
-
公开(公告)号：CN104766211A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410005801.7
申请日：2014-01-06
Applicant: 塞米西斯科株式会社
Abstract: 本发明公开一种通过标签的认证码执行第一次认证及通过判断是否发生复制而执行第二次认证，以执行正品认证的系统及其方法。所述正品认证方法包括：比较从认证终端机发送的认证对象的认证信息与预先存储的认证信息，执行第一次认证的步骤；以及，判断所述认证对象的认证确认元件是否发生复制，执行第二次认证的步骤。其中，只有所述第一次认证及所述第二次认证均结束时，正品认证才结束。
-
公开(公告)号：CN101663735A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200780052134.6
申请日：2007-08-24
Applicant: 塞米西斯科株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32972 , C23C16/4401 , C23C16/52 , H01J37/32935
Abstract: 提供了一种在制造半导体基底或平板显示器基底的基底停置、沉积或蚀刻工艺期间实时监控腔室的方法。通过使用等离子体发射光谱(OES)信息的时间序列神经网络分析方法的泄漏检测方法包括：基于OES信号检测从等离子体光谱是否产生了由于泄露导致空气被引入到腔室而引起的特定光谱(例如，氮、氧、氩等)；使用没有泄漏时的正常OES信号模式和发生泄漏时的特定光谱的反常OES信号模式通过时间序列神经网络分析方法，确定泄漏的发生。因此，与在关闭设备之后通过传统的泄漏检测器的泄漏检测不同，可以根据检测信号在不需要关闭设备的情况下在单个晶片的基底停置、沉积或蚀刻工艺之后立即确定泄漏的发生，，实时检查腔室的泄漏的发生。另外，当腔室发生泄漏时，可减少确定时间，因此可提高产率。另外，当在高温HDPCVD工艺期间在腔室中产生泄漏时，可容易地确定破裂并防止对腔室的破坏以及破坏引起的事故。
-
公开(公告)号：CN107175929A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710139646.1
申请日：2017-03-09
Applicant: 塞米西斯科株式会社
Abstract: 公开光烧结装置及利用其的导电膜形成方法。光烧结装置包括：第1发光部，其发散第1光；一对第2发光部，其分别发散第2光，彼此相对配置，而且第1发光部配置在一对第2发光部之间；以及反射罩，其下部面的中心部配置于第1发光部的上方，包括一对主弯曲部及一对辅助弯曲部，反射第1光及第2光中向上发散的光，其中一对主弯曲部分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过中心部的中心线为基准左右对称，一对主弯曲部的一端分别与中心线相接，一对辅助弯曲部分别具有向上弯曲的形状且一端分别与一对主弯曲部的另一端相接，配置于第2发光部的上方。本发明的光烧结装置能够一并执行干燥及烧结，大面积时也仍可以提高光烧结效率、提高光均匀度。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107175929B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710139646.1
申请日：2017-03-09
Applicant: 塞米西斯科株式会社
Abstract: 公开光烧结装置及利用其的导电膜形成方法。光烧结装置包括：第1发光部，其发散第1光；一对第2发光部，其分别发散第2光，彼此相对配置，而且第1发光部配置在一对第2发光部之间；以及反射罩，其下部面的中心部配置于第1发光部的上方，包括一对主弯曲部及一对辅助弯曲部，反射第1光及第2光中向上发散的光，其中一对主弯曲部分别具有向上弯曲的形状且以沿着长度方向通过中心部的中心线为基准左右对称，一对主弯曲部的一端分别与中心线相接，一对辅助弯曲部分别具有向上弯曲的形状且一端分别与一对主弯曲部的另一端相接，配置于第2发光部的上方。本发明的光烧结装置能够一并执行干燥及烧结，大面积时也仍可以提高光烧结效率、提高光均匀度。
-
公开(公告)号：CN110530870A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910321869.9
申请日：2019-04-22
Applicant: 塞米西斯科株式会社
IPC: G01N21/88
Abstract: 公开缺陷检查系统及其方法。检查出检查对象物的边缘有无缺陷的缺陷检查系统包括：光源部；及利用所述光源部照射的光在配置有检查对象物的移送部件的上部拍摄所述检查对象物以检查出所述检查对象物有无缺陷的摄像头，所述摄像头可在腔体内部及腔体外部中至少一个拍摄所述检查对象物。本发明能够在腔体准确地检测出检查对象物的边缘。并且，本发明的目的是提供以非接触非破坏方式在腔体内部密闭的真空状态下也能够检查出检查对象物边缘有无缺陷。
-
公开(公告)号：CN107228561B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710129708.0
申请日：2017-03-06
Applicant: 塞米西斯科株式会社
Abstract: 本发明的光烧结装置包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第一反射壁，其具有从第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状，第一弯曲部的弦与第二弯曲部的弦位于同一线上，第一弯曲部的右侧端部与第二弯曲部的左侧端部形成接点，从接点向发光部的长度方向剖面中心延伸的线可以相对于形成有被处理物的基板垂直。本发明能够提高光均匀度。
-
公开(公告)号：CN107220136A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610479180.5
申请日：2016-06-27
Applicant: 塞米西斯科株式会社
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明公开一种腔体内部的销损坏检测装置及其方法。腔体内部的销损坏检测装置包括：销座，其结合于腔体的一面；以及，光输出部，其向所述销座照射光信号，其中，所述销座具有透明透过部，从所述光输出部输出的光信号在通过所述销座的透明透过部后向连接于工作台的销入射，通过分析向所述销入射的光信号的反射图案能够检测所述销是否损坏。本发明的腔体内部的销损坏检测装置及其方法能够实时监控无法用肉眼确认的位于腔体内部中央的销是否损坏。
-
公开(公告)号：CN102067482A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880129902.8
申请日：2008-09-08
Applicant: 塞米西斯科株式会社
IPC: H04B10/00
CPC classification number: G01J3/02 , G01J3/0264
Abstract: 一种远距光谱仪的连接结构，该远距光谱仪的连接结构可通过USB服务器将EPD控制器连接至以USB接口形式安装于反应室中的远距光谱仪，以克服由USB电缆的有效长度产生的限制，并且将光谱仪产生的数据稳定地传输至EPD控制器，藉此提高制程反应室发射的等离子发射的监测效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.037 seconds)
