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公开(公告)号:CN1988026A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610059652.8
申请日:2006-03-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/361 , G11B5/4846 , H05K3/328 , H05K2201/0397 , H05K2201/10765 , H05K2203/0285 , Y10T29/49027 , Y10T29/4903
Abstract: 一种飞线的键合方法,能够有效地将飞线超声键合至基板焊盘,并且提高两者间的键合可靠性。该方法包括如下步骤:将飞线定位,以使其与平行排列的焊盘相对应;以及对键合工具施加超声振动,以将飞线分别键合至焊盘。其中飞线的宽度大于焊盘的宽度,并且对正在将飞线压至焊盘上的键合工具施加超声振动,从而将飞线分别超声键合至焊盘。
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公开(公告)号:CN1988028A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610077788.1
申请日:2006-04-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B21/21
CPC classification number: B23K20/10 , B23K2101/32 , H05K3/26 , H05K3/328 , Y10T29/49027 , Y10T29/4903
Abstract: 一种飞线接合方法,其能在飞线与基板焊盘之间产生可靠的接合,并能够使用接合工具高效地接合多个飞线与多个基板焊盘。飞线分别与平行设置的多个基板焊盘对准,而接合工具将超声波振动施加给所述飞线以使各所述基板焊盘与所述飞线接合。接合通过使用接合工具实现,该接合工具中可转动地支撑至少一个与所述飞线接触并将超声波振动施加给所述飞线的接触构件。该接合工具沿穿过平行设置的所述飞线的方向移动,并且所述至少一个接触构件在与所述飞线接触的同时滚动,而所述至少一个接触构件将超声波振动施加给所述飞线以将各所述飞线与所述基板焊盘超声波接合。
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公开(公告)号:CN103151092A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201210518390.2
申请日:2012-12-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01B1/02 , H01L23/488
CPC classification number: H01B1/22 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H05K2203/047 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种导电接合材料、电子组件和电子装置。所述导电接合材料包括:涂覆有镓或镓合金的铜微粒;以及锡微粒或锡合金微粒。所述电子组件包括:具有电极焊盘的配线基板;组件,其安装在所述配线基板上并且具有多个电极;覆盖所述组件的密封树脂;以及多个端子,其将配线基板中的配线连接到外部基板,其中,所述多个电极通过导电接合材料连接至所述电极焊盘,其中,所述导电接合材料包含涂覆有镓或镓合金微粒的铜微粒以及锡微粒或锡合金微粒。
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公开(公告)号:CN102740600A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210048565.8
申请日:2012-02-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H05K1/18 , H01L23/488 , B23K35/24 , B23K35/26 , B23K35/36
CPC classification number: H05K3/3442 , B23K1/0016 , B23K1/206 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/3613 , B23K2101/42 , C22C13/00 , H01L2924/0002 , H05K3/284 , H05K3/3484 , H05K2201/0323 , H05K2201/10977 , H05K2203/1476 , Y02P70/613 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种电子元件、电子设备以及焊膏,所述电子元件包含:包含电极焊盘的配线板;包括多个电极的元件,所述元件安装在所述配线板上;覆盖所述元件的密封树脂;以及配置为将设置在所述配线板内的配线连接到外部基板的多个端子,其中所述多个电极和电极焊盘用焊料连接,并且其中第一树脂层和第二树脂层从所述焊料侧以所述顺序设置在所述焊料和所述密封树脂之间,在此所述第一树脂层具有第一杨氏模量并且所述第二树脂层具有比所述第一杨氏模量大的第二杨氏模量。
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公开(公告)号:CN103447713A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310125016.0
申请日:2013-04-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , H05K3/34
CPC classification number: H01L21/64 , B23K35/0244 , B23K35/025 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0382 , H01L2224/03825 , H01L2224/03828 , H01L2224/03829 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/27003 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/2747 , H01L2224/29211 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29395 , H01L2224/29411 , H01L2224/32105 , H01L2224/32227 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83438 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83466 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H05K2201/10636 , H05K2203/047 , Y02P70/611 , Y10T428/12014 , Y10T428/12222 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/83439 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种导电键合材料、其制造方法以及电子装置的制造方法,该导电键合材料包括焊料成分,该焊料成分包括:具有至少一个孔隙的第一金属的金属发泡体,当金属发泡体在高于第一金属的熔点的温度下被加热时,孔隙吸收熔化的第一金属;以及第二金属,其熔点低于第一金属的熔点。
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公开(公告)号:CN103028861A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210320844.5
申请日:2012-08-31
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B23K35/262 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/24 , B23K35/286 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/36 , B23K35/3613 , B23K2101/40 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01B1/22 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/15788 , H01L2924/19105 , H05K1/0269 , H05K3/3463 , H05K2201/0272 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供导电接合材料、导体接合方法和半导体器件制造方法。一种导电接合材料,包含:第一金属颗粒、第二金属颗粒和第三金属颗粒,所述第二金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径,所述第三金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径、相对密度大于所述第一金属颗粒的相对密度并且熔点高于所述第二金属颗粒的熔点。
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公开(公告)号:CN101441727A
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200810166744.5
申请日:2008-10-23
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06K19/077 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/02 , G06K19/027 , G06K19/07728 , G06K19/07758 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/1815 , Y10T428/2462 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子装置及其制造方法。该电子装置包括:基片;形成在所述基片上的导电图案;安装在所述基片上并连接到所述导电图案的电路芯片;以及设置在所述基片的正面和背面的至少其中之一上以与所述导电图案的至少一部分交叠的多个凸起。所述多个凸起沿远离所述基片的方向突出。
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公开(公告)号:CN101441727B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN200810166744.5
申请日:2008-10-23
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G06K19/077 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/02 , G06K19/027 , G06K19/07728 , G06K19/07758 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/1815 , Y10T428/2462 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子装置及其制造方法。该电子装置包括:基片;形成在所述基片上的导电图案;安装在所述基片上并连接到所述导电图案的电路芯片;以及设置在所述基片的正面和背面的至少其中之一上以与所述导电图案的至少一部分交叠的多个凸起。所述多个凸起沿远离所述基片的方向突出。
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公开(公告)号:CN102642095A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210035680.1
申请日:2012-02-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B23K35/24 , B23K35/36 , B23K1/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , B22F1/0014 , B22F1/025 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , C22C9/00 , C23C24/106 , H01L23/49811 , H01L23/49883 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05686 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/11502 , H01L2224/13017 , H01L2224/13144 , H01L2224/13599 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13709 , H01L2224/13711 , H01L2224/13713 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13847 , H01L2224/13899 , H01L2224/13913 , H01L2224/13939 , H01L2224/13944 , H01L2224/13947 , H01L2224/16058 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16507 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81055 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81509 , H01L2224/81511 , H01L2224/81513 , H01L2224/81639 , H01L2224/81644 , H01L2224/81647 , H01L2224/81699 , H01L2224/81711 , H01L2224/81713 , H01L2224/81739 , H01L2224/81744 , H01L2224/8181 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/15738 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/01083 , H01L2924/01031 , H01L2924/0103 , H01L2924/053 , H01L2224/13099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法,所述导电接合材料包括如下的金属组分:高熔点金属粒子,其具有第一熔点或更高的熔点;中熔点金属粒子,其具有第二熔点,所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低,所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度;以及低熔点金属粒子,其具有第三熔点或更低的熔点,所述第三熔点低于第一温度。
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公开(公告)号:CN1988027A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610071802.7
申请日:2006-03-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B21/21
CPC classification number: H01L21/4853
Abstract: 一种飞线的键合方法,能够有效地将飞线超声键合至基板焊盘,并且提高两者间的键合可靠性。该方法包括如下步骤:机械处理基板,以在焊盘的键合面上形成用作变形余量的凸点,其中在每一个键合面上将键合飞线;将飞线定位,以使其与焊盘相对应;以及对键合工具施加超声振动,以使凸点变形并将其压平,从而使飞线分别键合至焊盘。
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