公开(公告)号：CN1627512A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410097360.4

申请日：2004-11-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石栗雅彦 ,  松木浩久 ,  依田博行 ,  冈本九弘 ,  生云雅光 ,  千叶修一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和以节距X1排列的凸电极阵列。每个凸电极具有高度X3，并且形成于直径为X2的阻挡金属基底上，该阻挡金属基底连接到该半导体衬底上所排列的电极，以满足关系(X1/2)≤X2≤(3×X1/4)和(X1/2)≤X3≤(3×X1/4)。

公开(公告)号：CN1988143A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610073867.5

申请日：2006-04-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 生云雅光 ,  依田博行 ,  渡边英二

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：多个电极层，其设置在半导体衬底的指定位置上；有机绝缘膜，其通过选择性地暴露所述电极层的指定区域而形成在所述半导体衬底上；以及多个突起电极，其用于与外部连接，所述突起电极形成在所述电极层的指定区域上。位于所述突起电极外围附近的有机绝缘膜的厚度大于位于所述突起电极之间的有机绝缘膜的厚度。