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公开(公告)号:CN101373719A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200810169908.X
申请日:2006-04-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 本发明涉及一种具有中继板的半导体器件的制造方法,该制造方法包括如下步骤:a)将膜状粘附剂粘附到该中继板上;b)在第一部分处仅切割该中继板,而在第二部分处切割该中继板和粘附到该中继板上的粘附剂,从而形成多个分割的粘附在共用的单一膜状粘附剂上的中继板;以及c)将分割的中继板同时设置在半导体元件上。本发明的实施例能够以低成本制造半导体器件。
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公开(公告)号:CN1893051A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610100025.4
申请日:2006-06-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/1134 , H01L2224/13027 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14 , H01L2224/1411 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17107 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2225/06558 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05541 , H01L2224/05005
Abstract: 一种半导体器件,包括在其主表面上设置有外部连接端子焊盘的半导体元件。该半导体元件经由多个凸状外部连接端子和一个连接部件连接到支撑板上的导电层,所述多个凸状外部连接端子设置于该外部连接端子焊盘上,并且该连接部件同时覆盖所述多个凸状外部连接端子。
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公开(公告)号:CN1463032A
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN02160411.8
申请日:2002-12-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/681 , H01L23/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光,用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像,而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。
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公开(公告)号:CN101266963A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810086175.3
申请日:2008-03-17
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H05K3/3452 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75743 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K3/305 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , H05K2201/10977 , H05K2203/0594 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种布线板、电子部件的安装结构以及半导体器件。其中该布线板包括:主表面,在所述主表面上以面朝下方式安装有电子部件,以使所述电子部件的具有多个外部连接端子的一个表面面向所述布线板的主表面,所述电子部件通过粘合剂被固定到所述布线板上;绝缘层,形成在安装有所述电子部件的所述主表面上;开口部,形成在所述绝缘层中,以将多个相邻布线图案共同地、部分地露出,所述相邻布线图案具有与所述电子部件的多个电极相连接的多个电极;其中,所述开口部的位于所述布线板的中心侧的外周形成在相对于所述布线图案的延伸方向的倾斜方向上。本发明能够防止产生气泡。
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公开(公告)号:CN1228829C
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN02160411.8
申请日:2002-12-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/681 , H01L23/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光,用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像,而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。
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