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公开(公告)号：CN109721022B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201811280031.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有悬置隔膜的压电MEMS设备及其制造过程。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。
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公开(公告)号：CN110040677A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910111877.0
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
Abstract: 本公开的实施例涉及具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器及其制造方法。微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN108489645B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810154228.4
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。
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公开(公告)号：CN105565256B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510617061.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
Abstract: 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN109721022A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811280031.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有悬置隔膜的压电MEMS设备及其制造过程。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110040677B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910111877.0
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
Abstract: 本公开的实施例涉及具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器及其制造方法。微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN108489645A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810154228.4
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L1/18 , B81B7/0029 , G01L1/26 , G01L9/0002 , G01L9/06 , G01L19/146 , H01C10/10 , H01C17/00
Abstract: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。
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公开(公告)号：CN105565256A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510617061.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2207/015 , B81C1/00261 , B81C1/00285 , B81C2203/01
Abstract: 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN209367796U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201821772595.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本实用新型的各实施例涉及MEMS设备和电子装置。一种MEMS设备，包括：主体，具有第一表面和第二表面；隔膜腔体，在主体内并且从主体的第二表面延伸；可变形部分，在主体内并且在第一表面和隔膜腔体之间；和压电致动器，在主体在第一表面上延伸并且在可变形部分之上。MEMS设备的特征在于其包括凹槽结构，该凹槽结构在主体内延伸并且为可变形部分界定止动器部分。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208150964U
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201820262313.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开涉及微机电传感器和MEMS装置，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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