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公开(公告)号：CN108489645B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810154228.4
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。
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公开(公告)号：CN108801503A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810369108.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/00
CPC classification number: G01L1/18 , G01L5/162 , G01L25/00 , G01M5/0041 , G01M5/0083 , G01L1/005
Abstract: 本公开涉及一种应力传感器，包括膜板；布置在膜板的顶部上的第一接合区域；布置在第一接合区域的顶部上的盖板，第一接合区域将膜板接合到盖板；跨越膜板延伸、嵌入接合层中的三维压阻元件；以及跨过膜板延伸、被接合层包围并与接合层分离的平面压阻元件。
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公开(公告)号：CN110160681B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910115451.2
申请日：2019-02-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及负荷感测装置、封装件以及系统。在本发明的一个实施例中，负荷传感器封装件包括壳体，该壳体具有盖、柱、外围结构和底座。底座包括被配置成安装应力传感器的主表面，而盖包括被配置成接收待测量的负荷的盖主表面。柱被配置成通过应力传感器将待测量的负荷的预先确定的部分传递到底座。外围结构被配置成将待测量的负荷的剩余部分传递到底座。
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公开(公告)号：CN106197776B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201510855249.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力测量设备、制动系统和测量压力的方法，压力传感器(15)带有双测量刻度，包括：柔性本体(16，34)，设计成根据压力(P)而经受偏转；压阻转换器(28，29；94)，用于检测偏转；第一聚焦区域(30)，设计成在第一操作条件过程中将压力(P)的第一值(PINT1)集中在柔性本体的第一部分(19)中，以便使柔性本体的第一部分发生偏转；以及第二聚焦区域(33)，设计成在第二操作条件过程中将所述压力(P)的第二值(PINT2)集中在柔性本体的第二部分(17)中，以便使柔性本体的第一部分二部分()发生偏转。压阻转换器将柔性本体的第一部分的偏转关联至第一压力值(PINT1)，并且将柔性本体的第二部分的偏转关联至第二压力值(PINT2)。
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公开(公告)号：CN108793055A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810253119.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2207/07 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , G01L9/0042 , H01L41/1132 , B81B3/0027 , B81C1/00015
Abstract: 本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如，一种微机电换能器包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至半导体本体的第一表面；第一密封腔，位于半导体本体和第一结构本体之间；以及活跃区域，容纳在第一密封腔中，包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109502539B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811075439.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺。微电子设备包括芯片，芯片容纳功能部分并且承载第一电接触区域，第一电接触区域与功能部分通过第一受保护的连接件电连接，第一受保护的连接件在芯片之上或者在芯片中延伸。基板具有第一接触区和第二接触区，第二接触区远离第一接触区。第一接触区承载第二电接触区域，并且第二接触区承载外部连接区域。第二接触区域和外部连接区域通过第二受保护的连接件相互电连接，第二受保护的连接件在基板之上或者在基板中延伸。保护环结构围绕第一电接触区域和第二电接触区域，并且界定相对于外部封闭的第一腔室。第一电接触区域和第二电接触区域相互电接触。
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公开(公告)号：CN109502539A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811075439.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺。微电子设备包括芯片，芯片容纳功能部分并且承载第一电接触区域，第一电接触区域与功能部分通过第一受保护的连接件电连接，第一受保护的连接件在芯片之上或者在芯片中延伸。基板具有第一接触区和第二接触区，第二接触区远离第一接触区。第一接触区承载第二电接触区域，并且第二接触区承载外部连接区域。第二接触区域和外部连接区域通过第二受保护的连接件相互电连接，第二受保护的连接件在基板之上或者在基板中延伸。保护环结构围绕第一电接触区域和第二电接触区域，并且界定相对于外部封闭的第一腔室。第一电接触区域和第二电接触区域相互电接触。
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公开(公告)号：CN108489645A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810154228.4
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L1/18 , B81B7/0029 , G01L1/26 , G01L9/0002 , G01L9/06 , G01L19/146 , H01C10/10 , H01C17/00
Abstract: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。
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公开(公告)号：CN115685228A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210882519.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： D·卡尔塔比亚诺
Abstract: 本发明的实施例涉及一种激光扫描的装置和方法。一种装置包括：激光光源，被配置为向目标传输光脉冲束，从而在目标上投影至少一个对应的束斑；以及根据网格分布的具有多个传感器的传感器阵列，传感器阵列中的传感器被配置为响应于光脉冲束的至少一个光脉冲从目标中的视场FOV区域的反射而感测入射到传感器上的光脉冲，传感器阵列中的传感器还被配置为提供指示光脉冲入射到传感器上的时间的信号。传感器阵列的FOV区域根据网格而被分割为网格单元。传感器阵列中的每个传感器被配置为感测从FOV区域中的相应网格单元反射的至少一个回波光脉冲。装置还包括光束转向装置，被配置为改变光脉冲束的传输方向，从而在FOV区域中的每个网格单元中投影至少一个束斑。
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公开(公告)号：CN110174198B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910120291.0
申请日：2019-02-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： D·卡尔塔比亚诺
Abstract: 本申请的各实施例涉及具有机械解耦的温度传感器的应变仪。半导体器件包括衬底上的应变仪，应变仪被配置为测量衬底的应力；以及被设置在衬底内的温度传感器，温度传感器与衬底的应力解耦。
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