公开(公告)号：CN109843479B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201880003871.5

申请日：2018-06-21

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 涩谷义孝 ,  佐藤贤次

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F10/28 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C22C9/00

Abstract: 一种金属粉，其特征在于，在铜或铜合金粉的表面上形成有包含Gd、Ho、Lu、Mo、Nb、Os、Re、Ru、Tb、Tc、Th、Tm、U、V、W、Y、Zr、Cr、Rh、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Ti中的任意一种以上的覆膜，所述覆膜的膜厚为5nm以上且500nm以下。本发明的课题在于提供一种金属粉以及使用该金属粉制作的成型物，该金属粉为用于基于激光方式的金属增材制造的金属粉，所述金属粉能够保持铜或铜合金的高导电性，并且能够有效地利用激光进行熔融。

公开(公告)号：CN107409482A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078485.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  佐藤贤次

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明提供电磁波屏蔽特性、轻量特性和成形加工性优异的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3。其中，式中的符号表示如下。σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)、dM：金属箔的厚度(m)、dR：绝缘层的厚度(m)。

公开(公告)号：CN111836691A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017920.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝 ,  佐藤贤次 ,  森冈理 ,  千叶昌彦 ,  青柳健大

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN111836691B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201980017920.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝 ,  佐藤贤次 ,  森冈理 ,  千叶晶彦 ,  青柳健大

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/142 ,  B22F10/28 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN107409482B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580078485.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  佐藤贤次

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明提供电磁波屏蔽特性、轻量特性和成形加工性优异的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10‑3。其中，式中的符号表示如下。σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)、dM：金属箔的厚度(m)、dR：绝缘层的厚度(m)。

公开(公告)号：CN109843479A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201880003871.5

申请日：2018-06-21

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 涩谷义孝 ,  佐藤贤次

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00 ,  C22C9/00

Abstract: 一种金属粉，其特征在于，在铜或铜合金粉的表面上形成有包含Gd、Ho、Lu、Mo、Nb、Os、Re、Ru、Tb、Tc、Th、Tm、U、V、W、Y、Zr、Cr、Rh、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm中的任意一种以上的覆膜，所述覆膜的膜厚为5nm以上且500nm以下。本发明的课题在于提供一种金属粉以及使用该金属粉制作的成型物，该金属粉为用于基于激光方式的金属增材制造的金属粉，所述金属粉能够保持铜或铜合金的高导电性，并且能够有效地利用激光进行熔融。