公开(公告)号：CN111836691A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017920.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝 ,  佐藤贤次 ,  森冈理 ,  千叶昌彦 ,  青柳健大

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN111836691B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201980017920.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝 ,  佐藤贤次 ,  森冈理 ,  千叶晶彦 ,  青柳健大

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/142 ,  B22F10/28 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN114765968A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202180006563.X

申请日：2021-06-25

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/16 ,  C22C9/00 ,  B22F10/28 ,  B33Y70/10 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明的课题在于提供一种铜合金粉末及其制造方法，该铜合金粉末为用于基于激光束方式的增材制造的金属粉末，并且该铜合金粉末能够进一步提高激光吸收率，并且能够抑制通过颈缩进行的热传导。一种铜合金粉末，所述铜合金粉末含有合计15重量％以下的Cr、Zr和Nb中的任意一种以上元素，并且剩余部分包含Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在所述铜合金粉末上形成有含有Si原子的覆膜，并且在形成有所述覆膜的铜合金粉末中，Si浓度为5重量ppm以上且700重量ppm以下。

公开(公告)号：CN114765968B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202180006563.X

申请日：2021-06-25

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/16 ,  C22C9/00 ,  B22F10/28 ,  B33Y70/10 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明的课题在于提供一种铜合金粉末及其制造方法，该铜合金粉末为用于基于激光束方式的增材制造的金属粉末，并且该铜合金粉末能够进一步提高激光吸收率，并且能够抑制通过颈缩进行的热传导。一种铜合金粉末，所述铜合金粉末含有合计15重量％以下的Cr、Zr和Nb中的任意一种以上元素，并且剩余部分包含Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在所述铜合金粉末上形成有含有Si原子的覆膜，并且在形成有所述覆膜的铜合金粉末中，Si浓度为5重量ppm以上且700重量ppm以下。

公开(公告)号：CN111836692B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201980017991.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/05 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN111836692A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980017991.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。