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公开(公告)号：CN111836691A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017920.5
申请日：2019-12-26
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。
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公开(公告)号：CN114765968B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202180006563.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种铜合金粉末及其制造方法，该铜合金粉末为用于基于激光束方式的增材制造的金属粉末，并且该铜合金粉末能够进一步提高激光吸收率，并且能够抑制通过颈缩进行的热传导。一种铜合金粉末，所述铜合金粉末含有合计15重量％以下的Cr、Zr和Nb中的任意一种以上元素，并且剩余部分包含Cu和不可避免的杂质，其特征在于，在所述铜合金粉末上形成有含有Si原子的覆膜，并且在形成有所述覆膜的铜合金粉末中，Si浓度为5重量ppm以上且700重量ppm以下。
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公开(公告)号：CN111836692B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201980017991.5
申请日：2019-12-26
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。
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公开(公告)号：CN111836692A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980017991.5
申请日：2019-12-26
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111465712B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201980003822.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶，其中，所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°～1°的比例为75％以上。一种MgO烧结体溅射靶，其特征在于，所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°～2°的比例为90％以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。
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公开(公告)号：CN109843479B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201880003871.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种金属粉，其特征在于，在铜或铜合金粉的表面上形成有包含Gd、Ho、Lu、Mo、Nb、Os、Re、Ru、Tb、Tc、Th、Tm、U、V、W、Y、Zr、Cr、Rh、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Ti中的任意一种以上的覆膜，所述覆膜的膜厚为5nm以上且500nm以下。本发明的课题在于提供一种金属粉以及使用该金属粉制作的成型物，该金属粉为用于基于激光方式的金属增材制造的金属粉，所述金属粉能够保持铜或铜合金的高导电性，并且能够有效地利用激光进行熔融。
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公开(公告)号：CN111465712A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201980003822.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶，其中，所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°～1°的比例为75％以上。一种MgO烧结体溅射靶，其特征在于，所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°～2°的比例为90％以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。
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公开(公告)号：CN111836691B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980017920.5
申请日：2019-12-26
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种增材制造产品的制造方法，其为利用电子束方式的增材制造法的增材制造产品的制造方法，其中，铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第一层；在该第一层上重新铺设纯铜粉，对该纯铜粉进行预热，然后利用电子束进行扫描而使该纯铜粉部分熔融，并使其凝固，从而形成第二层；反复进行该操作而进行层叠，其特征在于，使用形成有Si覆膜的纯铜粉作为所述纯铜粉，并且将所述预热温度设定为大于等于400℃且小于800℃。本发明的课题在于提供一种使用形成有Si覆膜的纯铜粉的增材制造产品的制造方法、以及对于该形成有Si覆膜的纯铜粉的最佳的增材制造条件，其中，所述制造方法在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。
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