-
-
-
-
-
公开(公告)号:CN111465712B
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN201980003822.6
申请日:2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶,其中,所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°~1°的比例为75%以上。一种MgO烧结体溅射靶,其特征在于,所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°~2°的比例为90%以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。
-
公开(公告)号:CN111465712A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201980003822.6
申请日:2019-03-06
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶,其中,所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°~1°的比例为75%以上。一种MgO烧结体溅射靶,其特征在于,所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°~2°的比例为90%以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。
-
-
-
-
-