公开(公告)号：CN112805403A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980066087.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 梶田博树 ,  涩谷义孝 ,  成田里安

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/053

Abstract: 一种溅射靶，所述溅射靶包含氧化镁烧结体，其特征在于，所述氧化镁烧结体中的在一个晶粒内存在的针孔的数量为20个以上的晶粒的比例为50％以下。本发明的课题在于提供一种包含氧化镁烧结体并且在溅射时粉粒的产生少的溅射靶。

公开(公告)号：CN112805403B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201980066087.3

申请日：2019-10-09

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 梶田博树 ,  涩谷义孝 ,  成田里安

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/053

Abstract: 一种溅射靶，所述溅射靶包含氧化镁烧结体，其特征在于，所述氧化镁烧结体中的在一个晶粒内存在的针孔的数量为20个以上的晶粒的比例为50％以下。本发明的课题在于提供一种包含氧化镁烧结体并且在溅射时粉粒的产生少的溅射靶。

公开(公告)号：CN111465712B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN201980003822.6

申请日：2019-03-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 涩谷义孝 ,  成田里安 ,  梶田博树

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶，其中，所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°～1°的比例为75％以上。一种MgO烧结体溅射靶，其特征在于，所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°～2°的比例为90％以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。

公开(公告)号：CN111465712A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201980003822.6

申请日：2019-03-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 涩谷义孝 ,  成田里安 ,  梶田博树

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶，其中，所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°～1°的比例为75％以上。一种MgO烧结体溅射靶，其特征在于，所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°～2°的比例为90％以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。